一种颗粒硅区熔检测采样装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于颗粒硅生产领域，具体公开了一种颗粒硅区熔检测采样装置，该装置包括区熔炉(1)和在区熔炉(1)内部从上到下依次设置的籽晶夹持器(2)、加热线圈(3)、颗粒硅容纳装置，颗粒硅容纳装置包括多组不同口径的容纳管(4)用于容纳不同尺寸的颗粒硅(41)，所述颗粒硅(41)的尺寸与对应容纳管(4)的口径匹配，所述容纳管(4)为高纯硅管，用于容纳颗粒硅(41)；所述容纳管(4)具有上端口，所述上端口位于所述加热线圈(3)下方，所述容纳管(4)的底端连接有氩气管道(6)，本发明专利技术将颗粒硅置于高纯硅管中，避免颗粒硅受其他设备等带来杂质的影响，同时设计多组不同口径的容纳管(4)实现不同尺寸颗粒硅的检测采样。

【技术实现步骤摘要】
一种颗粒硅区熔检测采样装置
本专利技术涉及颗粒硅生产领域，特别涉及一种颗粒硅区熔检测采样装置。
技术介绍
随着世界能源危机的日益严重，绿色能源、能源多元化、可再生能源的利用成了我国可持续发展的战略选择，其中太阳能光伏发电成了当前电力科技者研发的热门课题之一。颗粒硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，颗粒硅纯度越高，电子性能越好，相应光电转换率提高。多晶硅是微电子行业和光伏行业的基础材料，传统生产高纯多晶硅的方法有西门子法和流化床法。当下主流的多晶硅的检测方法主要是在CVD还原生产的多晶硅棒上取样制成小棒状，再将小棒状料经过区熔炉二次晶体生长成单晶后，再取样检测纯度以及杂质含量，进而判定多晶硅的品质。流化床法生产颗粒状多晶硅通常是将高纯粒状硅做“种子”，在流化床反应器内形成流化状态，再引入高纯含硅气体在加热的流化种子上反应沉积，从而使得高纯硅种子越长越大，得到颗粒状的多晶硅。流化床法得到的颗粒状多晶硅品质的好坏需要进行制样二次晶体生长成单晶再检测，因此首先将颗粒硅制作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种颗粒硅区熔检测采样装置，包括区熔炉(1)和在区熔炉(1)内部从上到下依次设置的籽晶夹持器(2)、加热线圈(3)、颗粒硅容纳装置，其特征在于：/n所述颗粒硅容纳装置包括多组不同口径的容纳管(4)，用于容纳不同尺寸的颗粒硅(41)，所述容纳管(4)为高纯硅管，所述颗粒硅(41)的尺寸与对应容纳管(4)的口径匹配；/n所述容纳管(4)具有上端口，所述上端口位于所述加热线圈(3)下方，所述容纳管(4)的底端连接有氩气管道(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种颗粒硅区熔检测采样装置，包括区熔炉(1)和在区熔炉(1)内部从上到下依次设置的籽晶夹持器(2)、加热线圈(3)、颗粒硅容纳装置，其特征在于：
所述颗粒硅容纳装置包括多组不同口径的容纳管(4)，用于容纳不同尺寸的颗粒硅(41)，所述容纳管(4)为高纯硅管，所述颗粒硅(41)的尺寸与对应容纳管(4)的口径匹配；
所述容纳管(4)具有上端口，所述上端口位于所述加热线圈(3)下方，所述容纳管(4)的底端连接有氩气管道(6)。


2.根据权利要求1所述的一种颗粒硅区熔检测采样装置，其特征在于：所述区熔炉上设置有氩气管道(6)。


3.根据权利要求1所述的一种颗粒硅区熔检测采样装置，其特征在于：所述籽晶夹持器(2)固定在可移动上轴(7)上。


4.根据权利要求3所述的一种颗粒硅区熔检测采样装置，其特征在于：所述籽晶夹持器(6)上夹持有籽晶(8)。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张孝山，汪成洋，陈斌，宗冰，
申请(专利权)人：亚洲硅业青海股份有限公司，青海省亚硅硅材料工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：青海;63