一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法技术

本申请适用于薄膜晶体管技术领域，提供了一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法，其中，薄膜晶体管包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层，有源岛包括欧姆接触层和有源层；有源层用于作为所述薄膜晶体管开启时的沟道，N型半导体埋层形成于钝化层中位于有源岛的区域，以使栅极和沟道之间产生第一寄生电容，N型半导体埋层与沟道之间产生与第一寄生电容串联的第二寄生电容，第一寄生电容和第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于第一寄生电容的容量，可以提高薄膜晶体管的开关速度并降低对薄膜晶体管进行充放电时的功耗损失。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法
本申请属于薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)
，尤其涉及一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)面板、有机电激光显示(OrganicElectroluminesenceDisplay)面板、发光二极管(LightEmittingDiode，LED)面板、量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)面板等各种类型的显示面板层出不穷，为人们的日常生产和生活带来了极大便利。液晶显示面板是目前应用较为广泛的一种显示面板，其通常采用薄膜晶体管对液晶像素进行驱动，薄膜晶体管本身的结构特性使得其栅极和沟道之间会产生寄生电容，寄生电容的存在会降低薄膜晶体管的开关速度，并且在对薄膜晶体管进行充放电时会造成一定的功耗损失。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法，以解决薄膜晶体管本身的结构特性使得其栅极和沟道之间会产生寄生电容，寄生电容的存在会降低薄膜晶体管的开关速度，并且在对薄膜晶体管进行充放电时会造成一定的功耗损失的问题。本申请实施例的第一方面提供了薄膜晶体管，包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层；所述钝化层覆盖于所述漏极和所述源极，所述漏极和所述源极覆盖于所述有源岛，所述有源岛包括依次层叠设置并覆盖于所述栅极绝缘层的欧姆接触层和有源层，所述栅绝缘层覆盖于所述栅极；所述有源层用于作为所述薄膜晶体管开启时的沟道，所述N型半导体埋层形成于所述钝化层中位于所述有源岛的区域，以使所述栅极和所述沟道之间产生第一寄生电容，所述N型半导体埋层和所述沟道之间产生与所述第一寄生电容串联的第二寄生电容，所述第一寄生电容和所述第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于所述第一寄生电容的容量。在一个实施例中，所述第一寄生电容连接在所述栅极和所述漏极之间，所述栅极用于接入开启电压；所述N型半导体埋层用于通过导线接入关断电压，所述第二寄生电容形成在所述漏极和所述导线之间；所述源极和所述漏极之间未导通时，所述开启电压为所述第一寄生电容和所述第二寄生电容充电。在一个实施例中，所述开启电压等于所述栅极和所述漏极之间的电压差。在一个实施例中，所述漏极还分别与存储电容和液晶电容连接，所述存储电容用于接入公共电压或下一个所述薄膜晶体管的栅极所接入的开启电压，所述液晶电容用于接入所述公共电压；所述源极用于接入源极电压，所述源极和所述漏极之间导通时形成漏极电流，所述漏极电流所产生的漏极电压为所述第二寄生电容、所述存储电容及所述液晶电容充电。在一个实施例中，所述钝化层为第一氮化硅层。在一个实施例中，所述漏极和所述源极为第一金属层，所述栅极为第二金属层。在一个实施例中，所述欧姆接触层为N型氢化非晶硅层，所述有源层为氢化非晶硅层。在一个实施例中，所述栅绝缘层为第二氮化硅层。本申请实施例的第二方面提供一种如本申请实施例的第一方面所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：在所述薄膜晶体管的钝化层中位于所述有源岛的区域形成N型半导体埋层；从所述N型半导体层引出用于接入关断电压的导线。本申请实施例的第三方面提供一种液晶显示面板，包括：液晶像素；源极驱动器；栅极驱动器；以及如本申请实施例的第一方面所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极、源极和栅极分别与所述液晶像素的像素电极、所述源极驱动器和所述栅极驱动器连接，所述薄膜晶体管的N型半导体埋层用于通过导线与所述栅极驱动器连接。本申请实施例的第一方面提供的薄膜晶体管，包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层，钝化层覆盖于漏极和源极，漏极和源极覆盖于有源岛，有源岛包括依次层叠设置并覆盖于栅极绝缘层的欧姆接触层和有源层，栅绝缘层覆盖于栅极；有源层用于作为薄膜晶体管开启时的沟道，N型半导体埋层形成于钝化层中位于有源岛的区域，以使栅极和沟道之间产生第一寄生电容，N型半导体埋层和沟道之间产生与第一寄生电容串联的第二寄生电容，第一寄生电容和第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于第一寄生电容的容量，通过在钝化层中形成N型半导体埋层，使得在N型半导体埋层和沟道之间产生的寄生电容能够与栅极和沟道之间产生的寄生电容串联，从而降低薄膜晶体管的整体寄生电容的容量，从而提高薄膜晶体管的开关速度并降低对薄膜晶体管进行充放电时的功耗损失。可以理解的是，上述第二方面和第三方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的薄膜晶体管的第一种结构示意图；图2是本申请实施例提供的薄膜晶体管的第一种等效电路原理图；图3是本申请实施例提供的薄膜晶体管的第二种结构示意图；图4是本申请实施例提供的薄膜晶体管的第二种等效电路原理图；图5是本申请实施例提供的薄膜晶体管的第三种结构示意图；图6是本申请实施例提供的薄膜晶体管的第三种等效电路原理图；图7是本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。具体实施方式以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。如图1所示，本申请实施例提供一种薄膜晶体管100，其包括钝化层1、漏极2、源极3、有源岛、栅绝缘层6、栅极7，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层；/n所述钝化层覆盖于所述漏极和所述源极，所述漏极和所述源极覆盖于所述有源岛，所述有源岛包括依次层叠设置并覆盖于所述栅极绝缘层的欧姆接触层和有源层，所述栅绝缘层覆盖于所述栅极；/n所述有源层用于作为所述薄膜晶体管开启时的沟道，所述N型半导体埋层形成于所述钝化层中位于所述有源岛的区域，以使所述栅极和所述沟道之间产生第一寄生电容，所述N型半导体埋层和所述沟道之间产生与所述第一寄生电容串联的第二寄生电容，所述第一寄生电容和所述第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于所述第一寄生电容的容量。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层；
所述钝化层覆盖于所述漏极和所述源极，所述漏极和所述源极覆盖于所述有源岛，所述有源岛包括依次层叠设置并覆盖于所述栅极绝缘层的欧姆接触层和有源层，所述栅绝缘层覆盖于所述栅极；
所述有源层用于作为所述薄膜晶体管开启时的沟道，所述N型半导体埋层形成于所述钝化层中位于所述有源岛的区域，以使所述栅极和所述沟道之间产生第一寄生电容，所述N型半导体埋层和所述沟道之间产生与所述第一寄生电容串联的第二寄生电容，所述第一寄生电容和所述第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于所述第一寄生电容的容量。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一寄生电容连接在所述栅极和所述漏极之间，所述栅极用于接入开启电压；
所述N型半导体埋层用于通过导线接入关断电压，所述第二寄生电容形成在所述漏极和所述导线之间；
所述源极和所述漏极之间未导通时，所述开启电压为所述第一寄生电容和所述第二寄生电容充电。


3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述开启电压等于所述栅极和所述漏极之间的电压差。


4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极还分别与存储电容和液晶电容连接，所述存储电容用于接入公共电压或下一个所述薄膜晶体管的栅极所接入的开启电压，所述液晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张元平，
申请(专利权)人：重庆先进光电显示技术研究院，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50