一种液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置。所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及液晶层；阵列基板包括多个像素电极以及多个虚拟电极，像素电极包括主像素电极和子像素电极；彩膜基板包括公共电极层，公共电极层包括对应于主像素电极设置的多个第一子电极和对应于子像素电极设置的多个第二子电极；其中，第一子电极和第二子电极之间设有黑色光阻。本发明专利技术在不增加光刻次数的前提下将彩膜基板上的公共电极层分区，对应于阵列基板上的主像素电极和子像素电极分别给不同的电压，使得主像素电极与第一子电极之间、子像素电极与第二子电极之间形成最佳的电压差，降低闪烁等显示不良。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置。
技术介绍
VA(VerticalAlignment，垂直配向)型液晶显示面板具有高对比度、宽视角、无须摩擦配向等优势，但由于采用垂直配向的液晶，液晶分子的双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏问题比较严重。降低色偏是VA型液晶显示面板的发展要求。目前解决VA型液晶显示面板色偏的主流方法是采用多畴(multidomain)，如8畴显示的像素设计，使同一个子像素内主像素电极(PE_main)的4个畴与子像素电极(PE_Sub)的4个畴的液晶分子转动角度不一样，从而改善色偏。请参阅图1，为传统8畴显示的像素设计的等效电路图，阵列基板上的主像素电极(PE_main)的电压通过主薄膜晶体管(MainTFT)控制，子像素电极(PE_Sub)的电压通过子薄膜晶体管(SubTFT)和分压薄膜晶体管(ShareTFT)共同控制。如图1所示，子薄膜晶体管(SubTFT)的栅极与扫描线(Gate)电性连接，子薄膜晶体管(SubTFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：/n阵列基板，包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板之上且阵列分布的多个像素电极以及位于所述多个像素电极形成的多个像素列的间隙内的多个虚拟电极，所述像素电极包括主像素电极和子像素电极；/n彩膜基板，与所述阵列基板相对设置，包括第二衬底基板以及位于所述第二衬底基板面向所述阵列基板一侧的公共电极层，所述公共电极层包括多个第一子电极和多个第二子电极，所述第一子电极对应于所述主像素电极设置，所述第二子电极对应于所述子像素电极设置；/n液晶分子层，位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间；/n其中，所述虚拟电极包括第一虚拟电极和第二虚拟电极，所述第一虚拟电极的电位与所述...

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板之上且阵列分布的多个像素电极以及位于所述多个像素电极形成的多个像素列的间隙内的多个虚拟电极，所述像素电极包括主像素电极和子像素电极；
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置，包括第二衬底基板以及位于所述第二衬底基板面向所述阵列基板一侧的公共电极层，所述公共电极层包括多个第一子电极和多个第二子电极，所述第一子电极对应于所述主像素电极设置，所述第二子电极对应于所述子像素电极设置；
液晶分子层，位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间；
其中，所述虚拟电极包括第一虚拟电极和第二虚拟电极，所述第一虚拟电极的电位与所述第一子电极的电位相等，所述第二虚拟电极的电位与所述第二子电极的电位相等，所述第一子电极和所述第二子电极之间设有黑色光阻。


2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一子电极和所述第二子电极分别沿不同的行设置，形成第一子电极条和第二子电极条。


3.如权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一子电极条和所述第二子电极条间隔设置。


4.如权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，两个相邻的所述第一子电极条组成第一循环单元，两个相邻的所述第二子电极条组成第二循环单元，所述第一循环单元和所述第二循环单元间隔设置。


5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板还包括彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个红色色阻、...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯托，葛先进，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44