本发明专利技术提供一种具阻绝结构的、串接式钙钛矿光电元件及其制造方法，该钙钛矿光电元件是在基板上依序设置有电极层、光电模块以及导电层，电极层具有间隔设置的第一电极与第二电极，光电模块由下载子传输层、上载子传输层，以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成，且上载子传输层于靠近第二电极侧方延伸有遮蔽部覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方，使导电层与第二电极形成电性连接时，避免导电层与钙钛矿主动层产生接触，进而可防止钙钛矿主动层与导电层的变质，改善钙钛矿光电元件的效能与使用寿命，以及保持美观。持美观。持美观。
【技术实现步骤摘要】
具阻绝结构的、串接式钙钛矿光电元件及其制造方法
[0001]本专利技术涉及一种具阻绝结构的钙钛矿光电元件、串接式钙钛矿光电元件以及串接式钙钛矿光电元件的制造方法，尤指可避免钙钛矿主动层与导电层接触，而导致材料变质以及元件失效的钙钛矿光电元件、串接式钙钛矿光电元件以及串接式钙钛矿光电元件的制造方法。
技术介绍
[0002]钙钛矿光电材料近年发展迅速，因其具有良好的光学性质与电性，可被用来制作具低成本且高功能性的光电元件，包括太阳能电池、发光二极管或光感测器等。
[0003]然而，制作钙钛矿光电元件所使用的导电层，常见的为金属材料如Au、Ag、Cu、Al、Ca等，会与钙钛矿光电模块的主动层之间有物质与离子扩散现象，导致材料变质，进而造成元件失效。尤其在放大制成模块元件时，导电层于主动层的边缘处会有更大面积的接触，不仅更严重地导致元件失效，也会造成上导电层因变质而改变外观，这使光电元件的效能与外观造成不良的影响。
[0004]是以，要如何有效防止导电层与钙钛矿主动层直接接触，避免钙钛矿主动层与导电层的变质，即为相关业者所亟欲改善的课题所在。
技术实现思路
[0005]本专利技术的主要目的乃在于，利用光电模块的上载子传输层所延伸的遮蔽部，来覆盖光电模块的下载子传输层与钙钛矿主动层侧方，避免导电层与电极层电性连接时，导电层与钙钛矿主动层产生接触，进而可防止钙钛矿主动层与导电层的变质，如此改善钙钛矿光电元件的效能与使用寿命，以及保持美观。
[0006]本专利技术的次要目的在于，除了凭借遮蔽部防止导电层与钙钛矿主动层产生接触，进一步利用阻绝层更加确保导电层与钙钛矿主动层不会产生接触。
[0007]为达上述目的，本专利技术的钙钛矿光电元件是在基板上设置有电极层、光电模块以及导电层，基板是以透光且绝缘的材质所制成，具有入光面以及出光面；电极层具有第一电极与第二电极间隔设置于基板的出光面表面；光电模块由下载子传输层、上载子传输层，以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成，且下载子传输层覆盖于前述电极层的第一电极表面，而上载子传输层于靠近第二电极侧方延伸有遮蔽部，遮蔽部朝向电极层延伸，并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方；导电层覆盖于前述光电模块的上载子传输层表面，导电层于靠近第二电极侧方延伸有导通部，并与电极层的第二电极形成电性连接，且导通部覆盖于光电模块的遮蔽部表面。
[0008]前述具阻绝结构的钙钛矿光电元件，其中该光电模块的上载子传输层与导电层之间进一步设置有阻绝层，阻绝层位于上载子传输层靠近遮蔽部的侧方，且阻绝层一侧延伸有阻绝部，阻绝部位于导通部与遮蔽部之间。
[0009]本专利技术再一具体实施方式的串接式钙钛矿光电元件是在基板上设置有电极层、复
数个光电模块以及复数个导电层，基板是以透光且绝缘的材质所制成，具有入光面以及出光面；电极层具有第一电极与第二电极间隔设置于基板的出光面表面；光电模块由下载子传输层、上载子传输层，以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成，各光电模块的下载子传输层分别位于前述电极层的第一电极与第二电极表面，使两相邻的光电模块之间形成有导通空间，并使第二电极一端延伸有位于导通空间内的导通部，而各光电模块的上载子传输层于靠近导通空间的侧方延伸有遮蔽部，遮蔽部朝向电极层延伸，并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方；导电层分别覆盖于前述光电模块的上载子传输层表面，且位于电极层的第一电极上方的导电层侧方延伸有导通部，导通部位于导通空间内，并与第二电极形成电性连接，且导通部覆盖于第一电极上方的光电模块所设置的遮蔽部表面。
[0010]前述具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件，其中该电极层的第一电极上方的光电模块，其上载子传输层与导电层之间进一步设置有阻绝层，阻绝层位于上载子传输层靠近遮蔽部的侧方，且阻绝层一侧延伸有阻绝部，阻绝部位于导通部与遮蔽部之间。
[0011]前述具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件，其中该电极层的第二电极上方的光电模块，其遮蔽部与导通部之间形成有间距。
[0012]本专利技术串接式钙钛矿光电元件的制造方法，依照下列步骤进行制造：
[0013](A)取一以透光且绝缘的材质所制成的基板，于该基板的出光面上设置出电极层，并将电极层图形化，使其形成有间隔的第一电极与第二电极；
[0014](B)于电极层表面，依序设置出下载子传输层与钙钛矿主动层；
[0015](C)对下载子传输层与钙钛矿主动层进行图形化，进而形成有提供第二电极露出下载子传输层与钙钛矿主动层的导通空间；
[0016](D)于钙钛矿主动层表面设置出上载子传输层，且上载子传输层于靠近导通空间的侧方延伸有遮蔽部，遮蔽部位于导通空间内，并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方；
[0017](D)于上载子传输层表面设置导电层，且导电层侧方延伸有导通部，导通部位于导通空间内并与第二电极形成电性连接；
[0018](E)将位于第二电极上方的导电层图形化，使其形成有断路空间，让第一电极上方的导电层与第二电极电性连接形成串接状。
[0019]前述具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件的制造方法，其中该钙钛矿主动层表面设置出上载子传输层以及遮蔽部后，先于上载子传输层靠近遮蔽部的侧方设置阻绝层，以及阻绝层一侧延伸且覆盖遮蔽部的阻绝部，再进行导电层的设置，使导电层覆盖于上载子传输层与阻绝层表面，以及导通部覆盖于阻绝部表面。
[0020]与现有技术相比较，本专利技术具有的有益效果是：导电层与第二电极形成电性连接时，能够避免导电层与钙钛矿主动层产生接触，进而可防止钙钛矿主动层与导电层的变质，改善钙钛矿光电元件的效能与使用寿命，以及保持美观。
附图说明
[0021]图1是本专利技术钙钛矿光电元件的示意图。
[0022]图2是本专利技术钙钛矿光电元件又一具体实施方式的示意图。
[0023]图3是本专利技术串接式钙钛矿光电元件的示意图。
[0024]图4是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(一)。
[0025]图5是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(二)。
[0026]图6是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(三)。
[0027]图7是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(四)。
[0028]图8是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(五)。
[0029]图9是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(六)。
[0030]图10是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(七)。
[0031]图11是本专利技术制作串接式钙钛矿光电元件的流程示意图(八)。
[0032]附图标记说明：1-基板；11-入光面；12-出光面；2-电极层；21-第一电极；22-第二电极；3-光电模块；31-下载子传输层；32-上载子传输层；321-遮蔽部；33-钙钛矿主动层；4-导电层；41-导通部；5-阻绝层；51-阻绝部；6-导通空间；7-断路本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具阻绝结构的钙钛矿光电元件，其特征在于，该钙钛矿光电元件是在基板上设置有电极层、光电模块以及导电层，其中：该基板是以透光且绝缘的材质所制成，具有入光面以及出光面；该电极层具有第一电极与第二电极，该第一电极与第二电极间隔设置于基板的出光面表面；该光电模块由下载子传输层、上载子传输层、以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成，且下载子传输层覆盖于前述电极层的第一电极表面，而上载子传输层于靠近第二电极侧方延伸有遮蔽部，遮蔽部朝向电极层延伸，并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方；该导电层覆盖于前述光电模块的上载子传输层表面，导电层于靠近第二电极侧方延伸有导通部，并与电极层的第二电极形成电性连接，且导通部覆盖于光电模块的遮蔽部表面。2.如权利要求1所述具阻绝结构的钙钛矿光电元件，其特征在于：该光电模块的上载子传输层与导电层之间还设置有阻绝层，阻绝层位于上载子传输层靠近遮蔽部的侧方，且阻绝层一侧延伸有阻绝部，阻绝部位于导通部与遮蔽部之间。3.一种具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件，其特征在于，该钙钛矿光电元件是在基板上设置有电极层、复数个光电模块以及复数个导电层，其中：该基板是以透光且绝缘的材质所制成，具有入光面以及出光面；该电极层具有第一电极与第二电极，该第一电极与第二电极间隔设置于基板的出光面表面；该光电模块由下载子传输层、上载子传输层、以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成，各光电模块的下载子传输层分别位于前述电极层的第一电极与第二电极表面，使两相邻的光电模块之间形成有导通空间，并使第二电极一端延伸有位于导通空间内的导通部，而各光电模块的上载子传输层于靠近导通空间的侧方延伸有遮蔽部，遮蔽部朝向电极层延伸，并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方；该导电层分别覆盖于前述光电模块的上载子传输层表面，且位于电极层的第一电极上方的导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：施彦辰，黄琬瑜，柯崇文，
申请(专利权)人：位速科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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