【技术实现步骤摘要】
一种用于承载硅片的硅胶层的制备工艺方法
[0001]本专利技术涉及硅片基座承载膜
，具体涉及一种用于承载硅片的硅胶层的制备工艺方法。
技术介绍
[0002]硅片是半导体领域中必不可少的核心产品，在硅片的加工过程中，需要依托基座作为载具，一般的基座是金属材质的，常见为铝板，如果直接将硅片与基座直接接触，容易导致硅片划伤损坏，同时一般金属基座表面不会太平整，容易导致硅片接触不均匀，容易导致硅片损坏，另外硅片与金属基座接触面积较小，也不利于散热，因此为了避免上述问题，现有技术在金属基座上附有一层膜来避免这种情况。
[0003]但是在实际使用的过程中存在下列问题：
[0004]一、在金属基座上覆膜之后，导致散热效率低下，容易导致硅片在加工的过程中温度过高，通常需要将硅片温度控制在80摄氏度以下，如果超过80摄氏度，容易损坏硅片。
[0005]二、传统的金属基座上的膜在一端时间使用后容易出现损坏，需要翻新修复，然而这些技术都被国外垄断，因此如果需要翻新修复的话，需要支付高额的费用以及很长的周期。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于承载硅片的硅胶层的制备工艺方法，其特征在于：包括如下配方，硅胶80
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120份，防粘结油8
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12份，石墨粉0.1
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0.3份；具体的制备工艺，包括如下步骤：步骤一，混合处理：将硅胶、防粘结油和石墨粉以特定比例搅拌混合均匀；步骤二，粘接处理：在基座上喷涂加强粘接的喷涂剂，并将步骤一形成的硅胶混合物均匀的涂抹在基座上；步骤三，烘干处理：在硅胶层的上端放置隔板，然后在隔板上端以及基座下端同时放置加热板，在一定的压力和温度下并保持20
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40分钟，对硅胶层进行烘干处理，即可完成硅胶层的加工工艺。2.如权利要求1所述的一种用于承载硅片的硅胶层的制备工艺方法，其特征在于：所述基座为铝制材料。3.如权利要求1所述的一种用于承载硅片的硅胶层的制备工艺方法，其特征在于：所述步骤二中，在硅胶混合物上设置多个与限位片相配套的圆孔，并将特定厚度的限位片置于圆孔中。4.如权利要求1所述的一种用于承载硅片的硅胶层的制备工艺方法，其特征在于：所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢娇，
申请(专利权)人：无锡赛思一科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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