一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法技术

本申请适用于薄膜晶体管技术领域，提供了一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法，其中，薄膜晶体管包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层，有源岛包括欧姆接触层和有源层；有源层用于作为所述薄膜晶体管开启时的沟道，N型半导体埋层形成于钝化层中位于有源岛的区域，以使栅极和沟道之间产生第一寄生电容，N型半导体埋层与沟道之间产生与第一寄生电容串联的第二寄生电容，第一寄生电容和第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于第一寄生电容的容量，可以提高薄膜晶体管的开关速度并降低对薄膜晶体管进行充放电时的功耗损失。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法
本申请属于薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)
，尤其涉及一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)面板、有机电激光显示(OrganicElectroluminesenceDisplay)面板、发光二极管(LightEmittingDiode，LED)面板、量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)面板等各种类型的显示面板层出不穷，为人们的日常生产和生活带来了极大便利。液晶显示面板是目前应用较为广泛的一种显示面板，其通常采用薄膜晶体管对液晶像素进行驱动，薄膜晶体管本身的结构特性使得其栅极和沟道之间会产生寄生电容，寄生电容的存在会降低薄膜晶体管的开关速度，并且在对薄膜晶体管进行充放电时会造成一定的功耗损失。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制作方法，以解决薄膜晶体管本身的结构特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层；/n所述钝化层覆盖于所述漏极和所述源极，所述漏极和所述源极覆盖于所述有源岛，所述有源岛包括依次层叠设置并覆盖于所述栅极绝缘层的欧姆接触层和有源层，所述栅绝缘层覆盖于所述栅极；/n所述有源层用于作为所述薄膜晶体管开启时的沟道，所述N型半导体埋层形成于所述钝化层中位于所述有源岛的区域，以使所述栅极和所述沟道之间产生第一寄生电容，所述N型半导体埋层和所述沟道之间产生与所述第一寄生电容串联的第二寄生电容，所述第一寄生电容和所述第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于所述第一寄生电容的容量。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括钝化层、漏极、源极、有源岛、栅绝缘层、栅极及N型半导体埋层；
所述钝化层覆盖于所述漏极和所述源极，所述漏极和所述源极覆盖于所述有源岛，所述有源岛包括依次层叠设置并覆盖于所述栅极绝缘层的欧姆接触层和有源层，所述栅绝缘层覆盖于所述栅极；
所述有源层用于作为所述薄膜晶体管开启时的沟道，所述N型半导体埋层形成于所述钝化层中位于所述有源岛的区域，以使所述栅极和所述沟道之间产生第一寄生电容，所述N型半导体埋层和所述沟道之间产生与所述第一寄生电容串联的第二寄生电容，所述第一寄生电容和所述第二寄生电容串联形成的等效电容的容量小于所述第一寄生电容的容量。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一寄生电容连接在所述栅极和所述漏极之间，所述栅极用于接入开启电压；
所述N型半导体埋层用于通过导线接入关断电压，所述第二寄生电容形成在所述漏极和所述导线之间；
所述源极和所述漏极之间未导通时，所述开启电压为所述第一寄生电容和所述第二寄生电容充电。


3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述开启电压等于所述栅极和所述漏极之间的电压差。


4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极还分别与存储电容和液晶电容连接，所述存储电容用于接入公共电压或下一个所述薄膜晶体管的栅极所接入的开启电压，所述液晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张元平，
申请(专利权)人：重庆先进光电显示技术研究院，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50