一种开关管电路结构及电路系统技术方案

本发明专利技术公开了一种开关管电路结构及电路系统，包括：第一开关管以及第二开关管，第一开关管的输入端能够与外部正电源连接，第二开关管的输出端能够与外部负电源连接，第一开关管的输出端以及第二开关管的输入端均接地；驱动单元，驱动单元分别与第一开关管的控制端以及第二开关管的控制端连接。在第一开关管导通并且第二开关管截止的情况下，正电源通过第一开关管与地构成回路进行泄放，使得第二开关管不会承受正电源与负电源之间的全部电压差，实现减少施加在第二开关管上电压大小的效果，同理，在第一开关管截止并且第二开关管导通的情况下，亦能够减少施加在第一开关管上电压大小的效果，有利于降低第一开关管与第二开关管被损坏的几率。

【技术实现步骤摘要】
一种开关管电路结构及电路系统
本专利技术涉及开关管领域，特别涉及一种开关管电路结构及电路系统。
技术介绍
开关管作为常用的电子元件，被广泛应用在不同产品设备当中，其中IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，因而常用于功率电路、测试电路等大电流高功率的电路当中。两个开关管连接构成半桥是常用的电路结构。现有技术中，为了实现某些功能，有时候需要在半桥的一端连接正电压，而在半桥的另一端连接负电压，此时当半桥中一个开关管导通并且另一个开关管截止的时候，正电压与负电压之间的电压差几乎全施加在截止的开关管上，令开关管受电压较高。并且结合电路中杂散电感等因素，使得开关管截止或导通时会产生尖峰电压，导致在正电压配合负电压使用的情况下，开关管容易受电压过高而被击穿损坏。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种开关管电路结构，其能够在正电源配合负电源使用的情况下，降低第一开关管和第二开关管被损坏的几率。本专利技术还提出电路系统，其能够在正电源配合负电源使用的情况下，降低第一开关管和第二开关管被损坏的几率。根据本专利技术第一方面实施例的一种开关管电路结构，包括：第一开关管以及第二开关管，所述第一开关管的输入端能够与外部正电源连接，所述第二开关管的输出端能够与外部负电源连接，所述第一开关管的输出端与所述第二开关管的输入端连接并且接地；驱动单元，所述驱动单元分别与所述第一开关管的控制端以及所述第二开关管的控制端连接。根据本专利技术实施例的一种开关管电路结构，至少具有如下有益效果：驱动单元控制第一开关管与第二开关管工作，通过第一开关管的输出端与第二开关管的输入端连接后接地，使得在第一开关管导通并且第二开关管截止的情况下，正电源通过第一开关管与地构成回路进行泄放，使得第二开关管不会承受正电源与负电源之间的全部电压差，实现减少施加在第二开关管上电压大小的效果，同理，在第一开关管截止并且第二开关管导通的情况下，亦能够减少施加在第一开关管上电压大小的效果。以此结构，第一开关管与第二开关管均导通或均截止时，与传统结构流经的电流大小相同，在其中之一截止并且另一导通时，有利于降低第一开关管与第二开关管被损坏的几率，提高可靠性。根据本专利技术的一些实施例，所述第一开关管与所述第二开关管均为IGBT。根据本专利技术的一些实施例，还包括第一续流二极管以及第二续流二极管，所述第一续流二极管的阴极与所述第一开关管的输入端连接，所述第一续流二极管的阳极与所述第一开关管的输出端连接，所述第二续流二极管的阴极与所述第二开关管的输入端连接，所述第二续流二极管的阳极与所述第二开关管的输出端连接。根据本专利技术的一些实施例，还包括尖峰吸收模块，所述尖峰吸收模块与所述第一开关管和/或第二开关管连接。根据本专利技术的一些实施例，所述尖峰吸收模块包括至少一个吸收单元；所述吸收单元的输入端与所述第一开关管的输入端连接，所述吸收单元的输出端接地；或者，所述吸收单元的输入端与所述第一开关管的输入端连接，所述吸收单元的输出端与所述第二开关管的输出端连接；或者，所述吸收单元的输入端接地，所述吸收单元的输出端与所述第二开关管的输出端连接。根据本专利技术的一些实施例，所述吸收单元包括二极管、电阻以及电容，所述二极管的阳极与所述电阻的一端连接作为所述吸收单元的输入端，所述二极管的阴极分别与所述电阻的另一端以及所述电容的一端连接，所述电容的另一端作为所述吸收单元的输出端。根据本专利技术的一些实施例，所述吸收单元有三个分别为第一吸收单元、第二吸收单元以及第三吸收单元，所述第一吸收单元的输入端与所述第一开关管的输入端连接，所述第一吸收单元的输出端接地；所述第二吸收单元的输入端与所述第一开关管的输入端连接，所述第二吸收单元的输出端与所述第二开关管的输出端连接；所述第三吸收单元的输入端接地，所述第三吸收单元的输出端与所述第二开关管的输出端连接。根据本专利技术第二方面实施例的电路系统，包括上述的一种开关管电路结构，还包括正电源、负电源、第一负载以及第二负载，所述正电源通过所述第一负载与所述第一开关管的输入端连接，所述负电源通过所述第二负载与所述第二开关管的输出管连接。根据本专利技术实施例的电路系统，至少具有如下有益效果：驱动单元根据需求控制第一开关管以及第二开关管导通或截止，以控制流经第一负载与第二负载的电流，以满足使用需求。第一开关管的输出端与第二开关管的输入端连接并且接地，以此，在第一开关管与第二开关管均截止时，与传统结构流经的电流大小相同，正电源与负电源的电压差由第一开关管与第二开关管分压承受，在第一开关管与第二开关管均导通时，与传统结构流经电流大小相同。在第一开关管与第二开关管其中之一导通并且另一截止时，相对传统结构，能够减少第一开关管或第二开关管承受的电压，有利于降低第一开关管与第二开关管被损坏的几率，提高可靠性。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本专利技术其中一种实施例的电路图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。如图1所示，根据本专利技术实施例的一种开关管电路结构，包括：第一开关管100以及第二开关管200，第一开关管100的输入端能够与外部正电源连接，第二开关管200的输出端能够与外部负电源连接，第一开关管100的输出端与第二开关管200的输入端连接并且接地；驱动单元300，驱动单元300分别与第一开关管100的控制端以及第二开关管200的控制端连接。驱动单元300控制第一开关管100与第二开关管200工作，通过第一开关管100的输出端与第二开关管200的输入端连接并且接地，使得在第一开关管100导通并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关管电路结构，其特征在于，包括：/n第一开关管(100)以及第二开关管(200)，所述第一开关管(100)的输入端能够与外部正电源连接，所述第二开关管(200)的输出端能够与外部负电源连接，所述第一开关管(100)的输出端与所述第二开关管(200)的输入端连接并且接地；/n驱动单元(300)，所述驱动单元(300)分别与所述第一开关管(100)的控制端以及所述第二开关管(200)的控制端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种开关管电路结构，其特征在于，包括：
第一开关管(100)以及第二开关管(200)，所述第一开关管(100)的输入端能够与外部正电源连接，所述第二开关管(200)的输出端能够与外部负电源连接，所述第一开关管(100)的输出端与所述第二开关管(200)的输入端连接并且接地；
驱动单元(300)，所述驱动单元(300)分别与所述第一开关管(100)的控制端以及所述第二开关管(200)的控制端连接。


2.根据权利要求1所述的一种开关管电路结构，其特征在于：所述第一开关管(100)与所述第二开关管(200)均为IGBT。


3.根据权利要求1或2所述的一种开关管电路结构，其特征在于：还包括第一续流二极管(400)以及第二续流二极管(500)，所述第一续流二极管(400)的阴极与所述第一开关管(100)的输入端连接，所述第一续流二极管(400)的阳极与所述第一开关管(100)的输出端连接，所述第二续流二极管(500)的阴极与所述第二开关管(200)的输入端连接，所述第二续流二极管(500)的阳极与所述第二开关管(200)的输出端连接。


4.根据权利要求1或2所述的一种开关管电路结构，其特征在于：还包括尖峰吸收模块(600)，所述尖峰吸收模块(600)与所述第一开关管(100)和/或第二开关管(200)连接。


5.根据权利要求4所述的一种开关管电路结构，其特征在于：所述尖峰吸收模块(600)包括至少一个吸收单元；所述吸收单元的输入端与所述第一开关管(100)的输入端连接，所述吸收单元的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪天平，付传兵，吴志恒，
申请(专利权)人：中山市科力高氢能设备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44