一种波长锁定半导体激光器系统技术方案

一种波长锁定半导体激光器系统，包括：M个半导体激光器芯片，第k个半导体激光器芯片适于从前腔面出射第k前激光束，第k个半导体激光器芯片适于从后腔面出射第k后激光束；第一光纤光栅，第一光纤光栅适于部分反射第k前激光束以形成第k前反馈光束，第k前反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M‑k+1个半导体激光器芯片中；第二光纤光栅，第二光纤光栅适于部分反射第k后激光束以形成第k后反馈光束，第k后反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M‑k+1个半导体激光器芯片中；第k前反馈光束的波长范围和第k后反馈光束的波长范围至少部分重叠。所述波长锁定半导体激光器系统的降低了波长锁定失效的几率且寿命到提高。

【技术实现步骤摘要】
一种波长锁定半导体激光器系统
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种波长锁定半导体激光器系统。
技术介绍
固体激光器和气体激光器输出功率高、光束质量好，在材料加工和远距离能量传输等对于激光功率和激光光束质量有非常严格要求的领域得到了广泛的应用。固体激光器和气体激光器常见的泵浦方式主要有电泵浦、化学泵浦、光泵浦和气动泵浦。半导体激光器二极管具有电光转换效率高、结构紧凑、成本低和寿命长等优点，目前广泛被作为光泵浦源应用于泵浦固体激光器和气体激光器。常见的大功率半导体激光器泵浦源由半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。由于半导体激光器的增益曲线宽、发光区宽度宽、支持的模式多，而每个模式具有不同的频率，导致半导体激光器输出光谱宽。同时，半导体激光器的输出光谱也会随着温度或驱动电流的微小变化而变化，造成输出中心波长漂移和光谱宽度变化。泵浦吸收峰较窄的固体激光器和气体激光器时效率低，能量损失严重。并且未吸收的能量将在激光器内部多次反射，造成激光器温度升高，甚至烧毁激光器。由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长锁定半导体激光器系统，其特征在于，包括：/nM个半导体激光器芯片，各所述半导体激光器芯片均具有相对的前腔面和后腔面，第k个半导体激光器芯片适于从前腔面出射第k前激光束，第k个半导体激光器芯片适于从后腔面出射第k后激光束；/n第一光纤光栅，所述第一光纤光栅适于部分反射第k前激光束以形成第k前反馈光束，第k前反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M-k+1个半导体激光器芯片中；/n第二光纤光栅，所述第二光纤光栅适于部分反射第k后激光束以形成第k后反馈光束，第k后反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M-k+1个半导体激光器芯片中；/n第k前反馈光束的波长范围和第k后反馈光束的波...

【技术特征摘要】
1.一种波长锁定半导体激光器系统，其特征在于，包括：
M个半导体激光器芯片，各所述半导体激光器芯片均具有相对的前腔面和后腔面，第k个半导体激光器芯片适于从前腔面出射第k前激光束，第k个半导体激光器芯片适于从后腔面出射第k后激光束；
第一光纤光栅，所述第一光纤光栅适于部分反射第k前激光束以形成第k前反馈光束，第k前反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M-k+1个半导体激光器芯片中；
第二光纤光栅，所述第二光纤光栅适于部分反射第k后激光束以形成第k后反馈光束，第k后反馈光束至少注入第k个半导体激光器芯片和第M-k+1个半导体激光器芯片中；
第k前反馈光束的波长范围和第k后反馈光束的波长范围至少部分重叠；
其中，M为大于等于1的整数；k为大于或等于1且小于或等于M的整数。


2.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器系统，其特征在于，所述前腔面的反射率小于或等于1％，所述后腔面的反射率小于或等于1％。


3.根据权利要求1或2所述的波长锁定半导体激光器系统，其特征在于，还包括：第一聚焦透镜，位于所述M个半导体激光器芯片至所述第一光纤光栅之间的光路中；第二聚焦透镜，位于所述M个半导体激光器芯片至所述第二光纤光栅之间的光路中。


4.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器系统，其特征在于，M为大于等于2的奇数或者偶数。


5.根据权利要求3所述的波长锁定半导体激光器系统，其特征在于，还包括：M个第一准直透镜组，第k个第一准直透镜组位于第k个半导体激光器芯片至所述第一聚焦透镜之间的光路中；M个第二准直透镜组，第k个第二准直透镜组位于第k个半导体激光器芯片至所述第二聚焦透镜之间的光路中。


6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞浩，王俊，李泉灵，廖新胜，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32