用于光电器件的咔唑衍生物制造技术

本发明专利技术涉及一种特别用于有机光电器件的有机分子。根据本发明专利技术，所述有机分子具有式(I)的结构，其中，n为1或2；并且X选自由以下各项组成的组：H、SiMe

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光电器件的咔唑衍生物本专利技术涉及有机分子及其在有机发光二极管(OLED)和其他光电器件中的用途。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供适用于光电器件的分子。该目的通过本专利技术实现，本专利技术提供了一类新的有机分子。根据本专利技术，所述有机分子是纯有机分子，即，与已知用于光电子器件中的金属络合物不同的是，它们不含有金属离子。根据本专利技术，所述有机分子在蓝色、天蓝色或绿色光谱范围内表现出发射最大值。有机分子尤其表现出在420nm和520nm之间，优选地在440nm和495nm之间，更优选地在450nm和470nm之间的发射最大值。特别地，根据本专利技术的有机分子的光致发光量子产率为70％以及更高。根据本专利技术的分子尤其表现出热激活的延迟荧光(TADF)。在光电器件例如有机发光二极管(OLED)中使用根据本专利技术的分子导致器件的更高效率。相应的OLED具有比具有已知发射体材料和相当颜色的OLED更高的稳定性。根据本专利技术的有机分子包含式I的结构或由式I的结构组成其中n为1或2；(从而，对于n＝1，得到下式：)X选自由以下各项组成的组：H、SiMe3、SiPh3、CN和CF3；ArEWG选自由以下各项组成的组：式IIa至式IIo其中#表示单键的结合位点，它将ArEWG连接至根据式I的经取代的中心苯环；R1在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；C2-C8烯基，其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；C2-C8炔基，其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；和C6-C18芳基，其任选被一个或多个取代基R6所取代；R2在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；C2-C8烯基，其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；C2-C8炔基，其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；和C6-C18芳基，其任选被一个或多个取代基R6所取代；Rd在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、N(R6)2、OR6、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I，C1-C40烷基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C1-C40烷氧基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C1-C40硫代烷氧基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C2-C40烯基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C2-C40炔基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C6-C60芳基，其任选被一个或多个取代基R6所取代；和C3-C57杂芳基，其任选被一个或多个取代基R6所取代；Ra在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：RA，氢、氘、N(R6)2、OR6、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I，C1-C40烷基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C1-C40烷氧基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C1-C40硫代烷氧基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C2-C40烯基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C2-C40炔基，其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；C6-C60芳基，其任选被一个或多个取代基R6所取代；和C3-C57杂芳基，其任选被一个或多个取代基R6所取代；R6在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、OPh、CF3、CN、F、C1-C5烷基，其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中一个或多个氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有式I的结构的有机分子/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181116 EP 18206790.0;20181228 EP 18001022.5;20181.一种具有式I的结构的有机分子



其中
n为1或2；
X选自由以下各项组成的组：H、SiMe3、SiPh3、CN和CF3；
ArEWG选自由以下各项组成的组：式IIa至式IIo






其中#表示式I中所示的单键的结合位点，所述结合位点将ArEWG连接至苯环；
R1在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：
氢；
氘；
C1-C5烷基，
其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；
C2-C8烯基，
其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；
C2-C8炔基，
其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；和
C6-C18芳基，
其任选被一个或多个取代基R6所取代；
R2在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：
氢；
氘；
C1-C5烷基，
其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；
C2-C8烯基，
其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；
C2-C8炔基，
其中一个或多个氢原子任选被氘所取代；和
C6-C18芳基，
其任选被一个或多个取代基R6所取代；
Rd在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：
氢、氘、N(R6)2、OR6、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I，
C1-C40烷基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C1-C40烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C2-C40烯基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C2-C40炔基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C6-C60芳基，
其任选被一个或多个取代基R6所取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选被一个或多个取代基R6所取代；
Ra在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：
RA，
氢、氘、N(R6)2、OR6、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I，
C1-C40烷基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C1-C40烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C1-C40硫代烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C2-C40烯基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C2-C40炔基，
其任选地被一个或多个取代基R6取代，并且
其中一个或多个不相邻的CH2基团任选地被R6C＝CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代；
C6-C60芳基，
其任选被一个或多个取代基R6所取代；和
C3-C57杂芳基，
其任选被一个或多个取代基R6所取代；
R6在每次出现时彼此独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、OPh、CF3、CN、F、
C1-C5烷基，
其中一个或多个氢原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·丹茨，D·蒂里昂，A·迪根纳罗，S·赛费尔曼，D·乔利，
申请(专利权)人：辛诺拉有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE