用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂及其制备方法，该粘结剂的组分及其摩尔百分比为：铋化合物10

【技术实现步骤摘要】
用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂及其制备方法


[0001]本专利技术属于材料
，尤其涉及一种用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]IGBT等功率半导体器件是大功率电子设备的关键器件，承担着电能转换和控制的作用，主要包含芯片、绝缘陶瓷基板和热沉等几部分。绝缘陶瓷基板具有导热和绝缘的重要作用，但陶瓷基板与芯片不能直接连接，需要先对陶瓷基板进行表面金属化处理。厚膜法具有工艺简单、成本低等优点，是目前最常见的陶瓷表面金属化方法之一。用于厚膜法的导电浆料主要由导电金属粉(如银或铜等)、有机载体和玻璃粘接剂组成，其中玻璃粘接剂起到了导电浆料烧结后连接导电金属膜和陶瓷基板的作用，使导电金属膜与基板紧密结合，同时当导电浆料烧结时，玻璃粘接剂发生软化并填充导电金属粉的间隙，促进导电金属粉体的烧结致密化，降低烧结后导电金属膜的气孔率和表面粗糙度，提高导电金属膜的导电性和可焊性。因此导电浆料中的玻璃粘接剂对提高陶瓷基板表面厚膜金属化的性能和可靠性具有重要作用。目前市面上常见的玻璃粘接剂难以实现导电浆料在氮化硅陶瓷基板上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂，其特征在于：其组分及其摩尔百分比为：铋化合物10
‑
55%，硼化合物15
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50%，锌化合物10
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40%。2.根据权利要求1所述的用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂，其特征在于：其组分及其摩尔百分比为：铋化合物15
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46.7%，硼化合物33.3
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50%，锌化合物20
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35%。3.根据权利要求1或2所述的用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂，其特征在于：所述铋化合物为Bi2O3，所述硼化合物为B2O3、H3BO3中的至少一种，所述锌化合物为ZnO。4.根据权利要求3所述的用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂，其特征在于：其粒径为1
‑
2μm。5.一种如权利要求1~4任意一项所述的用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：步骤S1，按照比例称量各原料，将原料进行初步混合，加入溶剂进行混合；步骤S2，将混合后的溶液烘干，然后研磨得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉峰，牛国强，林怡璇，李明雨，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳，
类型：发明
国别省市：