用于存储器子系统的异步功率损耗处置方法技术方案

本公开涉及用于存储器子系统的异步功率损耗处置方法。确定异步功率损耗APL事件发生。确定存储器装置的块中的第一擦除页FEP，且从所述FEP确定最后写入页LWP。从所述LWP和对应于所述LWP的对等页读取数据。将所述数据复制到所述存储器装置中的临时区域，且将写入指针递增所述块中的页的确定性数目。将来自所述临时区域的数据复制到由所述写入指针识别的所述块中的页位置，且再次将所述写入指针递增所述页的确定性数目。通知主机系统所述存储器装置准备好在所述APL事件之后的后续编程操作。置准备好在所述APL事件之后的后续编程操作。置准备好在所述APL事件之后的后续编程操作。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器子系统的异步功率损耗处置方法


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及用于存储器子系统的异步功率损耗(asynchronous power loss，APL)处置方法。

技术介绍

[0002]一种存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本公开涉及一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以执行包括以下各项的操作：确定异步功率损耗(APL)事件发生；确定所述存储器装置的块中的第一擦除页(FEP)；从所述FEP确定所述块中的最后写入页(LWP)；从所述LWP和对应于所述LWP的对等页读取数据；将来自所述LWP和所述对等页的所述数据复制到所述存储器装置中的临时区域；将所述FEP的写入指针递增所述块中的页的确定性数目；将来自所述临时区域的所述数据复制到所述块中的页位置，所述页位置由所述写入指针识别；将所述写入指针递增所述页的确定性数目；以及通知主机系统所述存储器装置准备好在所述APL事件之后的后续编程操作。
[0004]在另一方面中，本公开涉及一种方法，其包括：由处理装置确定包括所述处理装置和存储器装置的系统中发生的异步功率损耗(APL)事件；确定所述存储器装置的块中的第一擦除页(FEP)；从所述FEP确定所述块中的最后写入页(LWP)；从所述LWP读取数据且从对应于所述LWP的对等页读取额外数据；将来自所述LWP的所述数据和来自所述对等页的所述额外数据复制到所述存储器装置中的临时区域；将所述FEP的写入指针递增所述块中的页的确定性数目；将所述数据和所述额外数据从所述临时区域复制到由所述写入指针识别的所述块中的页位置；将所述写入指针递增所述页的确定性数目；以及通知主机系统所述存储器装置准备好在所述APL事件之后的后续编程操作。
[0005]在另一方面中，本公开涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置进行以下操作：确定异步功率损耗(APL)事件发生；定位存储器装置中的块的最后写入页；确定来自所述最后写入页的数据是可读或可恢复的；将来自所述最后写入页的所述数据复制到所述存储器装置中的临时区域；将写入指针递增到所述块中的空页；将所述数据从所述临时区域复制到所述空页；将所述写入指针递增到所述块中的下一空页；以及通知主机系统所述存储器装置准备好编程操作。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。
[0007]图1图解说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2图解说明根据本公开的一些实施例的检测APL事件且处置潜在受APL事件影响的页而无裕量读取操作的实例方法的流程图。
[0009]图3是根据本公开的一些实施例的检测APL事件且处置潜在受APL事件影响的页而无裕量读取操作的另一实例方法的流程图。
[0010]图4图解说明根据本公开的一些实施例的由APL处置逻辑使用而无裕量读取操作的实例块映射。
[0011]图5图解说明根据本公开的一些实施例的无裕量读取操作的APL处置的实例方法的流程图。
[0012]图6是可在其中操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。将在CN申请的34300.780(L0343CN)专利申请案
具体实施方式
[0013]本公开的方面是针对用于存储器子系统的APL处置逻辑，包含无保持电容型系统。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的示例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个存储器组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可以提供数据以存储在存储器子系统处并且可以请求从存储器子系统检索数据。
[0014]存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个示例是与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它示例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每个裸片可由一或多个平面组成。平面可分组成逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面包含一组物理块。每一块包含一组页。每一页包含一组存储器单元(“单元”)。单元是存储信息的电子电路。下文中，数据块是指用以存储数据的存储器装置的单元，且可以包含一组存储器单元、字线群组、字线或个别存储器单元。
[0015]存储器装置中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。取决于单元类型，单元可以存储二进制信息的一或多个位，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如“0”和“1”)或这些值的组合表示。存在各种类型的单元，例如单电平单元(SLC)、多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)以及四电平单元(QLC)。举例来说，SLC可存储一个信息位且具有两个逻辑状态。
[0016]大体上，常规存储器子系统可从主机系统接收执行编程操作以将数据存储于存储器装置处的请求。然而，在存储器装置的操作期间，存储器子系统可经历功率损耗，在本文中也被称为异步功率损耗(APL)或APL事件。APL是事前并没有来自主机系统的关断通知的突然且意外的功率损耗。功率损耗会影响一个或多个页。即，当在一个或多个页的数据受功率损耗影响时后续数据读取会失败。相比之下，受控关断是事先存在来自主机系统的通知的功率关断。存储器子系统完成任何未完成的写入操作且保存任何更新的数据寻址信息。在保存所有数据之后，存储器子系统向主机系统发送移除功率是安全的确认消息。
[0017]常规存储器子系统响应于APL可搜索存储器装置的块的最后写入页(last written page，LWP)，且对最后写入页执行裕量读取操作以确定APL是否造成存储器装置中
的数据丢失。可通过定位块的第一擦除页(first erased page，FEP)确定块的LWP。FEP可为可用于在页的顺序映射中编程的下一页，所述顺序映射受存储器子系统的控制器管理。LWP是顺序映射中在FEP之前的页。FEP可为与已经编程的其它页共享同一字线的打开页。类似地，打开块是其中作为同一块的部分的其它页尚未经编程的打开块。裕量读取操作是一组一或多个经擦除页检查、一组一或多个经编程页检查，或其任何组合。裕量读取操作可在读取裕量类型算法中实施。裕量读取算法可包含一组一或多个读取操作，其使用不同裕量读取参考设定来评估页是经擦除还是经编程。举例来说，为了确定LWP是否经编程，裕量读取使用比由正常读取操作用于读取页的默认读取参考电平大的裕量读取参考设定。可通过使读取电压电平偏移某一量的毫伏来移动读取参考电平。如果裕量读取成功，那么LWP是正常写入页(例如，作为不受APL影响的页)且存储器装置中的所有数据经恢复。如果裕量读本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以执行包括以下各项的操作：确定异步功率损耗APL事件发生；确定所述存储器装置的块中的第一擦除页FEP；从所述FEP确定所述块中的最后写入页LWP；从所述LWP和对应于所述LWP的对等页读取数据；将来自所述LWP和所述对等页的所述数据复制到所述存储器装置中的临时区域；将所述FEP的写入指针递增所述块中的页的确定性数目；将来自所述临时区域的所述数据复制到所述块中的页位置，所述页位置由所述写入指针识别；将所述写入指针递增所述页的确定性数目；以及通知主机系统所述存储器装置准备好在所述APL事件之后的后续编程操作。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置用以进一步执行包括以下各项的操作：确定来自所述LWP的所述数据和来自所述对等页的额外数据是否为可读的、可恢复的或不可恢复的，响应于来自所述LWP的所述数据和来自所述对等页的所述额外数据是可读且可恢复的确定，读取所述数据，将所述数据复制到所述临时区域，且递增所述写入指针；或响应于来自所述LWP的所述数据或来自所述对等页的所述额外数据是不可恢复的确定，在所述LWP和所述对等页上写入第一虚设数据，且在所述FEP和对应于所述FEP的对等页上写入第二虚设数据；以及将所述写入指针递增所述页的确定性数目。3.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述FEP进一步包括逻辑地搜索所述块中的所述FEP，其中所述写入指针对应于在被递增所述页的确定性数目之前的所述FEP的逻辑地址。4.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述LWP进一步包括从所述FEP的逻辑地址减去所述页的确定性数目以获得所述LWP的逻辑地址。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置用以进一步执行包括以下各项的操作：从所述LWP和对应于所述LWP的所述对等页丢弃原始数据，通知所述主机系统所述存储器装置准备好在所述APL事件之后的所述后续编程操作；以及从所述FEP和对应于所述FEP的所述对等页丢弃原始数据，然后通知所述主机系统所述存储器装置准备好在所述APL事件之后的所述后续编程操作。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器装置包括单电平单元，且其中所述块中的所述页的确定性数目是一。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器装置包括多电平单元，且其中所述块中的所述页的确定性数目是二。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器装置包括三电平单元TLC，且其中所述块中的所述页的确定性数目是三。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器装置包括四电平单元QLC，且其中所述块中的所述页的确定性数目是四。10.一种方法，其包括：由处理装置确定包括所述处理装置和存储器装置的系统中发生的异步功率损耗APL事件；确定所述存储器装置的块中的第一擦除页FEP；从所述FEP确定所述块中的最后写入页LWP；从所述LWP读取数据且从对应于所述LWP的对等页读取额外数据；将来自所述LWP的所述数据和来自所述对等页的所述额外数据复制到所述存储器装置中的临时区域；将所述FEP的写入指针递增所述块中的页的确定性数目；将所述数据和所述额外数据从所述临时区域复制到由所述写入指针识别的所述块中的页位置；将所述写入指针递增所述页的确定性数目；以及通知主机系统所述存储器装置准备好在所述APL事件之后的后续编程操作。11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：确定来自所述LWP的所述数据和来...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：