半导体装置制造方法及图纸

提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、金属氧化物层及导电层。半导体层、第二绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在第一绝缘层上。第二绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，导电层及金属氧化物层的端部位于第二绝缘层的端部的内侧。第三绝缘层与第一绝缘层的顶面、半导体层的顶面及侧面、第二绝缘层的顶面及侧面、金属氧化物层的侧面以及导电层的顶面及侧面接触。半导体层具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域。第一区域与第一绝缘层及金属氧化物层重叠。第二区域夹持第一区域且与第二绝缘层重叠而不与金属氧化物层重叠。第三区域夹持第一区域及一对第二区域且不与第二绝缘层重叠。第三区域与第三绝缘层接触并具有其电阻低于第一区域的部分。第二区域具有其电阻高于第三区域的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置或显示装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不限定于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、其驱动方法或者其制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。
技术介绍
作为可用于晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且铟的比例高于镓的比例，由此场效应迁移率(有时，简称为迁移率或μFE)得到提高的半导体装置。由于能够用于半导体层的金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以被用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用多晶硅或非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用，所以还可以抑制设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n半导体层；/n第一绝缘层；/n第二绝缘层；/n第三绝缘层；/n金属氧化物层；以及/n导电层，/n其中，所述半导体层、所述第二绝缘层、所述金属氧化物层及所述导电层依次层叠在所述第一绝缘层上，/n在沟道长度方向的截面上，所述第二绝缘层的端部位于所述半导体层的端部的内侧，/n所述导电层和所述金属氧化物层的端部都位于所述第二绝缘层的端部的内侧，/n所述第三绝缘层与所述第一绝缘层的顶面、所述半导体层的顶面及侧面、所述第二绝缘层的顶面及侧面、所述金属氧化物层的侧面、所述导电层的顶面及侧面接触，/n所述半导体层具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，/n所述第一区域与所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181102 JP 2018-207399;20181107 JP 2018-209953;201.一种半导体装置，包括：
半导体层；
第一绝缘层；
第二绝缘层；
第三绝缘层；
金属氧化物层；以及
导电层，
其中，所述半导体层、所述第二绝缘层、所述金属氧化物层及所述导电层依次层叠在所述第一绝缘层上，
在沟道长度方向的截面上，所述第二绝缘层的端部位于所述半导体层的端部的内侧，
所述导电层和所述金属氧化物层的端部都位于所述第二绝缘层的端部的内侧，
所述第三绝缘层与所述第一绝缘层的顶面、所述半导体层的顶面及侧面、所述第二绝缘层的顶面及侧面、所述金属氧化物层的侧面、所述导电层的顶面及侧面接触，
所述半导体层具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，
所述第一区域与所述第一绝缘层及所述金属氧化物层重叠，
所述第二区域夹持所述第一区域且与所述第二绝缘层重叠而不与所述金属氧化物层重叠，
所述第三区域夹持所述第一区域及一对所述第二区域且不与所述第二绝缘层重叠，
所述第三区域与所述第三绝缘层接触，
所述第三区域具有其电阻低于所述第一区域的部分，
并且，所述第二区域具有其电阻高于所述第三区域的部分。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第二绝缘层具有不与所述金属氧化物层重叠的区域的厚度比与所述金属氧化物层重叠的区域的厚度薄的部分。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中所述第二区域具有其薄层电阻为1×103Ω/□以上且1×109Ω/□以下的部分。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
其中所述第一区域的电阻为所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，冈崎健一，神长正美，岛行德，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP