三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构技术

本发明专利技术公开了一种三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构，第一个纯铜薄膜区的一侧位于第一直槽内，第二个纯铜薄膜区的一侧位于第二直槽内，第三个纯铜薄膜区的一侧位于第三直槽内，康铜薄膜区的一侧位于第四直槽内，第一个纯铜薄膜区的另一侧、第二个纯铜薄膜区的另一侧、第三个纯铜薄膜区的另一侧及康铜薄膜区的另一侧均位于柱状基底的前端面上，且在柱状基底的前端面上，康铜薄膜区分别与第一个纯铜薄膜区、第二个纯铜薄膜区及第三个纯铜薄膜区重叠，以形成三个热节点，该热电偶能够实现变温流场下的瞬时温度测量，具有较高的空间分辨率及测量精度。

【技术实现步骤摘要】
三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构
本专利技术属于传感器设计制备及低温流体温度快速测量领域，涉及一种三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构。
技术介绍
以往薄膜热电偶的设计与研发往往都应用于测试发动机涡轮叶片表面、燃烧室内壁等部位的温度，属于高温、超高温测量领域。而低温测量领域虽然有传统热电偶与其他类型温度传感器，但其响应时间往往偏大，制作与封装流程较为复杂，因此需要设计一种结构简单，响应时间快，可实现高空间分辨率与高精度温度测量装置，然而国内现有技术中没有出现类似的公开。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构，该热电偶能够实现变温流场下的瞬时温度测量，具有较高的空间分辨率及测量精度，同时制备方法及封装结构简单。为达到上述目的，本专利技术所述的三维阵列式多节点薄膜热电偶包括柱状基底、康铜薄膜区及三个纯铜薄膜区，其中，柱状基底尾部的侧面沿轴向开设有第一直槽、第二直槽、第三直槽及第四直槽，第一个纯铜薄膜区的一侧位于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维阵列式多节点薄膜热电偶，其特征在于，包括柱状基底(1)、康铜薄膜区(2)及三个纯铜薄膜区(3)，其中，柱状基底(1)尾部的侧面沿轴向开设有第一直槽、第二直槽、第三直槽及第四直槽，第一个纯铜薄膜区(3)的一侧位于第一直槽内，第二个纯铜薄膜区(3)的一侧位于第二直槽内，第三个纯铜薄膜区(3)的一侧位于第三直槽内，康铜薄膜区(2)的一侧位于第四直槽内，第一个纯铜薄膜区(3)的另一侧、第二个纯铜薄膜区(3)的另一侧、第三个纯铜薄膜区(3)的另一侧及康铜薄膜区(2)的另一侧均位于柱状基底(1)的前端面上，且在柱状基底(1)的前端面上，康铜薄膜区(2)分别与第一个纯铜薄膜区(3)、第二个纯铜薄...

【技术特征摘要】
1.一种三维阵列式多节点薄膜热电偶，其特征在于，包括柱状基底(1)、康铜薄膜区(2)及三个纯铜薄膜区(3)，其中，柱状基底(1)尾部的侧面沿轴向开设有第一直槽、第二直槽、第三直槽及第四直槽，第一个纯铜薄膜区(3)的一侧位于第一直槽内，第二个纯铜薄膜区(3)的一侧位于第二直槽内，第三个纯铜薄膜区(3)的一侧位于第三直槽内，康铜薄膜区(2)的一侧位于第四直槽内，第一个纯铜薄膜区(3)的另一侧、第二个纯铜薄膜区(3)的另一侧、第三个纯铜薄膜区(3)的另一侧及康铜薄膜区(2)的另一侧均位于柱状基底(1)的前端面上，且在柱状基底(1)的前端面上，康铜薄膜区(2)分别与第一个纯铜薄膜区(3)、第二个纯铜薄膜区(3)及第三个纯铜薄膜区(3)重叠，以形成三个热节点。


2.根据权利要求1所述的三维阵列式多节点薄膜热电偶，其特征在于，还包括三根第一金属引线(4)及一根第二金属引线，其中，三根第一金属引线(4)分别与第一个纯铜薄膜区(3)、第二个纯铜薄膜区(3)及第三个纯铜薄膜区(3)相连接，第二金属引线与康铜薄膜区(2)相连接。


3.根据权利要求1所述的三维阵列式多节点薄膜热电偶，其特征在于，第一直槽的宽度、第二直槽的宽度、第三直槽的宽度及第四直槽的宽度均为1mm。


4.根据权利要求1所述的三维阵列式多节点薄膜热电偶，其特征在于，柱状基底(1)的前端面与第一直槽、第二直槽、第三直槽及第四直槽的连接位置均为圆角过渡结构。


5.根据权利要求1所述的三维阵列式多节点薄膜热电偶，其特征在于，第一个纯铜薄膜区(3)、第二个纯铜薄膜区(3)、第三个纯铜薄膜区(3)及康铜薄膜区(2)的表面均设置有环氧树脂保护层。


6.根据权利要求1所述的三维阵列式多节点薄膜热电偶，其特征在于，第一个纯铜薄膜区(3)与第一根第一金属引线(4)之间、第二个纯铜薄膜区(3)与第二根第一金属引线(4)之间、第三个纯铜薄膜区(3)与第三根第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边，张丙飞，张仲恺，刘兆钧，刘延，刘江江，史鹏，林启敬，蒋庄德，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61