Nandflash内生成softbit的方法、系统、主机以及储存介质技术方案

本申请涉及Nandflash内生成softbit的方法、系统、主机以及储存介质，包括如下步骤：在控制器内设置预设区域；在预设区域内写入一组原始数据组；在控制器中建立Table并将原始数据组写入Table内；获取调节数据：调节Nandflash的基准电压为调节电压并写入Table；获取第二调节数据组；获取对比数据操作；获取对比数据组；对比数据组趋向判定操作：读取原始数据的对比数据组，并进行频数比较，并进行原始数据的稳定性判定；获取softbit：依据原始数据的稳定性判定获取softbit。本申请具有实现在不能提供softbit的Nandflash中生成softbit的效果。softbit的效果。softbit的效果。

【技术实现步骤摘要】
Nandflash内生成softbit的方法、系统、主机以及储存介质


[0001]本申请涉及Nandflash的领域，尤其是涉及Nandflash内生成softbit的方法、系统、主机以及储存介质。

技术介绍

[0002]Nandflash是一种高密度的基于闪存(flash)技术的Nandflash，有容量大，速度快的优点，但Nandflash特别是新制程的Nandflash也存在误码率较高，可靠性差，寿命短的问题。
[0003]在实际应用中就需要Nandflash控制器需要应用ECC(错误检查和纠正)来保证数据的完整性，ECC主要应用两种算法BCH与LDPC。
[0004]LDPC主要的纠错方式有两种：1、硬判决译码，即从Nandflash读取之前写入Nandflash的编码数据，直接进行解码纠错；2、软判决译码，软判决译码不仅需要读取之前写入Nandflash的编码数据，还需要Nandflash提供基于当前数据的soft bit数据，LDPC根据softbit可以优先翻转更大几率错误bit，可以大幅提高LDPC算法的纠错能力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.Nandflash内生成softbit的方法，其特征在于，包括如下步骤：在控制器内设置预设区域；在预设区域内写入一组原始数据组，其中原始数据组内包括有多个原始数据，并且每个原始数据为基于Nandflash在预设基准电压下读取到每个bit的数值；在控制器中建立Table，并将原始数据组写入Table内，其中Table用于存放数据；获取调节数据操作：调节Nandflash的基准电压且调节后的基准电压为调节电压，读取原始数据组每个bit基于调节电压下的第一调节数据组，并将第一调节数据组写入Table，其中，第一调节数据组包括多个原始数据对应的调节数据；多次执行获取调节数据操作并获取第二调节数据组；获取对比数据：将原始数据与对应的调节数据依次进行判定是否一致，基于判定结果获取对比数据，其中对比数据依据判定结果有两种；获取对比数据组：将原始数据与对应的第二调节数据组内的每个调节数据进行判定操作判定是否一致，基于多次判定结果得到原始数据对应的对比数据组，并写入Table内；对比数据组趋向判定操作：读取原始数据的对比数据组，并对比数据组中的两个对比数据数值进行频数比较，并依据频数比较进行原始数据的稳定性判定；获取softbit：依据原始数据的稳定性判定获取原始数据的softbit，并将softbit写入Table中。2.根据权利要求1所述的Nandflash内生成softbit的方法，其特征在于，在所述获取调节数据操作中，包括：多次调节基准电压：多次调节为多次增大基准电压以及多次减小基准电压；依次读取多次增大以及多次减小基准电压的每个bit的调节且记录为第二调节数据组，并将第二数据组写入Table。3.根据权利要求1所述的Nandflash内生成softbit的方法，其特征在于，在原始数据与调节数据判定操作步骤中，包括：若是原始数据与调节数据一致，表示原始数据的数值未变化，则得到对比数据数值为0，读取对比数据并将写入Table；否则得到对比数据数值为1，表示原始数据的数值变化，读取对比数据组并写入Table。4.根据权利要求3所述的Nandflash内生成softbit的方法，其特征在于， 在判断原始数据与调节数据是否变化时，判断公式为：C=A（xor）B,其中，A为读取到的原始数据的数值，B为读取到的调节数据的数值，C为对比数据的数值。5.根据权利要求4所述的Nandflash内生成so...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡来胜，陈向兵，张辉，张如宏，
申请(专利权)人：深圳三地一芯电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：