一种产生圆偏振光的器件制造技术

本发明专利技术涉及圆偏振光制备领域，具体提供了一种产生圆偏振光的器件，包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部，贵金属微纳结构阵列层置于基底上，锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于贵金属微纳结构阵列层的中部，第一施力部和第二施力置于贵金属微纳结构阵列层上固定连接锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧，贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构，L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂，第一施力部和第二施力部的连线方向沿L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。本发明专利技术产生圆偏振光简单，所制备的贵金属微纳结构阵列层可以重复利用，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种产生圆偏振光的器件
本专利技术涉及圆偏振光制备领域，具体涉及一种产生圆偏振光的器件。
技术介绍
不同偏振的圆偏振光与手性物质作用时，表现出不同的响应。因此，制备圆偏振光是手性光学的基础。传统产生圆偏振光的器件不能调节，制备不同偏振的圆偏振光时，需要重新制作器件，成本高。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种产生圆偏振光的器件，包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部，贵金属微纳结构阵列层置于基底上，锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于贵金属微纳结构阵列层的中部，第一施力部和第二施力部置于贵金属微纳结构阵列层上固定连接锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧，贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构，L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂，第一施力部和第二施力部的连线方向沿L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。更进一步地，基底的材料为透明材料。更进一步地，L形贵金属微纳结构的厚度小于100纳米。更进一步地，L形贵金属微纳结构部分地嵌入所述基底内。更进一步地，L形贵金属微纳结构的两臂相同。更进一步地，贵金属微纳结构阵列层的材料为金或银。更进一步地，基底的材料为二氧化硅。更进一步地，周期为方形周期或矩形周期。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种产生圆偏振光的器件，包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部，贵金属微纳结构阵列层置于基底上，锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于贵金属微纳结构阵列层的中部，第一施力部和第二施力部置于贵金属微纳结构阵列层上固定连接锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧，贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构，L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂，第一施力部和第二施力部的连线方向沿L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。应用时，通过第一施力部和第二施力部向锆钛酸铅镧透明陶瓷部施加压力，压力改变了沿压力方向电场振动分量的折射率；同时，应用线偏振光从锆钛酸铅镧透明陶瓷部一侧垂直照射贵金属微纳结构阵列层，线偏振光的方向沿L形贵金属微纳结构的角平分线方向。这样一来，线偏振光被分解为沿L形贵金属微纳结构两臂方向的分量，而这两种振动分量产生了光程差，在基底一侧出射时，两种振动分量合成为圆偏振光。因为上述光程差可以通过所施加的压力调控，所以本专利技术产生圆偏振光简单，所制备的贵金属微纳结构阵列层可以重复利用，成本低。以下将结合附图对本专利技术做进一步详细说明。附图说明图1是一种产生圆偏振光的器件的示意图。图2是的L形贵金属微纳结构阵列的示意图。图中：1、基底；2、贵金属微纳结构阵列层；3、锆钛酸铅镧透明陶瓷部；4、第一施力部；5、第二施力部。具体实施方式为进一步阐述本专利技术达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本专利技术的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。实施例1本专利技术提供了一种产生圆偏振光的器件，如图1所示，包括基底1、贵金属微纳结构阵列层2、锆钛酸铅镧透明陶瓷部3、第一施力部4、第二施力部5。贵金属微纳结构阵列层2置于基底1上。基底1的材料为透明材料。具体地，基底1的材料为二氧化硅。贵金属微纳结构阵列层2的材料为金或银。锆钛酸铅镧透明陶瓷部3置于贵金属微纳结构阵列层2的中部。第一施力部4和第二施力部5置于贵金属微纳结构阵列层2上固定连接锆钛酸铅镧透明陶瓷部3的相对两侧。在压力作用下，锆钛酸铅镧透明陶瓷部3的折射率变化。如图2所示，贵金属微纳结构阵列层2包括周期排列的L形贵金属微纳结构，L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂。具体地，L形贵金属微纳结构排布的周期为方形周期或矩形周期。第一施力部4和第二施力部5的连线方向沿L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。也就是说，针对锆钛酸铅镧透明陶瓷部3产生压力的方向沿L形贵金属微纳结构臂的方向。应用时，通过第一施力部4和第二施力部5向锆钛酸铅镧透明陶瓷部3施加压力，压力改变了沿压力方向电场振动分量对应的入射光的折射率；同时，应用线偏振光从锆钛酸铅镧透明陶瓷部3一侧垂直照射贵金属微纳结构阵列层2，线偏振光的偏振方向沿L形贵金属微纳结构的角平分线方向，也就是两臂的角平分线方向。这样一来，线偏振光被分解为沿L形贵金属微纳结构两臂方向的分量，而这两种振动分量产生了光程差。在基底1一侧出射时，两种振动分量合成为圆偏振光。因为上述光程差可以通过所施加的压力调控，所以本专利技术产生圆偏振光简单，所制备的贵金属微纳结构阵列层可以重复利用，成本低。实施例2在实施例1的基础上，L形贵金属微纳结构的厚度小于100纳米。也就是说，在L形贵金属微纳结构中的电子主要沿水平方向振动，而不是沿竖直或倾斜方向振动。这样一来，调控L形贵金属微纳结构中的两相互垂直的振动分量的相位差简单。更进一步地，L形贵金属微纳结构部分地嵌入所述基底1内，以免在压力作用下，当锆钛酸铅镧透明陶瓷层3发生微小位移时，造成对L形贵金属微纳结构的移动。更进一步地，L形贵金属微纳结构的两臂相同。这样一来，具有位相差的两垂直电矢量振动的强度也相同，以便于在基底1一侧出射时，能够产生更强的圆偏振光。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种产生圆偏振光的器件，其特征在于，包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部，所述贵金属微纳结构阵列层置于所述基底上，所述锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于所述贵金属微纳结构阵列层的中部，所述第一施力部和所述第二施力部置于所述贵金属微纳结构阵列层上固定连接所述锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧，所述贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构，所述L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂，所述第一施力部和所述第二施力部的连线方向沿所述L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。/n

【技术特征摘要】
1.一种产生圆偏振光的器件，其特征在于，包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部，所述贵金属微纳结构阵列层置于所述基底上，所述锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于所述贵金属微纳结构阵列层的中部，所述第一施力部和所述第二施力部置于所述贵金属微纳结构阵列层上固定连接所述锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧，所述贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构，所述L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂，所述第一施力部和所述第二施力部的连线方向沿所述L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。


2.如权利要求1所述的产生圆偏振光的器件，其特征在于：所述基底的材料为透明材料。


3.如权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：吕岩，
类型：发明
国别省市：陕西;61