一种蒸发冷却微结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：在基片上表面电沉积一层第一金属，形成沉积层；将沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层；经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶；将基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光；将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；干燥后基片的沉积层的表面沉积一层第二金属；再用溶剂对多余的光刻胶进行溶解；在光刻胶溶解的位置中加入刻蚀液，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液，再经清洗、干燥，得到微结构。本发明专利技术采用电沉积方法，实现高效、快速加工大面积的微结构，实现产业化生产；能够实现在同一个基片上同时加工出多个微结构。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸发冷却微结构的制备方法
本专利技术涉及电加工
，具体地说是一种蒸发冷却微结构的制备方法。
技术介绍
Omniphobic微结构是一种开口小内部大的盲孔状结构，实际运用于超疏水超疏油表面结构，具有自清洁、防污染等一系列优异性能。传统制备超疏结构的方法包括化学腐蚀法、溶液浸泡法、溶胶凝胶法、飞秒激光加工、化学气相沉积、静电纺丝以及相关的复合加工工艺等，但上述方法大都存在诸如化学污染、超净和高度真空操作条件等问题，且制备时间长，需要繁杂的加工步骤，从而制约了其广泛的应用。上述微结构的加工方法复杂、成本高，且难以满足大面积大规模制造的需求，所以需探索新型制备方法。因此，开发出安全、高效且适合大面积大规模生产的超疏水表面微结构的制备方法具有重要意义。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种蒸发冷却微结构的制备方法，以实现高效、快速加工大面积的微结构，实现产业化生产。为了达到上述目的，本申请提供如下技术方案。一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：101、在基片上表面电沉积一层第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n101、在基片上表面电沉积一层第一金属，形成沉积层；/n102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层；/n103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶；/n104、步骤103完成后，将基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光；/n105、将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；/n106、干燥后基片的沉积层的表面沉积一层第二金属；/n107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶进行溶解；/n108、在光刻胶溶解的位置中加入刻蚀液，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液，再经清洗、...

【技术特征摘要】
1.一种蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
101、在基片上表面电沉积一层第一金属，形成沉积层；
102、将步骤101中沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层；
103、经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶；
104、步骤103完成后，将基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光；
105、将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；
106、干燥后基片的沉积层的表面沉积一层第二金属；
107、步骤106完成后，用溶剂对多余的光刻胶进行溶解；
108、在光刻胶溶解的位置中加入刻蚀液，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液，再经清洗、干燥，得到微结构。


2.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤103中光刻胶的厚度为20～40μm。


3.根据权利要求1所述的蒸发冷却微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤105中，采用去离子水进行清洗，去除残留的显影液。


4.根据权利要求1所述的蒸发冷...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐辉，
申请(专利权)人：苏州华易航动力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32