一种高性能带隙基准的低功耗电压源制造技术

本发明专利技术提出一种高性能带隙基准的低功耗电压源，包括：第一启动电路，连接第三亚阈电流产生电路，并接收第六后置反馈电路输出端产生的后置反馈信号；第二前置控制电路，产生第一前置控制信号和第二前置控制信号；第三亚阈电流产生电路，分别连接至第四负温度系数电路和第五正温度系数电路；第二前置控制信号发送至所述第三亚阈电流产生电路的输出端，与所述第三亚阈电流产生电路的输出信号加权后，作为第四负温度系数电路和第五正温度系数电路的输入；第四负温度系数电路和第五正温度系数电路各自的输出信号经加权电路处理后，作为电压源的输出信号Vref。本发明专利技术通过MOS管亚阈工作，使整体功耗降低，还具备了较好的温度系数。还具备了较好的温度系数。还具备了较好的温度系数。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能带隙基准的低功耗电压源


[0001]本专利技术属于电路
，尤其涉及一种高性能带隙基准的低功耗电压源。

技术介绍

[0002]带隙基准电路是每个模拟电路的核心组成部分之一。带隙基准的输出电压要求不随电源电压的变化而变化，为后续模块提供稳定的输入电压和电流。理想的基准电压源应不受电源和温度的影响，在电路中能够提供稳定的电压，“基准”这一术语正说明基准电压源的数值。一般情况下，可用电阻分压作为基准电压，但它只能作为放大器的偏置电压或提供放大器的工作电流。这主要是由于其自身没有稳压作用，故输出电压的稳定性完全依赖于电源电压的稳定性。另外，也可用二极管的正向压降作为基准电压，它可克服上述电路的缺点，得到不依赖于电源电压的恒定基准电压，但其电压的稳定性并不高，且温度系数是负的。
[0003]通常0.18m工艺的内部电源电压为1.8V，而45nm工艺的内部电源电压仅为1.1V。传统带隙基准输出电压只能固定在1.2V左右，否则其温度系数将非常差。而传统带隙基准的输出电压1.2V已经高于45nm工艺的1.1V电源电压了，在45nm工艺条件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能带隙基准的低功耗电压源，包括第一启动电路、第二前置控制电路、第三亚阈电流产生电路、第四负温度系数电路、第五正温度系数电路以及第六后置反馈电路；其特征在于：所述第一启动电路的输出端连接所述第三亚阈电流产生电路，并接收所述第六后置反馈电路从所述电压源输出端产生的后置反馈信号；所述第二前置控制电路产生第一前置控制信号和第二前置控制信号；所述第一前置控制信号发送至所述第一启动电路的输出端，与所述第一启动电路的输出信号加权后，作为所述第三亚阈电流产生电路的输入；所述第三亚阈电流产生电路的输出端分别连接至所述第四负温度系数电路和第五正温度系数电路；所述第二前置控制信号发送至所述第三亚阈电流产生电路的输出端，与所述第三亚阈电流产生电路的输出信号加权后，作为所述第四负温度系数电路和第五正温度系数电路的输入；所述第四负温度系数电路和第五正温度系数电路各自的输出信号经加权电路处理后，作为所述电压源的输出信号Vref。2.如权利要求1所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：所述第一启动电路包括第一至第十晶体管M1
‑
M10；第一晶体管M1连接至电压源VDD，并且通过源极连接至所述第二前置控制电路、第四晶体管M4的栅极以及第七晶体管M7的源极；第二晶体管M2的栅极连接至第一晶体管M1的漏极以及第三晶体管M3的栅极；第三晶体管M3的漏极与第四晶体管的漏极、栅极以及第五晶体管M5的漏极连接；所述第五晶体管M5通过栅极连接至第八晶体管M8与第十晶体管M10；所述第五晶体管M5还通过源极连接至第六晶体管M6的漏极；所述第六晶体管M6与第九晶体管M9通过栅极对接，第九晶体管M9与所述第十晶体管通过源极对接；所述第一启动电路通过所述第十晶体管M10的栅极接收所述第六后置反馈电路发送的后置反馈信号；所述第一启动电路通过所述第七晶体管M7的栅极与所述第三亚阈电流产生电路连接。3.如权利要求1所述的一种高性能带隙基准的低功耗电压源，其特征在于：所述第二前置控制电路包括第一PMOS管M11、第三PMOS管M13、第五PMOS管M15、第二NMOS管M12、第四NMOS管M1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明，焦炜杰，杨金权，王新安，
申请(专利权)人：江苏润石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：