【技术实现步骤摘要】
双工器及其制作方法、多工器
[0001]本专利技术实施例涉及通信
，尤其涉及一种双工器及其制作方法、多工器。
技术介绍
[0002]声波滤波器在通信领域应用广泛，随着近年来的通信设备小型化和高性能趋势的加快，给射频前端提出了更高的挑战，如何减小芯片尺寸成为亟待解决的问题。
[0003]双工器包括声波滤波器，具体的，现有双工器通常包括发射滤波器和接收滤波器，双工器的作用是在频分通讯系统中，通过一个天线共享信号的发射和接收，通过内部的发射端滤波器和接收端滤波器进行信号的过滤选择等处理。传统的双工器以体声波薄膜谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，以下简称 FBAR)、声表面波(Surface Acoustic Wave，以下简称SAW)谐振器为基础，分别构造了用FBAR滤波器搭建的双工器和用SAW滤波器搭建的双工器。然而，随着通讯频率的不断提高，SAW滤波器由于本身结构和声表面波性质的限制，中心频率只能到达2GHz左右，满足不了5G的通讯频率要求。FBAR滤波器中心频率能够到达5G频段，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双工器，其特征在于，包括：发射滤波器、接收滤波器和密封圈；所述发射滤波器和所述接收滤波器集成在同一衬底上；所述密封圈与所述发射滤波器、所述接收滤波器设置于所述衬底的同一侧；所述发射滤波器和所述接收滤波器共用所述密封圈，所述密封圈包括设置于所述发射滤波器和所述接收滤波器外围的外围密封框体，所述密封外围密封框体环绕所述发射滤波器和所述接收滤波器。2.根据权利要求1所述的双工器，其特征在于，所述发射滤波器包括多个谐振器单元，所述接收滤波器包括多个谐振器单元；所述双工器还包括基板；所述基板的表面包括第一设定区域和第二设定区域，所述第一设定区域和所述第二设定区域无交叠；所述发射滤波器的所述谐振器单元聚集分布在所述第一设定区域中，所述接收滤波器的所述谐振器单元聚集分布在所述第二设定区域中。3.根据权利要求2所述的双工器，其特征在于，所述密封圈还包括分隔结构，所述分隔结构连接所述外围密封框体并与所述外围密封框体形成第一子密封框体和第二子密封框体，所述第一子密封框体环绕所述发射滤波器，所述第二子密封框体环绕所述接收滤波器。4.根据权利要求1所述的双工器，其特征在于，所述发射滤波器包括多个谐振器单元，所述接收滤波器包括多个谐振器单元；所述双工器还包括基板；所述发射滤波器的所述谐振器单元和所述接收滤波器的所述谐振器单元穿插分布在所述基板的表面。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的双工器，其特征在于，还包括盖板，所述盖板位于所述密封圈、所述发射滤波器和所述接收滤波器远离所述衬底的一侧；所述盖板、所述密封圈和所述衬底形成密封结构，所述发射滤波器和所述接收滤波器位于所述密封结构内。6.根据权利要求5所述的双工器，其特征在于，在所述双工器的厚度方向上，所述密封圈的尺寸大于所述发射滤波器的尺寸，且所述密封圈的尺寸大于所述接收滤波器的尺寸。7.根据权利要求2
‑
4任一项所述的双工器，其特征在于，包括所述衬底，以及自所述衬底层叠设置的下电极层、压电层和上电极层；其中，所述下电极层包括各所述谐振器单元的下电极，所述压电层包括各所述谐振器单元的压电单元，所述上电极层各所述谐振器单元的上电极，各所述上电极相互分离；可选的，所述发射滤波器和所述接收滤波器中，至少部分所述谐振器单元的下电极相互分离；可选的，各所述谐振器单元的下电极均相互分离可选的，各所述谐振器单元的压电单元相互连续；可选的，至少部分所述谐振器单元的压电单元相互分离；可选的，各所述谐振器单元的压电单元均相互分离；可选的，还包括质量负载层，所述质量负载层设置于所述上电极层远离所述压电层的一侧；所述质量负载层包括至少一个质量负载单元，在所述衬底厚度方向上，所述质量负载单元与所述上电极对应；至少一个所述谐振器单元包括所述质量负载单元。8.根据权利要求7所述的双工器，其特征在于，所述发射滤波器所包括的所述谐振器单元的下电极与所述接收滤波器所包括的谐振器单元的下电极的厚度不同；
和/或，所述发射滤波器所包括的所述谐振器单元的上电极与所述接收滤波器所包括的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴明，唐兆云，王家友，赖志国，王矿伟，唐滨，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。