硅芯制备方法和硅芯制备设备技术

本申请公开了一种硅芯制备方法和硅芯制备设备，硅芯制备方法包括以下步骤：A)将硅芯原料棒和籽晶安装在硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；B)对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空，使得所述硅芯炉腔内的压强小于标准大气压；和C)加热所述硅芯原料棒产生熔区，利用所述籽晶拉制所述硅芯原料棒以便得到硅芯。因此，通过利用根据本发明专利技术实施例的硅芯制备方法，从而可以有效地降低硅芯中的P元素的含量，有效地提高硅芯的电阻率。

【技术实现步骤摘要】
硅芯制备方法和硅芯制备设备
本专利技术涉及硅芯制备领域，具体涉及一种硅芯制备方法和硅芯制备设备。
技术介绍
硅芯制备技术是通过硅芯原料棒在常压硅芯炉中进行拉制。此种方法，首先需要在还原炉内制备出符合要求的硅芯原料棒，经过辊磨、清洗后经硅芯炉拉制成圆硅芯。现有硅芯制备技术制造出来的硅芯的纯度与硅芯原料棒相同。相关技术中，拉制硅芯的技术特点是先对硅芯炉进行抽真空，然后再充入惰性保护气至常压或者微正压，之后开始对硅芯原料棒进行加热、熔化、拉制、冷却，整个拉制过程中持续维持常压或者微正压状态。此方法拉制出的硅芯电阻率往往受硅芯原料棒纯度的影响，硅芯电阻率取决于硅芯原料棒电阻率。原料棒电阻率与硅芯原料棒中的杂质有关。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人对以下事实和问题的发现和认识做出的：影响硅芯的电阻率的施主杂质为P元素，硅芯中的P元素的含量越低，硅芯的电阻率越高。相关技术中，在常压状态下或者微正压状态下利用硅芯原料棒拉制硅芯。但是，在常压状态下和微正压状态下，P元素的挥发量非常小，甚至可以忽略不计，从而导致硅芯原料棒中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅芯制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA)将硅芯原料棒和籽晶安装在硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；/nB)对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空，使得所述硅芯炉腔内的压强小于标准大气压；和/nC)加热所述硅芯原料棒产生熔区，利用所述籽晶拉制所述硅芯原料棒以便得到硅芯。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅芯制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A)将硅芯原料棒和籽晶安装在硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；
B)对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空，使得所述硅芯炉腔内的压强小于标准大气压；和
C)加热所述硅芯原料棒产生熔区，利用所述籽晶拉制所述硅芯原料棒以便得到硅芯。


2.根据权利要求1所述的硅芯制备方法，其特征在于，所述步骤A)包括：
A-1)将硅芯原料棒和籽晶安装在所述硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；
A-2)对所述硅芯炉腔进行抽真空；和
A-3)使用惰性气体对所述硅芯炉腔内进行气体填充；
可选地，重复实施步骤A-2)和步骤A-3)至少2次。


3.根据权利要求2所述的硅芯制备方法，其特征在于，所述步骤A)包括：
A-4)使用压力传感器来检测所述硅芯炉腔内的压强变化，以便得到所述硅芯炉腔的漏率；
可选地，检测所述硅芯炉腔内的压强变化的时间在1分钟到5分钟之间。


4.根据权利要求1所述的硅芯制备方法，其特征在于，所述步骤B)中，所述硅芯炉腔内的压强小于3Pa；
可选地，所述步骤B)中，所述硅芯炉腔内的压强小于0.001Pa。


5.根据权利要求1所述的硅芯制备方法，其特征在于，所述步骤B)中，对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空的同时，通入惰性气体到所述硅芯炉腔内；
可选地，所述惰性气体包括氦气和氩气中的至少一种。


6.根据权利要求5所述的硅芯制备方法，其特征在于，所述步骤B)中，所述硅芯炉腔内的压强小于100Kpa；
可选地，所述硅芯炉腔内的压强大于3Pa。


7.根据权利要求6所述的硅芯制备方法，其特征在于，还包括步骤D)，所述步骤D)包括：
D-1)将所述硅芯和所述籽晶从所述硅芯炉腔内取出分开后，再次将所述硅芯和所述籽晶安装在所述硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；
D-2)对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空，使得所述硅芯炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙强，张邦洁，尹杏，陈辉，万烨，张晓伟，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，洛阳中硅高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11