一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术制造技术

本发明专利技术属于电子设计自动化领域，设计一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术。本发明专利技术对二维同构众核暗硅芯片进行芯片热建模，相较于传统的芯片模型，这里主要对芯片局部热模型进行使用。本发明专利技术设计的技术方案可以有效的在众核芯片系统中快速的进行功率管理，提升芯片性能并保证芯片可靠性。并且发明专利技术了一种低计算时间复杂度的选核算法适用于众核芯片系统均匀的开启核心保证芯片的热均匀性。对于功率预算计算过程中，首先分布式对各个开启核心建立了局部热模型，训练了封装瞬态温度的估计模型，然后根据前后开启核心分布匹配最佳封装估计曲线参数，将当前的芯片温度信息输入局部热模型计算出功率预算。最后根据功率模型，匹配核心电压以及频率。本发明专利技术对众核暗硅芯片的实时功率预算技术可以对二维同构众核暗硅芯片进行有效的热管理并且充分提高芯片性能。

【技术实现步骤摘要】
一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术
本专利技术属于电子设计自动化领域，具体涉及一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术的实现与优化，可适用于二维同构多核芯片。
技术介绍
在过去三十年中，芯片的制造工艺跟随着摩尔定律的预测以指数形式高速提升。在芯片技术发展早期，登纳德缩放定律(Dennardscaling)是摩尔定律取得成功的关键。然而，大致从2006年开始，登纳德缩放定律却开始失效，产生了“功率墙”。随着芯片工艺的进步，芯片的功率密度逐渐上升，使得芯片温度过高，芯片可靠性下降。为了杜绝这种情况的出现，不得不对芯片进行降频降压或关闭部分核心，由此形成了暗硅芯片。显而易见的，这种情况的出现极大程度地降低了芯片性能。由于“功率墙”的存在，芯片功率密度也无法无限增长，因此Intel等公司不得不停止提升芯片运行频率，而采用增加芯片核心数量的方法将功率维持在可被接受的范围之内。因此针对众核暗硅芯片的功率热管理技术变得非常重要。在当今的暗硅芯片系统中，现有的功率热管理方法TDP和TSP都是一种静态的方法而且由于为了确保芯片处于安全温度以下，这两种方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术，其特征在于：基于二维同构多核芯片模型；同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法；基于分布式同构多核功率预算算法；在保证实时低计算时间复杂度管理的同时也优化了芯片性能和热稳定性。/n

【技术特征摘要】
1.一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术，其特征在于：基于二维同构多核芯片模型；同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法；基于分布式同构多核功率预算算法；在保证实时低计算时间复杂度管理的同时也优化了芯片性能和热稳定性。


2.根据权利要求1所述的基于二维同构多核芯片模型，其特征在于：所述的基于二维同构多核芯片模型指的是，单层任意数量同构核心和任意数量缓存结构的处理层和热介质层以及封装层的堆叠结构，都可以被称为是二维同构多核芯片模型，而本发明也证实了并不局限于核心数量。


3.根据权利要求1所述的同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法，其特征在于：所述的同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法指的是，根据需要开启核心的数量，在保证芯片热均匀性的情况下，给出一种开启核心分布，其低计算时间复杂度的特性可适用于同构多核芯片。


4.根据权利要求1所述的基于分布式同构多核功率预算算法，其特征在于：所述的基于分布式同构多核功率预算算法指的是，每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海，何文俊，祖柏杨，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51