波导极化衰减装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种波导极化衰减装置及方法，所述装置包括屏蔽外壳、太赫兹波发射组件、太赫兹波接收组件、第一可调极化组件及第二可调极化组件；太赫兹波发射组件设置在屏蔽外壳的第一侧壁上；第一可调极化组件设置在屏蔽外壳内，且对应太赫兹波发射组件设置；第二可调极化组件设置在屏蔽外壳内，且设置在第一可调极化组件的下方，对应太赫兹波接收组件设置；太赫兹波接收组件设置在屏蔽外壳的第二侧壁上；第一侧壁与第二侧壁位置相对；本发明专利技术具有工艺性好、相位稳定、插损小、动态大、精度高的特点，特殊的Z型结构双可调太赫兹极化栅网的设计可有效的扩大调整的范围，从而实现大功率大范围的太赫兹波动态连续衰减可调。

【技术实现步骤摘要】
波导极化衰减装置及方法
本专利技术属于波导衰减
，特别是涉及一种波导极化衰减装置及方法。
技术介绍
波导衰减器是一种常见的微波无源器件，主要用来调整信号功率的大小，广泛应用于微波产品；现有常见的微波衰减器按照衰减程度可分为固定式、分级衰减式及连续可调式；其中，旋转式可调衰减极化装置最为常见，该旋转式可调衰减极化装置是一种两端方圆过渡波导中间圆波导的结构，在两头的过渡波导段各有一片吸收片和波导宽壁平行，通过圆波导中的吸收片绕轴向旋转，实现控制衰减量大小。这种传统的衰减器在太赫兹频段由于加工工艺要求提升，精度控制很难保证，从而会导致相位不稳定、衰减精度差、寄生效应引入杂波、插损变大、可调范围不大等问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种波导极化衰减装置及方法，用于解决现有可调衰减器存在的太赫兹频段动态范围小、插损大、相位不稳定、工艺差的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种波导极化衰减装置，包括：屏蔽外壳、太赫兹波发射组件、太赫兹波接收组件、第一可调极化组件及第二可调极化组件；其中，所述屏蔽外壳为封闭结构，且所述屏蔽外壳的内部为空心结构；所述太赫兹波发射组件设置在所述屏蔽外壳的第一侧壁上，用于向所述屏蔽外壳内发射太赫兹波；所述第一可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且对应所述太赫兹波发射组件设置；所述第二可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且设置在所述第一可调极化组件的下方，对应所述太赫兹波接收组件设置；所述太赫兹波接收组件设置在所述屏蔽外壳的第二侧壁上；所述第一侧壁与所述第二侧壁位置相对；所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播时，依次经所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件后，汇聚至所述太赫兹波接收组件；所述太赫兹波的传播路径构成一Z型结构；在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。于本专利技术的一实施例中，所述第一可调极化组件包括：第一TPX透镜、第一极化栅网、第一离轴抛物面镜及第一转动调节机构；其中，所述第一TPX透镜对应所述太赫兹波发射组件设置，用于对所述太赫兹波进行准直扩束；所述第一极化栅网设置在所述第一TPX透镜与所述第一离轴抛物面镜之间；经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波透过所述第一极化栅网至所述第一离轴抛物面镜；所述第一转动调节机构与所述第一极化栅网连接，用于转动所述第一极化栅网，以调节经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波方向与所述第一极化栅网的网线方向之间的夹角。于本专利技术的一实施例中，所述第二可调极化组件包括：第二TPX透镜、第二极化栅网、第二离轴抛物面镜及第二转动调节机构；其中，所述第二离轴抛物面镜设置在所述第一离轴抛物面镜的下方，且所述第二离轴抛物面镜的焦点与所述第一离轴抛物面镜的焦点重合；所述第二极化栅网设置在所述第二TPX透镜与所述第二离轴抛物面镜之间；所述第二TPX透镜对应所述太赫兹波接收组件设置；所述第二转动调节机构与所述第二极化栅网连接，用于转动所述第二极化栅网，以调节经所述第二离轴抛物面镜后的太赫兹波方向与所述第二极化栅网的网线方向之间的夹角。于本专利技术的一实施例中，所述第一极化栅网在所述第一转动调节机构的作用下，沿在水平面内，且与所述第一TPX透镜中心轴线垂直的方向转动；所述第二极化栅网在所述第二转动调节机构的作用下，沿在水平面内，且与所述第二TPX透镜中心轴线垂直的方向旋转。于本专利技术的一实施例中，所述太赫兹波发射组件与所述第一离轴抛物面镜共轴；所述太赫兹波接收组件与所述第二离轴抛物面镜共轴。于本专利技术的一实施例中，所述第一离轴抛物面镜和所述第二离轴抛物面镜的反射面上均镀有增透膜。于本专利技术的一实施例中，所述屏蔽外壳的内壁上涂覆有吸波层。于本专利技术的一实施例中，所述太赫兹波发射组件包括：太赫兹波设备和发射端口；其中，所述太赫兹波设备设置在所述屏蔽外壳的外侧，用于产生所述太赫兹波；所述发射端口与所述太赫兹波设备连接，且设置在所述屏蔽外壳内，用于将所述太赫兹波发射至所述屏蔽外壳内，以使所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播。本专利技术提供一种采用上述的波导极化衰减装置实现的波导极化衰减方法，包括以下步骤：控制太赫兹波发射组件发射太赫兹波，以使所述太赫兹波依次经第一可调极化组件和第二可调极化组件后，汇聚至太赫兹波接收组件；在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。于本专利技术的一实施例中，所述衰减量产生的原因包括以下任意一种或几种组合：所述太赫兹波发射组件的损耗、所述太赫兹波接收组件的损耗、所述第一可调极化组件产生的、所述第二可调极化组件产生的及所述波导极化衰减装置的安装误差。如上所述，本专利技术所述的波导极化衰减装置及方法，具有以下有益效果：(1)与现有技术相比，本专利技术具有工艺性好、相位稳定、插损小、动态大、精度高的特点，特殊的Z型结构双可调太赫兹极化栅网的设计可有效的扩大调整的范围，从而实现大功率大范围的太赫兹波动态连续衰减可调。(2)本专利技术中引入的非球面的TPX透镜，不仅对太赫兹频段有高透性，还可降低该波导极化衰减装置的安装难度。附图说明图1显示为本专利技术的波导极化衰减装置于一实施例中的工作原理框图。图2显示为本专利技术的波导极化衰减装置于一实施例中的结构示意图。图3显示为本专利技术的波导极化衰减方法于一实施例中的流程图。标号说明1屏蔽外壳2太赫兹波发射组件201太赫兹波设备202发射端口3太赫兹波接收组件4第一可调极化组件401第一TPX透镜402第一极化栅网403第一离轴抛物面镜404第一转动调节机构5第二可调极化组件501第二TPX透镜502第二极化栅网503第二离轴抛物面镜504第二转动调节机构S1～S2步骤具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图示所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。本专利技术的波导极化衰减装置及方法，与现有技术相比，本专利技术具有工艺性好、相位稳定、插损小、动态大、精度高的特点，特殊的Z型结构双可调太赫兹极化栅网的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波导极化衰减装置，其特征在于，包括：屏蔽外壳、太赫兹波发射组件、太赫兹波接收组件、第一可调极化组件及第二可调极化组件；其中，/n所述屏蔽外壳为封闭结构，且所述屏蔽外壳的内部为空心结构；/n所述太赫兹波发射组件设置在所述屏蔽外壳的第一侧壁上，用于向所述屏蔽外壳内发射太赫兹波；/n所述第一可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且对应所述太赫兹波发射组件设置；/n所述第二可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且设置在所述第一可调极化组件的下方，对应所述太赫兹波接收组件设置；/n所述太赫兹波接收组件设置在所述屏蔽外壳的第二侧壁上；所述第一侧壁与所述第二侧壁位置相对；/n所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播时，依次经所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件后，汇聚至所述太赫兹波接收组件；所述太赫兹波的传播路径构成一Z型结构；/n在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。/n

【技术特征摘要】
1.一种波导极化衰减装置，其特征在于，包括：屏蔽外壳、太赫兹波发射组件、太赫兹波接收组件、第一可调极化组件及第二可调极化组件；其中，
所述屏蔽外壳为封闭结构，且所述屏蔽外壳的内部为空心结构；
所述太赫兹波发射组件设置在所述屏蔽外壳的第一侧壁上，用于向所述屏蔽外壳内发射太赫兹波；
所述第一可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且对应所述太赫兹波发射组件设置；
所述第二可调极化组件设置在所述屏蔽外壳内，且设置在所述第一可调极化组件的下方，对应所述太赫兹波接收组件设置；
所述太赫兹波接收组件设置在所述屏蔽外壳的第二侧壁上；所述第一侧壁与所述第二侧壁位置相对；
所述太赫兹波在所述屏蔽外壳内传播时，依次经所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件后，汇聚至所述太赫兹波接收组件；所述太赫兹波的传播路径构成一Z型结构；
在所述太赫兹波的传播过程中，通过调节所述第一可调极化组件和所述第二可调极化组件，实现太赫兹波信号功率衰减量的动态连续可调。


2.根据权利要求1所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述第一可调极化组件包括：第一TPX透镜、第一极化栅网、第一离轴抛物面镜及第一转动调节机构；其中，
所述第一TPX透镜对应所述太赫兹波发射组件设置，用于对所述太赫兹波进行准直扩束；
所述第一极化栅网设置在所述第一TPX透镜与所述第一离轴抛物面镜之间；经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波透过所述第一极化栅网至所述第一离轴抛物面镜；
所述第一转动调节机构与所述第一极化栅网连接，用于转动所述第一极化栅网，以调节经所述第一TPX透镜准直扩束后的太赫兹波方向与所述第一极化栅网的网线方向之间的夹角。


3.根据权利要求2所述的波导极化衰减装置，其特征在于，所述第二可调极化组件包括：第二TPX透镜、第二极化栅网、第二离轴抛物面镜及第二转动调节机构；其中，
所述第二离轴抛物面镜设置在所述第一离轴抛物面镜的下方，且所述第二离轴抛物面镜的焦点与所述第一离轴抛物面镜的焦点重合；
所述第二极化栅网设置在所述第二TPX透镜与所述第二离轴抛物面镜之间；
所述第二TPX透镜对应所述太赫兹波接收组件设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳力，
申请(专利权)人：华太极光光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31