一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法。该工艺方法包括以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液，对洁净的氮化镓及氮化镓三元合金进行第一次钝化；第一次钝化清洗后外延生长二氧化硅或氮化硅薄膜进行第二次钝化；器件成型后以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液进行第三次钝化。使用本发明专利技术的钝化工艺有效降低氮化镓及氮化镓三元合金器件的表面漏电流和暗电流，提高器件性能。提高器件性能。提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法


[0001]本专利技术涉及氮化镓及氮化镓三元合金的表面钝化
，具体涉及一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法。

技术介绍

[0002]氮化镓禁带宽度大，热导率高，抗辐射能力强，广泛应用于功率器件、发光二极管、光电探测等领域。氮化镓及氮化镓三元合金如铟镓氮、铝镓氮等与外延衬底如蓝宝石、硅等之间有较大的晶格失配和热失配，造成这些衬底上外延生长的氮化镓及氮化镓三元合金薄膜缺陷较多，晶体质量较差，导致器件的表面漏电流和暗电流较大，器件性能较差。现有技术多通过改变外延生长条件，如选区生长、缓冲层等来改善晶体质量，或者外延二氧化硅、氮化硅等钝化层降低器件表面漏电流，但流程较为复杂，且钝化效果不明显。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对氮化镓及氮化镓三元合金器件表面缺陷过多，漏电流过大的问题，提供了一种简易且有效的氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺。
[0004]本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：
[0005](1)对氮化镓或氮化镓三元合金材料进行光刻，并外延生长电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法，其特征在于方法如下：将光刻后的氮化镓或氮化镓三元合金器件浸没在钝化液A或B中进行钝化，取出后用去离子水清洗，并用氮气吹干；外延生长二氧化硅或氮化硅钝化层；器件制备完成后再次使用钝化液A或B进行二次溶液钝化；器件钝化时的钝化温度为20℃～40℃，钝化时间为5min～30min。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法，其特征在于，所述的钝化液...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩杰，刘向阳，张燕，王玲，许金通，李向阳，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：