【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法相关申请的交叉引用本专利文件要求于2020年1月2日提交的、申请号为10-2020-0000274的韩国专利申请的优先权和权益，其通过引用整体并入本文。
本公开总体上涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种包括存储器控制器的存储器系统。
技术介绍
所公开技术的各个实施例总体上涉及一种存储器系统和操作该存储器系统的方法，并且更特别地，涉及一种能够增强数据可靠性的存储器系统和操作该存储器系统的方法。存储器系统可以包括存储器控制器和存储器装置。存储器控制器可以响应于来自主机的请求而控制存储器系统的操作。存储器装置可以在存储器控制器的控制下存储数据或输出所存储的数据。例如，存储器装置由电源关断时其中存储的数据丢失的易失性存储器装置形成，或者由即使在供电中断时也能保留存储在其中的数据的非易失性存储器装置形成。
技术实现思路
所公开技术的实施例除其它特征和益处之外，还涉及一种能够估计最佳读取电压从而可以以提高的可靠性来执行数据解码的存储器系统和操作方法。所...
【技术保护点】
1.一种存储器系统，包括：/n存储器装置，包括多个存储器单元；以及/n存储器控制器，估计和使用读取电压，以将对应于指示第一读出数据的第一阈值电压分布的一个或多个存储器单元与对应于指示第二读出数据的第二阈值电压分布的一个或多个存储器单元区分开，所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布在对应于存储器单元的多个阈值电压分布之中彼此相邻，所述读取电压基于所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布的标准偏差和平均阈值电压以及分别对应于所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布的概率密度函数来估计，/n其中所述存储器控制器基于与所述第一阈值电压分布中由第一目标读取电压区分的第一区段相...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20200102 KR 10-2020-00002741.一种存储器系统，包括：
存储器装置，包括多个存储器单元；以及
存储器控制器，估计和使用读取电压，以将对应于指示第一读出数据的第一阈值电压分布的一个或多个存储器单元与对应于指示第二读出数据的第二阈值电压分布的一个或多个存储器单元区分开，所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布在对应于存储器单元的多个阈值电压分布之中彼此相邻，所述读取电压基于所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布的标准偏差和平均阈值电压以及分别对应于所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布的概率密度函数来估计，
其中所述存储器控制器基于与所述第一阈值电压分布中由第一目标读取电压区分的第一区段相对应的第一概率区域、与所述第一阈值电压分布中由第二目标读取电压区分的第二区段相对应的第二概率区域以及分别对应于所述第一概率区域和所述第二概率区域的反Q函数值，计算所述第一阈值电压分布的标准偏差。
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器根据分别基于所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压接收的第一读取数据和第二读取数据，计算所述第一概率区域和所述第二概率区域。
3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述存储器控制器通过将对应于所述多个阈值电压分布中的每个阈值电压分布的存储器单元的预设数量与所述第一读取数据和所述第二读取数据中包括的第一位值的数量进行比较，计算所述第一概率区域和所述第二概率区域。
4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压之间的差值以及分别对应于所述第一概率区域和所述第二概率区域的反Q函数值之间的差值，计算所述第一阈值电压分布的标准偏差。
5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于与所述第一概率区域和所述第二概率区域中的任意一个相对应的反Q函数以及所述第一阈值电压分布的标准偏差，计算所述第一阈值电压分布的平均阈值电压。
6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压之间的差值等于或大于第一阈值。
7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一概率区域和所述第二概率区域之间的差值等于或大于第二阈值。
8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一概率区域和所述第二概率区域中的每个概率区域在预设阈值范围内。
9.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于与所述第二阈值电压分布中由第三目标读取电压区分的第三区段相对应的第三概率区域、与所述第二阈值电压分布中由第四目标读取电压区分的第四区段相对应的第四概率区域以及分别对应于所述第三概率区域和所述第四概率区域的反Q函数值，计算所述第二阈值电压分布的标准偏差。
10.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于所述第一阈值电压分布的标准偏差和基于所述存储器单元的沟道特性而预设的标准偏差比，计算所述第二阈值电压分布的标准偏差。
11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于所述第二阈值电压分布的标准偏差和对应于第三概率区域的反Q函数值，计算所述第二阈值电压分布的平均阈值电压，其中所述第三概率区域与所述第二阈值电压分布中由第三目标读取电压区分的第三区段相对应。
12.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述沟道特性对应于编程/擦除周期和保持时间中的至少一个。
13.根据权利要求1所述的存储器系统，
其中所述存储器控制器基于所述第一阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第一阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第一权重、所述第二阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第二阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第二权重和偏移值，估计所述读取电压，并且
其中该第一权重、该第二权重和该偏移值基于所述存储器单元的沟道特性而预设。
14.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于使用所述概率密度函数的近似值来估计所述读取电压。
15.根据权利要求14所述的存储器系统，
其中所述近似值是基于所述第一阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第一阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第一权重、所述第二阈值电压分布的平均阈值电压以及与所述第二阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第二权重而获得，并且
其中该第一权重和该第二权重基于所述存储器单元的沟道特性而预设。
16.根据权利要求15所述的存储器系统，其中所述近似值与基于所述存储器单元的沟道特性而预设的偏移值相关联。
17.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述阈值电压分布具有高斯分布特性或接近高斯分布的分布特性。
18.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器使用所估计的读取电压对存储器单元执行读取操作。
19.一种操作存储器系统的方法，包括：
技术研发人员：金大成，金敬范，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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