【技术实现步骤摘要】
一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统
本专利技术涉及晶体生长
，尤其是一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统。
技术介绍
晶体生长周期比较长（约2周），在晶体生长过程中，随着时间的增加，晶体生长炉膛内的挥发物就会越来越多。在晶体生长过程中，由于温场及原料中挥发出来的杂质再掉入到坩埚中，直接导致晶体质量下降，轻则晶体中散射颗粒增多，重则晶体直接报废。为了除去晶体生长过程中的挥发物，有的厂家会使用惰性的流动气体将晶体生长过程中的挥发物带走，在惰性气体（如氩气）中，氮气的价格相对较低，但是很多材料会与氮气反应会生成氮化物，因此，在晶体生长过程中，一般会选择高纯的惰性气体，而这类的惰性流动气体的费用较高，并且晶体生长的周期比较长，这种除去炉膛中挥发物的方式，浪费了大量惰性气体的同时也增加了晶体生长的成本。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种晶体生长过程中的挥发物处理系统，通过较为经济的方式解决炉膛内挥发物富集而造成的晶体生产缺陷。为实现上述目的，本专利技术的
【技术保护点】
1.一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统，其特征在于，包括：与晶体生长炉炉膛顶部和炉膛底部分别连通的鼓风装置和挥发物捕捉器，连接在所述鼓风装置和所述挥发物捕捉器之间的过滤器；所述挥发物捕捉器内设置冷凝吸附装置；晶体生长炉炉膛内的气体依次经过所述挥发物捕捉器冷凝吸附，所述过滤器过滤，由所述鼓风装置再次送入晶体生长炉炉膛内。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统，其特征在于，包括：与晶体生长炉炉膛顶部和炉膛底部分别连通的鼓风装置和挥发物捕捉器，连接在所述鼓风装置和所述挥发物捕捉器之间的过滤器；所述挥发物捕捉器内设置冷凝吸附装置；晶体生长炉炉膛内的气体依次经过所述挥发物捕捉器冷凝吸附，所述过滤器过滤，由所述鼓风装置再次送入晶体生长炉炉膛内。
2.根据权利要求1所述的挥发物处理系统，其特征在于，还包括：安装在所述挥发物捕捉器和所述过滤器之间的风冷装置；所述挥发物捕捉器排出的气体经过所述风冷装置冷却后，进入所述过滤器。
3.根据权利要求2所述的挥发物处理系统，其特征在于，所述风冷装置包括：安装在气体管道上的散热器和第一热电偶，与所述散热器位置对应的风冷风扇，风冷调速器，第一温控仪；所述第一温控仪用于根据所述第一热电偶测量气体的温度信号控制所述风冷调速器改变所述风冷风扇的转速。
4.根据权利要求1或2所述的挥发物处理系统，其特征在于，还包括：安装在所述鼓...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘景峰，
申请(专利权)人：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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