一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路技术方案

本实用新型专利技术涉及保护电路技术领域，具体地说是一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，包括三相桥驱动芯片、高速二极管、小阻值电阻、三相桥，三相桥驱动芯片安装在电动助力转向系统的控制器中，三相桥驱动芯片的源极分两路分别与高速二极管的阴极、小阻值电阻的一端连接，高速二极管的阳极接地，小阻值电阻的另一端与三相桥场效应管的源极连接。本实用新型专利技术同现有技术相比，在电机UVW相产生负压时，高速二极管迅速导通，将三相桥驱动芯片的源极钳位控制在‑0.5V左右，避免损坏三相桥驱动芯片的源极，小阻值电阻消耗负压产生的能量。本实用新型专利技术具有简单可靠，成本低的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路
本技术涉及保护电路
，具体地说是一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路。
技术介绍
电动助力转向系统控制器的主电路就是三相桥模块和三相分离模块，三相桥模块将电池直流电压逆变成三相交流电压进而驱动电机产生转向助力，三相相分离模块主要的作用是当电动助力转向系统控制器产生严重故障的时候及时切断电机的助力，也就是及时断开电机和三相桥的通路，切断电机电流，使转向系统恢复机械助力，使转向系统进入一个安全的状态。由此可见，在电动助力转向系统实际运行过程中，三相相分离模块起着至关重要的作用，而且使用的几率是非常大的，例如转向系统控制器传感器信号出现异常、元器件过温、元器件工作状态异常、电压电流超过阈值、控制策略失效等等的严重故障均会导致三相相分离模块立即切断电机和三相桥的连接，从而切断电机助力。三相相分离模块突然切断助力，也就是突然切断UVW三相上的电机电流，这会对三相桥驱动芯片产生非常大的过压损坏，原因如下：电机是一个电感负载，电感中的电流时无法突变的，三相相分离MOSFET虽然能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，包括三相桥驱动芯片、高速二极管、小阻值电阻、三相桥，其特征在于：三相桥驱动芯片（1）安装在电动助力转向系统的控制器中，三相桥驱动芯片（1）的源极分两路分别与高速二极管的阴极、小阻值电阻的一端连接，高速二极管的阳极接地，小阻值电阻的另一端与三相桥场效应管的源极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，包括三相桥驱动芯片、高速二极管、小阻值电阻、三相桥，其特征在于：三相桥驱动芯片（1）安装在电动助力转向系统的控制器中，三相桥驱动芯片（1）的源极分两路分别与高速二极管的阴极、小阻值电阻的一端连接，高速二极管的阳极接地，小阻值电阻的另一端与三相桥场效应管的源极连接。


2.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥的三个上桥场效应管的源极分别与电机的U相、V相、W相连接，上桥场效应管的源极与电机之间采用三相相分离模块连接。


3.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的小阻值电阻的阻值为4Ω~10Ω。


4.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极一（SHU）分两路分别与高速二极管一（D1）的阴极、小阻值电阻一（R1）的一端连接，高速二极管一（D1）的阳极接地，小阻值电阻一（R1）的另一端分别与三相桥场效应管一（Q1）的源极、三相相分离模块场效应管七（Q7）的源极连接，三相相分离模块场效应管七（Q7）的漏极与电机的U相连接。


5.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极二（SHV）分两路分别与高速二极管二（D2）的阴极、小阻值电阻二（R2）的一端连接，高速二极管二（D2）的阳极接地，小阻值电阻二（R2）的另一端分别与三相桥场效应管二（Q2）的源极、三相相分离模块场效应管八（...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚德林，吴夏青，
申请(专利权)人：博世华域转向系统有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31