软磁性合金粉末、磁芯、磁性部件和电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种能够得到磁导率良好的磁芯的软磁性合金粉末。本发明专利技术的软磁性合金粉末具有Co的含量多的特定的组成。软磁性合金粉末具有玻璃化转变温度Tg和熔点Tm，并且900℃≤Tm≤1200℃，或者将向软磁性合金粉末施加压力X

【技术实现步骤摘要】
软磁性合金粉末、磁芯、磁性部件和电子设备


[0001]本专利技术涉及软磁性合金粉末、磁芯、磁性部件和电子设备。

技术介绍

[0002]近年来，在电子、信息和通信设备等、特别是电子设备中需求低耗电化和高效率化。另外，面向低碳化社会，上述需求更加强烈。因此，在电子、信息和通信设备等、特别是电子设备的电源回路中也需求能量损失的降低和电源效率的提升。
[0003]因此，为了能量损失的降低和电源效率的提升，需要得到软磁特性优异并且在用于磁芯时能够提高填充率的软磁性合金粉末。
[0004]专利文献1中记载了一种改善了沃德尔球形度的软磁性金属粉末。并且，还记载了通过改善球形度能够制造优异的功率电感器的内容。
[0005]专利文献2中记载了一种Co系的非晶质合金薄带。并且，记载了通过使S的含量在30ppm以下并使Al的含量在40ppm以下，磁导率和矩形比提升的内容。
[0006]另外，作为以高密度填充软磁性合金粉末的方法，已知专利文献3、4所记载的方法是有效的。
[0007]专利文献3中记载了通过使用球形度高的软磁性合金粉末能够制造相对磁导率优异的电感器的内容。
[0008]专利文献4中记载了通过使用粒径不同的2种颗粒并且使2种颗粒的粒径比在特定的范围内，能够以高密度填充颗粒，并且相对磁导率提升的内容。
[0009]现有技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1：日本特开2016－25352号公报
[0012]专利文献2：日本特开平3－173750号公报
[0013]专利文献3：日本特开2010－212442号公报
[0014]专利文献4：日本特开2011－192729号公报

技术实现思路

[0015]专利技术所要解决的技术问题
[0016]本专利技术的目的在于提供一种能够得到磁导率良好的磁芯的软磁性合金粉末。
[0017]用于解决技术问题的技术方案
[0018]为了实现上述目的，本专利技术的第一方面所涉及的软磁性合金粉末具有由组成式(Co
(1－(α+β))
X1
α
X2
β
)
(1－(a+b+c+d+e+f))
M
a
B
b
P
c
Si
d
Cr
e
S
f
(原子数比)构成的主要成分，其中，
[0019]X1为选自Fe和Ni中的1种以上，
[0020]X2为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Bi、N、O、C和稀土元素中的1种以上，
[0021]M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti和V中的1种以上，
[0022]0＜a≤0.140，
[0023]0.160＜b≤0.250，
[0024]0≤c≤0.200，
[0025]0≤d≤0.250，
[0026]0≤e≤0.030，
[0027]0≤f≤0.010，
[0028]0.160＜b+c+d+e+f≤0.430，
[0029]0.500＜1－(a+b+c+d+e+f)＜0.840，
[0030]α≥0，
[0031]β≥0，
[0032]0≤α+β＜0.50，
[0033]上述软磁性合金粉末具有玻璃化转变温度Tg和熔点Tm，
[0034]并且900℃≤Tm≤1200℃。
[0035]本专利技术的第一方面所涉及的软磁性合金粉末所含的粉末颗粒的平均圆形度可以为0.93以上，上述粉末颗粒的从圆形度最低起至0.50的累积个数比例可以为2.0％以下。
[0036]本专利技术的第一方面所涉及的软磁性合金粉末所含的粉末颗粒的平均圆形度可以为0.95以上，并且上述粉末颗粒的从圆形度最低起至0.50的累积个数比例可以为1.5％以下。
[0037]本专利技术的第一方面所涉及的软磁性合金粉末中Co的含有比例除以B的含有比例所得到的值可以大于2.000且小于5.000。
[0038]本专利技术的第一方面所涉及的软磁性合金粉末可以具有非晶质。
[0039]本专利技术的第一方面所涉及的软磁性合金粉末可以具有纳米结晶。
[0040]为了实现上述目的，本专利技术的第二方面所涉及的软磁性合金粉末具有由组成式(Co
(1－(α+β))
X1
α
X3
β
)
(1－(a+b+c+d+e))
M
a
B
b
P
c
Si
d
Cr
e
(原子数比)构成的主要成分，其中，
[0041]X1为选自Fe和Ni中的1种以上，
[0042]X3为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Bi、N、O、C、S和稀土元素中的1种以上，
[0043]M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti和V中的1种以上，
[0044]0＜a≤0.140，
[0045]0.160＜b≤0.250，
[0046]0≤c≤0.200，
[0047]0≤d≤0.250，
[0048]0≤e≤0.030，
[0049]0.160＜b+c+d+e≤0.430，
[0050]0.500＜1－(a+b+c+d+e)＜0.840，
[0051]α≥0，
[0052]β≥0，
[0053]0≤α+β＜0.50，
[0054]将向上述软磁性合金粉末施加压力X
P
时的矫顽力设为Y
H
，将利用最小二乘法对X
P
与Y
H
的关系进行线形近似而得到的直线表示为Y
H
＝kX
P
+l时，k(单位：Oe/MPa)为0≤k≤0.00100。
[0055]本专利技术的第二方面所涉及的软磁性合金粉末可以具有包含非晶质的结构。
[0056]本专利技术的第二方面所涉及的软磁性合金粉末可以具有包含异质非晶(Hetero amorphous)的结构。
[0057]本专利技术的第二方面所涉及的软磁性合金粉末可以具有包含纳米结晶的结构。
[0058]以下的记载是第一方面所涉及的软磁性合金粉末和第二方面所涉及的软磁性合金粉末共用的记载。
[0059]本专利技术所涉及的软磁性合金粉末的非晶质化率X可以为85％以上。
[0060]本专利技术所涉及的磁芯含有上述的软磁性合金粉末。
[0061]本专利技术所涉及的磁性部件含有上述的软磁性合金粉末。
[0062]本专利技术所涉及的电子设备含有上述的软磁性合金粉末。
附图说明
[0063]图1是利用X射线结晶结构解析得到的图形的一例。
[0064]图2是通过对图1的图形进行图形拟合而得到的图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种软磁性合金粉末，其特征在于：具有以原子数比表示的组成式(Co
(1－(α+β))
X1
α
X2
β
)
(1－(a+b+c+d+e+f))
M
a
B
b
P
c
Si
d
Cr
e
S
f
所构成的主要成分，X1为选自Fe和Ni中的1种以上，X2为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Bi、N、O、C和稀土元素中的1种以上，M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti和V中的1种以上，0＜a≤0.140，0.160＜b≤0.250，0≤c≤0.200，0≤d≤0.250，0≤e≤0.030，0≤f≤0.010，0.160＜b+c+d+e+f≤0.430，0.500＜1－(a+b+c+d+e+f)＜0.840，α≥0，β≥0，0≤α+β＜0.50，所述软磁性合金粉末具有玻璃化转变温度Tg和熔点Tm，并且900℃≤Tm≤1200℃。2.如权利要求1所述的软磁性合金粉末，其特征在于：所述软磁性合金粉末所含的粉末颗粒的平均圆形度为0.93以上，并且所述粉末颗粒的从圆形度最低起至0.50的累积个数比例为2.0％以下。3.如权利要求1所述的软磁性合金粉末，其特征在于：所述软磁性合金粉末所含的粉末颗粒的平均圆形度为0.95以上，并且所述粉末颗粒的从圆形度最低起至0.50的累积个数比例为1.5％以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的软磁性合金粉末，其特征在于：Co的含有比例除以B的含有比例所得到的值大于2.000且小于5.000。5.如权利要求1～3中任一项所述的软磁性合金粉末，其特征在于：非晶质化率...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶浦良纪，长谷川晓斗，吉留和宏，松元裕之，熊冈广修，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：