一种高密封性通电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及SF6气体密度表和密度继电器表壳密封技术领域，具体涉及一种高密封性通电装置，包括端子基座，所述端子基座的顶部开设有上凹槽、底部开设有下凹槽，所述上凹槽的内侧壁中部开设有环形密封槽，所述上凹槽的内底壁周向开设有若干插接孔，若干所述插接孔内插接装配有金属针，所述上凹槽、所述环形密封槽内填充有玻璃晶粉层，通过所述玻璃晶粉层在高温下烧结，使所述端子基座与所述玻璃晶粉层之间、所述金属针与所述玻璃晶粉层之间的间隙得到完全密封；解决了传统的端子基座内径光滑的直通式结构，玻璃晶粉与基座高温烧结时两种不同材质难免会出现裂缝，时间一长会出现密封性不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高密封性通电装置
本技术涉及SF6气体密度表和密度继电器表壳密封
，具体涉及一种高密封性通电装置。
技术介绍
在工业领域、日常工作领域及其它领域中，都大量使用着各式各样的壳体充液(如防振油)或充气(如六氟化硫气体、氮气、空气)的仪表，如电力、化工、冶金、供水等部门广泛应用的抗振型充油压力表，如电力系统内广泛应用的绝对压力型六氟化硫密度表、充油型电接点压力表和充油型六氟化硫气体密度继电器等仪表。在现有技术中，在继电器仪表通电装置（接线端子）密封结构中，一般采用玻璃晶粉与端子基座经高温烧结成型，其两者不同成分的物料烧结熔融一体，传统的端子基座内径光滑的直通式结构，玻璃晶粉与基座高温烧结时两种不同材质难免会出现裂缝，时间一长会出现密封性不良的问题，因此亟需研发一种高密封性通电装置来解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供了一种高密封性通电装置，解决了传统的端子基座内径光滑的直通式结构，玻璃晶粉与基座高温烧结时两种不同材质难免会出现裂缝，时间一长会出现密封性不良的问题。本技术通过以下技术方案予以实现：一种高密封性通电装置，包括端子基座，所述端子基座的顶部开设有上凹槽、底部开设有下凹槽，所述上凹槽的内侧壁中部开设有环形密封槽，所述上凹槽的内底壁周向开设有若干插接孔，若干所述插接孔内插接装配有金属针，所述上凹槽、所述环形密封槽内填充有玻璃晶粉层，通过所述玻璃晶粉层在高温下烧结，使所述端子基座与所述玻璃晶粉层之间、所述金属针与所述玻璃晶粉层之间的间隙得到完全密封。优选的，所述上凹槽内填充的所述玻璃晶粉层的厚度距离所述上凹槽的顶部之间的距离为2-3mm。优选的，所述环形密封槽的开设厚度为2-5mm，且所述环形密封槽的开设深度为1-2mm。优选的，所述插接孔包括上孔和下孔，所述上孔的孔径大于所述下孔的孔径，且所述上孔和所述下孔的轴线相一致。优选的，所述金属针包括接线针和插接柱，所述接线针的外壁套设有所述插接柱，且所述接线针与所述下孔相装配，所述插接柱与所述上孔相装配。优选的，所述接线针与所述插接柱之间呈一体成型结构设置。优选的，所述插接柱的高度大于所述上孔的开设深度，且所述插接柱与所述上孔在进行装配时，在竖直方向上的裸露距离至少为1-2mm。优选的，所述插接孔内插接装配的所述金属针的数量为八个，且所述金属针的上端贯穿所述玻璃晶粉层。本技术的有益效果为：本技术在采用上述部件的设计和使用下，解决了传统的端子基座内径光滑的直通式结构，玻璃晶粉与基座高温烧结时两种不同材质难免会出现裂缝，时间一长会出现密封性不良的问题；同时通过插接孔和金属针结构的设置，进一步提高了玻璃晶粉层与金属针在进行装配连接时的密封效果；而且本技术结构新颖、设计合理，使用方便，具有较强的实用性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的结构示意图；图2为本技术去玻璃晶粉层的结构分解示意图；图3为本技术中端子基座的俯视图；图4为本技术中端子基座的仰视图；图5为本技术中端子基座的剖视图。图中：1-端子基座、2-上凹槽、3-下凹槽、4-环形密封槽、5-插接孔、501-上孔、502-下孔、6-金属针、601-接线针、602-插接柱、7-玻璃晶粉层。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一：请参阅图1-5所示：本技术具体提供了一种高密封性通电装置，包括端子基座，所述端子基座的顶部开设有上凹槽、底部开设有下凹槽，所述上凹槽的内侧壁中部开设有环形密封槽，通过环形密封槽的设置，可以使上凹槽内填充的玻璃晶粉层与端子基座的内壁之间的接触面积增加，上述玻璃晶粉在高温下烧结后，密封结构由单一的直通式内径变成多个内径形成迷宫型密封，由一层变成多层密封，进一步加强提高了端子基座与玻璃晶粉层之间的密封性能；所述上凹槽的内底壁周向开设有若干插接孔，若干所述插接孔内插接装配有金属针，所述上凹槽、所述环形密封槽内填充有玻璃晶粉层，上述使用玻璃晶粉层填充在上凹槽内时，不仅将上述环形密封槽填充满，同时也将金属针与插接孔之间的间隙得到填充，将通过所述玻璃晶粉层在高温下烧结，使所述端子基座与所述玻璃晶粉层之间、所述金属针与所述玻璃晶粉层之间的间隙得到完全密封。具体的，所述上凹槽内填充的所述玻璃晶粉层的厚度距离所述上凹槽的顶部之间的距离为2-3mm，避免玻璃晶粉层在铺设填充时溢出端子基座，方便进行高温烧结。具体的，所述环形密封槽的开设厚度为2-5mm，且所述环形密封槽的开设深度为1-2mm，可以进一步提高玻璃晶粉层与端子基座内壁之间的充分接触程度，进一步提高密封性能。具体的，所述插接孔包括上孔和下孔，所述上孔的孔径大于所述下孔的孔径，且所述上孔和所述下孔的轴线相一致；具体的，所述金属针包括接线针和插接柱，所述接线针的外壁套设有所述插接柱，且所述接线针与所述下孔相装配，所述插接柱与所述上孔相装配；可以保证金属针在插接装配时的适配性，同时通过上孔、下孔之间的设置，可以进一步增加金属针与插接孔之间的接触面积，进一步提高玻璃晶粉层在经上凹槽内填充时，可以充分的将插接孔和金属针之间的装配间隙得到完全填充，进而进一步提高玻璃晶粉层在高温烧结后的密封性能。具体的，所述接线针与所述插接柱之间呈一体成型结构设置，进一步加强接线针与插接柱之间的结构整体强度。具体的，所述插接柱的高度大于所述上孔的开设深度，且所述插接柱与所述上孔在进行装配时，在竖直方向上的裸露距离至少为1-2mm，进一步提高插接柱与玻璃晶粉层之间的接触面积，使密封性能得到进一步提高。具体的，所述插接孔内插接装配的所述金属针的数量为八个，且所述金属针的上端贯穿所述玻璃晶粉层，增加了金属针的接线数量，方便金属针接线使用。本技术在采用上述部件的设计和使用下，解决了传统的端子基座内径光滑的直通式结构，玻璃晶粉与基座高温烧结时两种不同材质难免会出现裂缝，时间一长会出现密封性不良的问题；同时通过插接孔和金属针结构的设置，进一步提高了玻璃晶粉层与金属针在进行装配连接时的密封效果。以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密封性通电装置，包括端子基座，其特征在于，所述端子基座的顶部开设有上凹槽、底部开设有下凹槽，所述上凹槽的内侧壁中部开设有环形密封槽，所述上凹槽的内底壁周向开设有若干插接孔，若干所述插接孔内插接装配有金属针，所述上凹槽、所述环形密封槽内填充有玻璃晶粉层，通过所述玻璃晶粉层在高温下烧结，使所述端子基座与所述玻璃晶粉层之间、所述金属针与所述玻璃晶粉层之间的间隙得到完全密封。/n

【技术特征摘要】
1.一种高密封性通电装置，包括端子基座，其特征在于，所述端子基座的顶部开设有上凹槽、底部开设有下凹槽，所述上凹槽的内侧壁中部开设有环形密封槽，所述上凹槽的内底壁周向开设有若干插接孔，若干所述插接孔内插接装配有金属针，所述上凹槽、所述环形密封槽内填充有玻璃晶粉层，通过所述玻璃晶粉层在高温下烧结，使所述端子基座与所述玻璃晶粉层之间、所述金属针与所述玻璃晶粉层之间的间隙得到完全密封。


2.根据权利要求1所述的一种高密封性通电装置，其特征在于，所述上凹槽内填充的所述玻璃晶粉层的厚度距离所述上凹槽的顶部之间的距离为2-3mm。


3.根据权利要求1所述的一种高密封性通电装置，其特征在于，所述环形密封槽的开设厚度为2-5mm，且所述环形密封槽的开设深度为1-2mm。


4.根据权利要求1所述的一种高密封性通电装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李军，
申请(专利权)人：无锡凯丰电气科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32