显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：一基板；一第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，其中该第二栅绝缘层的氢浓度不同于该第一栅绝缘层的氢浓度。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201710225564.9，申请日：2017年04月07日，专利技术名称：显示装置及其制造方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种具有设置于基板上的薄膜晶体管(TFT)的显示装置及其制造方法，特别是涉及一种具有不同半导体材料的主动层的复合薄膜晶体管(hybridTFT)结构及其制造方法。
技术介绍
目前，有利用发光二极管(LED)与有机发光二极管(OLED)技术制作的显示器，对于该种显示器来说，其需要高分辨率、更小尺寸、以及更稳定的具有较低功率与较低mura缺陷的晶体管。由于具有较非晶硅高的载流子迁移率、低制作工艺处理温度、以及光学透明度，金属氧化物半导体已用于该种装置的制造。然而，由金属氧化物半导体所制作的薄膜晶体管对氢含量是敏感的，其中层与层之间的氢往往通过扩散方法进入半导体层，导致薄膜晶体管稳定性受到影响，容易受到电压/光偏置情况下导致晶体管起始电压偏移。因此，开发一种不易受现有技术中的氢杂质问题影响的薄膜晶体管及其制造方法是需要的。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：/n基板；/n第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括第一主动层以及第一栅极；/n第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括第二主动层、第二栅极、以及遮蔽层，其中该第二栅极设置于该第二主动层上，该遮蔽层设置于该第二主动层下；以及/n层间介电层，设置于该第一主动层与该第二主动层之间，其中该第二主动层、该层间介电层以及该第一主动层沿垂直该基板的方向设置于该基板上，/n其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料。/n

【技术特征摘要】
20160408 US 62/319,965;20160517 US 62/337,384;20171.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括第一主动层以及第一栅极；
第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括第二主动层、第二栅极、以及遮蔽层，其中该第二栅极设置于该第二主动层上，该遮蔽层设置于该第二主动层下；以及
层间介电层，设置于该第一主动层与该第二主动层之间，其中该第二主动层、该层间介电层以及该第一主动层沿垂直该基板的方向设置于该基板上，
其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料。


2.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一主动层的材料包括低温多晶硅半导体，该第二主动层的材料包括铟镓锌氧化物。


3.如权利要求1所述的显示装置，其中该层间介电层为多层。


4.如权利要求1所述的显示装置，其中该层间介电层为2层，上层的材料包括氧化硅，下层的材料包括氮化硅。


5.如权利要求1所述的显示装置，还包括第二栅绝缘层，设置于该第二主动层与该第二栅极之间。


6.如权利要求5所述的显示装置，其中该第二栅绝缘层的材料包括氧化硅。


7.如权利要求1所述的显示装置，还包括第一栅绝缘层，设置于该第一主动层与该第一栅极之间。


8.如权利要求7所述的显示装置，其中该第一栅绝缘层的材料包括氧化硅。


9.如权利要求1所述的显示装置，其中该遮蔽层的材料包括金属。


10.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括第一主动层以及第一栅极；
第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括第二主动层、第二栅绝缘层、第二栅极、以及遮蔽层，其中该第二栅极设置于该第二主动层上，该第二栅绝缘层设置于该第二主动层与该第二栅极之间，该遮蔽层设置于该第二主动层下；以及
层间介电层，设置于该第一主动层与该第二主动层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，刘敏钻，许乃方，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71