带有功耗测试功能的充电电路、可穿戴设备及电子设备制造技术

一种带有功耗测试功能的充电电路、可穿戴设备及电子设备，其中，带有功耗测试的充电电路，包括：切换电路，其输出端与充电电路输入端连接，所述漏电测试电路的输入端设置有第一充电端口和第二充电端口；当所述第一充电端口连接充电器电线接地端，所述第二充电端口连接程控电源且设备的MCU控制网络置低时，程控电源通过所述切换电路对该设备进行功耗测试。该电路通过的反插充电器外接程控电源对智能设备进行功耗测试，可以在很大程度上提升了测试效率和准确性，并且本实用新型专利技术的电路简单可靠，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
带有功耗测试功能的充电电路、可穿戴设备及电子设备
本技术涉及电子设备
，尤其涉及一种带有功耗测试功能的充电电路、可穿戴设备及电子设备。
技术介绍
目前智能穿戴使用越来越普及，为了防水设计，很多产品采取先焊接电池，最后组装屏幕的设计方式，产品外面除了充电接口，无其他接口。为了保证出货的产品功耗正常，在生产过程中，需要测试产品是否存在漏电。目前主要处理方式有两个过程，第一，在组装成半成品时，对主板进行功耗测试。第二，装成整机后，长时间静置，查看设备耗电是否正常。传统的智能穿戴设备，只针对电路板进行功耗测试，但存在外设装上去后漏电的情况，很难检测，采用静置的方式判断漏电，效率很低并且还有些检测部出来。
技术实现思路
(一)技术目的本技术的目的是提供一种带有功耗测试功能的充电电路、可穿戴设备及电子设备以解决现有技术漏电检测准确性差效率低的问题。(二)技术方案为解决上述问题，本技术的第一方面提供了一种带有功耗测试功能的充电电路，包括：切换电路，其输出端分别与充电电路输入端和功耗测试电路的输入端连接，所述切换电路的输入端设置有第一充电端口和第二充电端口；当所述第一充电端口连接充电器电线接地端，所述第二充电端口连接程控电源且充电电路与电池断开时，程控电源通过所述切换电路对设备进行功耗测试。进一步地，当所述第一充电端口连接充电器电线接地端，所述第二充电端口连接程控电源时，程控电源通过切换电路及充电电路对所述设备的电池进行充电。进一步地，当所述第一充电端口被接上充电器输出的电压，所述第二充电端口被接上充电器输出的GND时，所述设备的电池进行充电。进一步地，所述切换电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管与所述第二PMOS管并联，所述第一NMOS管与所述第二NMOS管并联，使所述第一充电端口和所述第二充电端口正接进行设备充电，反接进行功耗测试。进一步地，所述切换电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管的D极设置有所述电池充电输入端口，所述第一PMOS管的G极分别与所述第二充电端口、所述第二PMOS管S极、所述第一NMOS管的G极和所述第二NMOS管S极连接，所述第一PMOS管的S极分别与所述第一充电端口、第二PMOS管的G极和第二NMOS管的G极连接；所述第二PMOS管的D极与充电电路输入端连接，所述第二PMOS管的G极还分别与所述第一充电端口、所述第一NMOS管的S极和第二NMOS管的G极连接；所述第一NMOS管的S极还分别与所述第一充电端口和所述第二NMOS管的G极连接，所述第一NMOS管的G极还分别与所述第二充电端口和第二NMOS管的S极连接，所述第一NMOS管的D极接地；所述第二NMOS管的G极还与第一充电端口连接，所述第二NMOS管的S极还与第二充电端口连接，所述第二NMOS管的D极接地。进一步地，所述充电电路包括：二极管、通断控制电路及MCU检测端口；所述二极管的正极与所述切换电路输出端连接；所述通断控制电路设置在所述二极管的负极与电池之间，用于控制所述电池充电的通断；所述MCU检测端口设置在所述二极管的负极与所述通断控制电路之间，用于在当所述第一充电端口连接充电器电线接地端，所述第二充电端口连接程控电源且通断控制电路断开所述电池充电时，程控电源通过所述MCU检测端口对该设备进行功耗测试。进一步地，所述通断控制电路包括第三PMOS管、第四PMOS管和第三NMOS管；所述第三PMOS管与所述第四PMOS管背靠背相接，所述第三PMOS管D极与所述二极管的负极连接，所述第四PMOS管D极与所述电池连接，所述第三PMOS管与所述第四PMOS管的G极与所述第三NMOS管的D极连接，所述第三NMOS管的S极接地，所述第三PMOS管与所述第四PMOS管的G极还设置有所述电池充电输入端口。进一步地，所述第三PMOS管的S极与所述第四PMOS管的S极连接，所述第三PMOS管的D极与所述第二PMOS管的D极连接，所述第四PMOS管的D极与电池的供电网络连接，第三NMOS管的D极分别与所述第三PMOS管的G极和所述第四PMOS管的G连接，所述第三NMOS管的S为电线接地端，所述第三NMOS管的G极与系统MCU控制网络连接。根据本技术的另一个方面，提供一种可穿戴设备，设置有上述技术方案任一项所述的带有功耗测试功能的充电电路。根据本技术的又一方面，提供一种电子设备，设置有上述技术方案任一项所述的带有功耗测试功能的充电电路。(三)有益效果本技术的上述技术方案具有如下有益的技术效果：本技术的电路通过的反插充电器外接程控电源对智能设备进行功耗测试，可以在很大程度上提升了测试效率和准确性，并且本技术的电路简单可靠，成本较低。附图说明图1是根据本技术第一实施方式的带有功耗测试功能的充电电路示意框图；图2是根据本技术一可选实施方式的电路图。附图标记：1：G极；2：S极；3：D极；Q1：第一PMOS管；Q2：第二PMOS管；Q3：第一NNOS管；Q4：第二NNOS管；Q5：第三PMOS管；Q6：第四PMOS管；Q7：第三NNOS管；R1：第一电阻；R2：第二电阻；R3：第三电阻；R4：第四电阻；D1：第一肖特基二极管；D2：第二肖特基二极管；PORTA/PORTB：充电端口；VBUS：输出网络；VBAT-MCU：给系统MCU供电网络；BAT+：电池供电网络；GPIO：系统MCU控制网络。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本技术进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本技术的概念。显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。如图1所示，在本技术实施例的第一方面，提供了一种带有功耗测试功能的充电电路，包括：切换电路，其输出端分别与充电电路输入端和功耗测试电路的输入端连接，切换电路的输入端设置有第一充电端口和第二充电端口；当第一充电端口连接充电器电线接地端，第二充电端口连接程控电源且充电电路与电池断开时，程控电源通过切换电路对设备进行功耗测试。该电路通过的反插充电器外接程控电源对智能设备进行功耗测试，可以在很大程度上提升了测试效率和准确性，并且本技术的电路简单可靠，成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有功耗测试功能的充电电路，其特征在于，包括：/n切换电路，其输出端分别与充电电路输入端和功耗测试电路的输入端连接，所述切换电路的输入端设置有第一充电端口和第二充电端口；/n当所述第一充电端口连接充电器电线接地端，所述第二充电端口连接程控电源且充电电路与电池断开时，程控电源通过所述切换电路对设备进行功耗测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种带有功耗测试功能的充电电路，其特征在于，包括：
切换电路，其输出端分别与充电电路输入端和功耗测试电路的输入端连接，所述切换电路的输入端设置有第一充电端口和第二充电端口；
当所述第一充电端口连接充电器电线接地端，所述第二充电端口连接程控电源且充电电路与电池断开时，程控电源通过所述切换电路对设备进行功耗测试。


2.根据权利要求1所述的带有功耗测试功能的充电电路，其特征在于，当所述第一充电端口连接充电器电线接地端，所述第二充电端口连接程控电源时，程控电源通过控制切换电路以使充电电路导通，并使所述设备的电池进行充电。


3.根据权利要求1所述的带有功耗测试功能的充电电路，其特征在于，当所述第一充电端口被接上充电器输出的电压，所述第二充电端口被接上充电器输出的GND时，所述设备的电池进行充电。


4.根据权利要求1-3任一项所述的带有功耗测试功能的充电电路，其特征在于，所述切换电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管与所述第二PMOS管并联，所述第一NMOS管与所述第二NMOS管并联，使所述第一充电端口和所述第二充电端口正接进行设备充电，反接进行功耗测试。


5.根据权利要求1-3任一项所述的带有功耗测试功能的充电电路，其特征在于，所述切换电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管的D极设置有电池充电输入端口，所述第一PMOS管的G极分别与所述第二充电端口、所述第二PMOS管S极、所述第一NMOS管的G极和所述第二NMOS管S极连接，所述第一PMOS管的S极分别与所述第一充电端口、第二PMOS管的G极和第二NMOS管的G极连接；
所述第二PMOS管的D极与充电电路输入端连接，所述第二PMOS管的G极还分别与所述第一充电端口、所述第一NMOS管的S极和第二NMOS管的G极连接；
所述第一NMOS管的S极还分别与所述第一充电端口和所述第二NMOS管的G极连接，所述第一NMOS管的G极还分别与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，
申请(专利权)人：安徽华米信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34