【技术实现步骤摘要】
一种电解镀铜的铜处理装置及方法
本专利技术涉及电镀
，特别涉及一种电解镀铜的铜处理装置及方法。
技术介绍
随着IC基板(一种用于封装裸集成电路芯片的基板)和其他高端印刷电路板制造中图形密度的不断提高，在电解铜工艺形成痕迹之前以及显影后，铜籽晶层的清洗和活化难度也越来越高。另外，还需创建结构并填充连接到下一层的盲孔，这在15微米线和空间的图案设计中可以看到，但是在8微米线和空间结构下则难以观察到。为了提高激光通孔的铜籽晶层和靶板铜表面的清洁和活化效率，当前通常采用附加等离子体工艺(氧气离子体)的方法。但是这种方法仍然具有一定的缺点，例如完成等离子工艺和后续电解铜工艺之间的时间短，同时还需要额外的工艺步骤，从而导致成本增加以及工作量增多，从而可能导致出现划痕、异物污染等情况，并最终导致制造面板的产量损失。现有技术采用硫酸溶液去除表面的氧化铜层，以达到清洁铜籽晶层的目的。同时，在标准印刷电路板制造中，通常使用过氧化氢等氧化剂。但是这两种方法不能用于IC基板制造和其他仅使用约1微米厚铜籽晶层的高端生产。比如使用...
【技术保护点】
1.一种电解镀铜的铜处理装置，用于对待进行电镀的铜面面板进行预处理，其特征在于，所述铜面面板为经过干膜处理和显影处理的铜面面板，所述铜处理装置包括盛有硫酸的硫酸池，所述硫酸池中设置有用于产生臭氧的紫外线发光源，所述硫酸池中的硫酸用于与所述铜面面板发生化学反应。/n
【技术特征摘要】
1.一种电解镀铜的铜处理装置，用于对待进行电镀的铜面面板进行预处理，其特征在于，所述铜面面板为经过干膜处理和显影处理的铜面面板，所述铜处理装置包括盛有硫酸的硫酸池，所述硫酸池中设置有用于产生臭氧的紫外线发光源，所述硫酸池中的硫酸用于与所述铜面面板发生化学反应。
2.根据权利要求1所述的电解镀铜的铜处理装置，其特征在于，所述硫酸池中的硫酸浓度为1％～30％。
3.根据权利要求1所述的电解镀铜的铜处理装置，其特征在于，所述紫外线发光源的发光功率为10w～10000w。
4.根据权利要求1所述的电解镀铜的铜处理装置，其特征在于，所述紫外线发光源的发光光线的波长小于300纳米。
5.根据权利要求1所述的电解镀铜的铜处理装置，其特征在于，所述硫酸池的化学反应时间为10s～600s。
6.根据权利要求1所述的电解镀铜的铜处理装置，其特征在于，所述硫酸池内还包括一用于去除所述铜面面板上的有机干膜残留物...
【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·郎，
申请(专利权)人：鑫巨深圳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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