【技术实现步骤摘要】
一种高精度过流保护电路
本专利技术涉及电源保护
，具体涉及一种高精度过流保护电路。
技术介绍
随着电源管理IC和电机控制IC市场的兴起，对于电路保护的需求也是日新月异，其中过流保护是电路保护最重要的一环之一，过流保护电路就是将电源的输出电流限制在一个固定的范围内，避免输出端超过额定负载或短路时，对电源造成损坏,以至造成系统不能正常工作，从而是实现对系统或负载的保护，目前过流保护电路的常见设计难点主要在于过流保护点温漂过大、精度较差和保护点调试困难等方面，这些问题限制了过流保护电路的应用范围。
技术实现思路
为了克服这些技术难点，本专利技术提供了一种温漂小、精度高、易调试的高精度过流保护电路,所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块依次连接，所述采样输入模块包括NMOS管M1，NMOS管M1依次与NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7...
【技术保护点】
1.一种高精度过流保护电路,其特征在于,所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块依次连接，所述采样输入模块包括NMOS管M1，NMOS管M1依次与NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7及NMOS管M8相连接，NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5及NMOS管M6的漏极依次连接有S1、S2、S3及S4四个烧写位，三极管T1的发射极连接电阻R1，三极管T1连接三极管T2，三极管T2的集电极连接NMOS管...
【技术特征摘要】
1.一种高精度过流保护电路,其特征在于,所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块依次连接，所述采样输入模块包括NMOS管M1，NMOS管M1依次与NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7及NMOS管M8相连接，NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5及NMOS管M6的漏极依次连接有S1、S2、S3及S4四个烧写位，三极管T1的发射极连接电阻R1，三极管T1连接三极管T2，三极管T2的集电极连接NMOS管M2的漏极，驱动管Q1的源极连接采样电阻Rs，NMOS管M7的漏极连接电阻Rr，所述R1和Rr为同类型的匹配电阻，所述采样电阻Rs为金属电阻，所述放大比较模块包括NMOS管M9，NMOS管M9的漏极连接NMOS管M8的漏极，NMOS管M9和NMOS管M10的栅极相连，NMOS管M10和NMOS管M11的漏极相连，NMOS管M11依次连接NMOS管M12和NMOS管M13，NMOS管M12和NMOS管M14通过漏极相连，NMOS管M13和NMOS管M15通过漏极相连，NMOS管M14和NMOS管M15的栅极相连，NMOS管M14的源极连接三极管T3的发射极，三极管T3的基极连接NMOS管M7的漏极，NMOS管M15连接三极管T4的发射极，三极管T4的基极连接驱动管Q1的源极，所述钳位限流模块包括NMOS管M19，NMOS管M19的源极连接NMOS管M13和NMOS管M15的漏极，NMOS管M19和NMOS管M20的漏极连接，NMOS管M20与NMOS管M21通过栅极相连，NMOS管M20的源极连接NMOS管M22的漏极，NMOS管M16与NMOS管M17通过栅极相连，NMOS管M16的漏极连接NMOS管M23的漏极。
2.根据权利要求1所述的高精度过流保护电路,其特征在于,所述NMOS管M1、NMOS管M9、NMOS管M11、NMOS管M14、NMOS管M16、NMOS管M19及NMOS管M20的漏极和栅极连接在一起，NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7及NMOS管M8的栅极相连，NMOS管M11、NMOS管M12和NMOS管M13的栅极相连，所述NMOS管M10、NMOS管M22、NMOS管M2...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗寅，丁国华，谭在超，张胜，肖会明，陈杰，
申请(专利权)人：无锡众享科技有限公司，苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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