一种高频微基站用高功率贴片衰减片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高频微基站用高功率贴片衰减片，包括：氮化铝陶瓷基板、背面银浆层、溅射层、银浆导块组、正银浆层、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述氮化铝陶瓷基板的正反两面分别设置有正银浆层和背面银浆层；所述正银浆层包括位于所述氮化铝陶瓷基板正面两侧边的矩形银浆层和位于两个所述矩形银浆层中心的桥接银浆层；所述银浆导块组设置于所述矩形银浆层和所述桥接银浆层之间；所述第一电阻设置于所述桥接银浆层上；所述第二电阻和所述第三电阻分别设置于第一电阻的两侧，并与第一电阻相串联；所述第二电阻和所述第三电阻的另一侧边分别连接于所述矩形银浆层上；所述氮化铝陶瓷基板的侧边设置有溅射层。

【技术实现步骤摘要】
一种高频微基站用高功率贴片衰减片
本技术涉及基站衰减片
，尤其是涉及一种高频微基站用高功率贴片衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，并对设备没有保护作用。衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，对设备有保护作用。5G通信基站中，因为其信号的通道数远远高于4G通信基站(4G通信基站的信号通道一般为2路或者4路)，所以其要求产品满足小尺寸大功率的要求，且因5G频率的要求偏高，所以要求产品的使用频率需要满足6.0GHz的要求。目前5G通信基站中因前期64路通道设计应用较多，所以目前的功率衰减片的尺寸为2.5*5.0*0.635mm，功率容量满足20瓦，其使用频率可以满足1.5～5GHz。满足不了功率30W，短时间耐功率要求达到50W，其使用频率满足DC～6GHz的条件。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种高频微基站用高功率贴片衰减片，其特征在于，包括：氮化铝陶瓷基板(1)、背面银浆层(2)、溅射层(3)、银浆导块组(4)、正银浆层(5)、第一电阻(6)、第二电阻(7)和第三电阻(8)；所述氮化铝陶瓷基板(1)的正反两面分别设置有正银浆层(5)和背面银浆层(2)；所述正银浆层(5)包括位于所述氮化铝陶瓷基板(1)正面两侧边的矩形银浆层(501)和位于两个所述矩形银浆层(501)中心的桥接银浆层(502)；所述银浆导块组(4)设置于所述矩形银浆层(501)和所述桥接银浆层(502)之间；所述第一电阻(6)设置于所述桥接银浆层(502)上；所述第二电阻(7)和所述第三电阻(8)分别设置于第一...

【技术特征摘要】
1.一种高频微基站用高功率贴片衰减片，其特征在于，包括：氮化铝陶瓷基板(1)、背面银浆层(2)、溅射层(3)、银浆导块组(4)、正银浆层(5)、第一电阻(6)、第二电阻(7)和第三电阻(8)；所述氮化铝陶瓷基板(1)的正反两面分别设置有正银浆层(5)和背面银浆层(2)；所述正银浆层(5)包括位于所述氮化铝陶瓷基板(1)正面两侧边的矩形银浆层(501)和位于两个所述矩形银浆层(501)中心的桥接银浆层(502)；所述银浆导块组(4)设置于所述矩形银浆层(501)和所述桥接银浆层(502)之间；所述第一电阻(6)设置于所述桥接银浆层(502)上；所述第二电阻(7)和所述第三电阻(8)分别设置于第一电阻(6)的两侧，并与第一电阻(6)相串联；所述第二电阻(7)和所述第三电阻(8)的另一侧边分别连接于所述矩形银浆层(501)上；所述氮化铝陶瓷基板(1)的侧边设置有溅射层(3)，使溅射层(3)连接于所述正银浆层(5)和所述背面银浆层(2)。


2.根据权利要求1所述的一种高频微基站用高功率贴片衰减片，其特征在于，所述银浆导块组(4)包括四个银浆导块；四个所述银浆导块均匀分布于所述第一电阻(6)、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建良，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32