【技术实现步骤摘要】
电阻失配模型及提取方法
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种电阻失配模型及提取方法。
技术介绍
电阻器件是集成电路中常用的无源器件。受刻蚀选择性、激光退火角度，离子注入方向等制造工艺的影响，成对出现的电阻失配结构往往存在阻值特性的差异。电阻模型中通常使用失配模型去拟合这一失配现象。随着半导体工艺制造尺寸的不断减小，电阻失配特性对电路设计的影响逐渐显现，电路设计者对电阻模型拟合精度的要求也越来越高，常规的电阻失配模型与器件尺寸上的关联性过于单一，无法进一步修正电阻器件尺寸对失配特性的影响，因此，现有的电阻失配模型拟合已经无法满足集成电路设计师对电阻器件失配模型精度的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电阻失配模型及提取方法，提高了电阻失配模型的拟合精度，使之能更精确地表征不同尺寸下电阻器件的实际失配特性。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种电阻失配模型，所述电阻失配模型为：Rshmis＝arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flagg...
【技术保护点】
1.一种电阻失配模型，其特征在于，所述电阻失配模型为：/nRshmis＝arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flag/ngeo_fac＝1/sqrt(w*l)/narsh＝arsh0*f(w，l)/nf(w，l)＝power(l，larsh0)*power(w，warsh0)*power(w*l，parsh0)/n其中，geo_fac为电阻器件的几何因子，w为电阻器件的宽度，l为电阻器件的长度，sigma_mis＝aguass(0，1，1)为高斯正态分布随机数，mismatch_flag＝0 or 1，用于控制电阻失配模型失配特性仿真时的打开或关...
【技术特征摘要】
1.一种电阻失配模型，其特征在于，所述电阻失配模型为：
Rshmis＝arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flag
geo_fac＝1/sqrt(w*l)
arsh＝arsh0*f(w，l)
f(w，l)＝power(l，larsh0)*power(w，warsh0)*power(w*l，parsh0)
其中，geo_fac为电阻器件的几何因子，w为电阻器件的宽度，l为电阻器件的长度，sigma_mis＝aguass(0，1，1)为高斯正态分布随机数，mismatch_flag＝0or1，用于控制电阻失配模型失配特性仿真时的打开或关闭；arsh0为大尺寸电阻器件的修正系数；f(w，l)为与电阻器件尺寸相关的修正函数，larsh0为电阻器件在长度维度上的修正系数、warsh0为电阻器件在宽度维度上的修正系数，parsh0为小尺寸电阻器件的修正系数特。
2.一种如权利要求1所述的电阻失配模型的提取方法，其特征在于，包括：
S1、设计不同尺寸的电阻失配对，每个电阻失配对包括两个尺寸相同的电阻器件，根据所述电阻器件的尺寸将所述电阻失配对划分为第一失配对、第二失配对、第三失配对及第四失配对，所述第一失配对中电阻器件的长度大于设定长度阈值且宽度大于设定宽度阈值，所述第二失配对中电阻器件的宽度相同且长度不同，所述第三失配对中电阻器件的长度相同且宽度不同，所述第四失配对中电阻器件的长度小于设定长度阈值且宽度小于设定宽度阈值；
S2、测量不同尺寸的电阻失配对的电阻失配值；
S3、建立基本的电阻失配模型；
S4、对所述第一失配对的失配特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S5，如拟合好，则进入S6；
S5、修改大尺寸电阻器件的修正系数，并进入S4；
S6、建立引入与所述电阻器件尺寸相关的修正函数的电阻失配模型；
S7、依次对所述第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S8，如拟合好，则进入S9；
S8、对应修改电阻器件在长度维度上的修正系数、宽度维度上的修正系数或小尺寸电阻器件的修正系数，并进入S7；
S9、根据S7得到电阻失配模型，并对所述电阻失配模型进行验证。
3.如权利要求2所述的电阻失配模型的提取方法，其特征在于，所述S7中，依次所...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁琳，商干兵，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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