【技术实现步骤摘要】
一种IGBT模块管脚与功率端子的预焊接结构
本技术涉及IGBT模块焊接
,特别涉及一种IGBT模块管脚与功率端子的预焊接结构。
技术介绍
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。现有的IGBT模块管脚的焊接大多采用传统回流焊的形式,即首先需要在产品管脚焊接的位置通过人工或者设备涂上一定量的锡膏,再将管脚通过人工或设备插入到管脚焊接治具内,然后将IGBT模块半成品通过人工组装到治具内,最后将组装好的治具放入回流炉内进行回流。回流完成后通过拆卸夹具将模块从焊接治具内取出,从而完成管脚焊接。但在现有技术中的焊接存在以下问题:1、焊接管脚需要将整个产品再进行一次回流,比较浪费成本,因为治具本身体积较大,会浪费很多能量,且将整个产品回流存在使IGBT模块芯片下的空洞聚集变大的风险,从而使IGBT模块容易失效报废。2、焊接管脚需要用专门的治具来固定管脚,治具成本较高,且治具大多不可多品种 ...
【技术保护点】
1.一种IGBT模块管脚与功率端子的预焊接结构,其特征在于:所述IGBT模块管脚与功率端子的预焊接结构包括一个基板,多个设置在所述基板上功率端子,一个设置在所述功率端子上的管脚,以及一个设置在所述管脚上的超声波焊头,多个所述功率端子水平设置在所述基板上,所述管脚包括一个设置在所述功率端子上的焊接座,以及一个与所述焊接座连接的针头部,所述焊接座设置在所述功率端子的顶端并与所述功率端子相互贴合,所述焊接座位于所述功率端子和所述超声波焊头之间,所述焊接座所在平面与所述功率端子的所在平面及所述基板相互平行,所述针头部的中心轴垂直于所述焊接座的所在平面,所述超声波焊头一端设置在所述焊 ...
【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块管脚与功率端子的预焊接结构,其特征在于:所述IGBT模块管脚与功率端子的预焊接结构包括一个基板,多个设置在所述基板上功率端子,一个设置在所述功率端子上的管脚,以及一个设置在所述管脚上的超声波焊头,多个所述功率端子水平设置在所述基板上,所述管脚包括一个设置在所述功率端子上的焊接座,以及一个与所述焊接座连接的针头部,所述焊接座设置在所述功率端子的顶端并与所述功率端子相互贴合,所述焊接座位于所述功率端子和所述超声波焊头之间,所述焊接座所在平面与所述功率端子的所在平面及所述基板相互平行,所述针头部的中心轴垂直于所述焊接座的所在平面,所述超声波焊头一端设置在所述焊接座上并压紧所述焊接座和所述功率端子。
2.如权利要求1所述的IGBT模块管脚与功率端子的预焊接结构,其特征在于:所述IGBT...
【专利技术属性】
技术研发人员:张磊,朱涛,孙瑞,
申请(专利权)人:赛晶亚太半导体科技浙江有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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