【技术实现步骤摘要】
一种低功耗高压变频器
本申请涉及高压变频器与不间断电源领域，具体涉及一种低功耗高压变频器。
技术介绍
高压变频器面对精密的大型设备时，可以输出电压幅值的高于电网的工作电压，然而对于不同类型的精密设备，需要多种幅值类型的高压电，高压变频器的输出电压信号，很难满足多变的需求领域，高压变频器对电网的依赖性很高，会使精密仪器在工作时瞬间断电，会使精密器件发生不可逆的损伤，高压变频器功耗高，发热高，在高温、高湿度等极端条件下，会由于自身温度过高，散热慢，半导体器件发生热击穿，造成短路或断路故障的发生，不利于设备以及工作人员的安全。
技术实现思路
（一）技术问题1.整流桥耐压低，波动性强。2.断电后，立即停止工作，对仪器损害性强。3.逆变回路等功率模块功耗高。（二）技术方案针对上述技术问题，本申请提出的一种低功耗高压变频器，包括整流模块、直流通道选择模块、逆变回路模块以及电磁变压输出模块。图1是高频变压器的现有技术方案原理图，在设计原理上，因为将电网和逆变电路直接连接起...
【技术保护点】
1.一种低功耗高压变频器，包括整流模块、直流通道选择模块、逆变回路模块以及电磁变压输出模块，其特征在于：所述整流模块中输入端口InputA 与二极管D1的正极连接，输入端口InputB与二极管D3的正极连接，输入端口InputC与二极管D5的正极连接，二极管D1的负极分别与二极管D3的负极、二极管D5的负极连接，二极管D2的正极分别与二极管D4的正极、二极管D6的正极连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种低功耗高压变频器，包括整流模块、直流通道选择模块、逆变回路模块以及电磁变压输出模块，其特征在于：所述整流模块中输入端口InputA与二极管D1的正极连接，输入端口InputB与二极管D3的正极连接，输入端口InputC与二极管D5的正极连接，二极管D1的负极分别与二极管D3的负极、二极管D5的负极连接，二极管D2的正极分别与二极管D4的正极、二极管D6的正极连接。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗高压变频器，其特征在于：所述直流通道选择模块中可控硅Q2的控制极与场效应晶体管Q4的漏极连接，场效应晶体管的栅极与二极管D5的负极连接，源端接地，可控硅的正极分别与电阻R12的一端、电阻R6的一端连接，电阻R12的另一端与可控硅Q2的负极连接，电阻R6的另一端与二极管D7的正极连接，二极管D7的负极与可控硅Q2的负极连接，二极管D18的负极与可控硅Q2的负极连接，正极与蓄电池Battery的正输入极连接，蓄电池的输入负极接地，输出负极接地。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗高压变频器，其特征在于：所述逆变回路模块中电容C1的一端分别与可控硅Q2的负极、蓄电池Battery的输出正极连接，另一端与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端与二极管D8的负极连接，二极管D8的正极与电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端与二极管D2的正极连接，电容C3的一端分别与可控硅Q2的负极、蓄电池Battery的输出正极连接，另一端与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端与电容C4的一端连接，电容C4的另一端与电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端与二极管D8的负极连接，电容C5的一端分别与可控硅Q2的负极、蓄电池Battery的输出正极连接，另一端与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端与电容C6的一端连接，电容C6的另一端与电阻R11的一端连接，电阻R11的另一端与二极管D8的负极连接，场效应晶体管Q1的漏端通过开关S1与电源V1的正极连接，栅极与可控硅Q2的负极连接，源端分别与IGBT管Q3的栅极、IGBT管Q5的栅极连接，IGBT管Q3的漏端与可控硅Q2的负极连接，源端与IGBT管Q5的漏端连接，IGBT管Q5的源端与二极管D2的正极连接，场效应晶体管Q10的漏端...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，杨亚豪，李强，王朝立，李晓宇，任天骄，高太振，王长海，朱磊，王晓芳，
申请(专利权)人：华能渑池热电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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