一种强化辐射制冷领域的复合结构表面制造技术

本发明专利技术属于辐射制冷技术领域，提出了一种强化辐射制冷领域的复合结构表面。该表面基于钛‑锗‑钨的材料堆叠顺序，其中对于钛金属需要进行尺寸的设计并制备长、宽和厚度依次为1μm、0.2μm和0.06μm的金属条带分别置于钨衬底和电介质层锗之上，这些金属条带在平行和垂直方向交错分布，相邻且平行的条带间距设置为1μm。中间的锗介质层设置为0.6μm，同时金属钨设置为金属衬底，其厚度设置为2μm。本发明专利技术具备制备可行性强、辐射特性突出的特点，该表面能够在大气窗口波段具有较高的光谱发射率，满足辐射制冷的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种强化辐射制冷领域的复合结构表面
本专利技术属于辐射制冷
，涉及一种强化辐射制冷领域的复合结构表面。
技术介绍
大气对某些特殊波段，如8-13μm区间的电磁波，具有极高的透射性能，使得电磁波能够直接辐射至宇宙空间，故该波段被称为大气窗口。根据大气窗口的热力学应用价值，辐射制冷作为一种被动式的散热方式被提出，其目的是将波长处于8-13μm光谱区间的电磁波强化辐射，并抑制该范围以外电磁波的发射。超材料电磁发射器能够通过微观调控的方式，使表面在大气窗口波段具有高发射率的特性，从而满足辐射制冷的要求。随着纳米技术的进步，应用于辐射制冷的微纳模型被广泛研究和提出。如文献WangH,PrasadSivanV,MitchellA,RosengartenG,PhelanP,WangL.Highlyefficientselectivemetamaterialabsorberforhigh-temperaturesolarthermalenergyharvesting.SolarEnergyMaterialsandSolarCells.2015；1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种强化辐射制冷领域的复合结构表面，其特征在于，该强化辐射制冷领域的复合结构表面包括金属钨衬底、半导体锗电介质层和钛金属条，半导体锗电介质层位于金属钨衬底上，钛金属条位于半导体锗电介质层上；/n所述的金属钨衬底的厚度L8为2-2.5μm；所述的半导体锗电介质层L7为0.6-0.8μm；所述的钛金属条的长度L3为1-1.2μm，宽度L4为0.2-0.25μm，高度L9为0.06-0.08μm；钛金属条垂直和平行交错分布在半导体锗电介质层上；两平行钛金属条在平行方向的间距L2为1μm，两垂直钛金属条在平行方向距离为L3+2L1为1.8-2μm；两垂直钛金属条在垂直方向的距离L6为1μm，两平行...

【技术特征摘要】
1.一种强化辐射制冷领域的复合结构表面，其特征在于，该强化辐射制冷领域的复合结构表面包括金属钨衬底、半导体锗电介质层和钛金属条，半导体锗电介质层位于金属钨衬底上，钛金属条位于半导体锗电介质层上；
所述的金属钨衬底的厚度L8为2-2.5μm；所述的半导体锗电介质层L7为0.6-0.8μm；所述的钛金属条的长度L3为1-1....

【专利技术属性】
技术研发人员：崔贵成，吕继组，高林松，白敏丽，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21