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一种二维片层材料垂直取向组装体的制备方法技术

技术编号:29096913 阅读:38 留言:0更新日期:2021-06-30 10:07
本发明专利技术的提供一种二维片层材料垂直取向组装体的制备方法,主要是通过调控相邻划痕的间距制备大面积高度垂直取向结构,同时可以获得可控取向度的二维组装体。通过本发明专利技术所述方法,可以对二维片层材料的取向结构进行精确设计和调控,可加快电容器、电池中的电解液传输性能,也可以进行高效垂直导热,在太阳能水蒸发等能源的回收与利用等领域具有极高的价值。发等能源的回收与利用等领域具有极高的价值。

【技术实现步骤摘要】
一种二维片层材料垂直取向组装体的制备方法


[0001]本专利技术属于材料领域,具体涉及一种二维片层材料大面积垂直排列组装体的调控方法及制备。

技术介绍

[0002]二维片层材料具有优异的各向异性力学、电学、光学、热学等理化性能,这些特性使二维片层材料在显示屏、传感器、高性能纤维、质子传输膜、热管理等众多领域成为研究的热点和前沿。对于二维片层材料,除了其组成的化学元素差异外,其宏观二维组装体的力学、热学等性能都主要受二维片层材料基元的取向结构影响。因此,如何精确调控和设计二维片层材料的取向制备高性能二维片层材料组装体是亟待解决的问题。
[0003]目前,现有的二维片层材料取向调控方法有冰模板法、电场取向、磁场取向、化学气象沉积等,往往工艺复杂、能耗巨大难于大面积连续化制备,难以满足高精度、高效率的应用需求。具体缺点如下:1.冰模板法是通过冰晶定向生长使二维片层材料沿着冰晶生长的方向取向,但是此方法仅适用低浓度的二维胶体,高浓度二维胶体由于内部粘滞阻力远大于冰晶生长的取向力而无法取向。
[0004]2.高频电场取向和高频磁场取向需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维片层材料垂直取向组装体的制备方法,其特征在于,该方法为:将二维片层材料配置成0.5mg/g

00mg/g的胶体分散液,利用直径在10

1000um的微针以0.001

2000毫米/秒的速度在胶体分散液中以间距x构建相同滑动方向的若干划痕,干燥后得到高度垂直取向的二维片层组装体;所述x,L为单一微针滑动在胶体分散液中产生划痕的宽度。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的若干划痕可以为单针多次滑动,也可以为排针多次划取或...

【专利技术属性】
技术研发人员:许震高超曹敏刘英军
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:

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