具有基极链路区的半导体装置及其方法制造方法及图纸

一种半导体装置包括半导体衬底和在所述半导体衬底内形成的集电极区。包括第一基极区和第二基极区的基极区在所述集电极区上方形成。非本征基极区横向邻近于所述第二基极区形成且耦合到所述第二基极区。基极链路区安置成接近于所述第二基极区，其中所述基极链路区将所述非本征基极侧壁耦合到所述第二基极区。一种用于形成半导体装置的方法包括：在所述半导体衬底内形成所述集电极区；在所述集电极区上方形成多个电介质层；在所述集电极区上方形成非本征基极层；蚀刻发射极窗口；在所述集电极区上方形成所述第一基极区；在所述第一基极区上方形成所述第二基极区，其中形成所述第二基极区包括形成所述基极链路区。极区包括形成所述基极链路区。极区包括形成所述基极链路区。

【技术实现步骤摘要】
具有基极链路区的半导体装置及其方法


[0001]本文中所描述的主题的实施例大体上涉及半导体装置，包括双极结晶体管(BJT)和异质结双极晶体管(HBT)。

技术介绍

[0002]半导体装置应用于各种电子组件和系统中。此外，适用于射频(RF)、微波和毫米波应用的半导体装置可以包括BJT、HBT和相关装置。具体地，HBT由于其快速传送时间、高截止频率、高增益和良好线性特性而适用于高频率应用。这些HBT充当有源增益元件且在RF、微波和毫米波功率放大器、振荡器以及其它有用的电子组件中用作有源装置。在这些装置的这些和其它应用中，需要减小基极电阻。对于这些应用而言，减小基极电阻对于实现更高的最大振荡频率(f
max
)和改善频率响应来说是重要的。f
max
的值与基极电阻(Rb)和集电极结电容(C
jc
)成反比。常规的BJT和HBT结构均在本征上折衷R
b
和集电极结电容C
jc
。因此，需要R
b
和C
jc
较小的半导体装置，包括BJT和HB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；集电极区，所述集电极区在所述半导体衬底内形成，具有上表面和集电极侧壁；基极区，所述基极区包括安置在所述集电极区上方的第一基极区和安置在所述第一基极区上方且耦合到所述第一基极区的第二基极区；非本征基极区，所述非本征基极区包括上表面、下表面和横向邻近于所述基极区形成且耦合到所述基极区的非本征基极侧壁；以及基极链路区，所述基极链路区安置成接近于所述第二基极区且耦合到所述第二基极区，其中所述基极链路区将所述非本征基极侧壁耦合到所述第二基极区。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括安置在所述非本征基极侧壁的至少部分上方的第一间隔电介质层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，另外包括在所述第一间隔电介质层中形成的非本征基极开口，其中所述非本征基极开口包括所述非本征基极侧壁的部分。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述基极链路区在所述非本征基极开口的至少部分内形成。5.根据权利要求4所述的晶体管装置，其特征在于，所述基极链路区的部分在基极链路腔体内形成，所述基极链路腔体在所述非本征基极开口与安置在所述第一间隔电介质层上方的第二间隔电介质层之间形成。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，另外包括在所述非本征基极区的所述下表面下方且在所述集电极区的部分上方形成的第一电介质层，其中所述第一电介质层的部分在所述第一基极区与所述非本征基极区之间形成。7.根据权利要求6所述的晶体管装置，其特征在于，另外包括安置成横向邻近所述基极区、在所述非本征基极区下方的多个电介质层，其中所述多个电介质层中的每一个电介质层的部分安置在所述集电极区的部分与所述非本征基极区之间。8.根据权利要求7所述的晶体管装置，其特征在于，所述多个电介质层包括具有在所述集电极区的部分上方形成的部分的第一电介质层，以及在所述第一电介质层下方形成的第二电介质层。9.一种双极晶体管装置，其特征在于，包括：半导体衬底；集电极区，所述集...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳博，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：