含有磺酸盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供抗蚀剂形状良好的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明专利技术课题的手段，涉及一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与

【技术实现步骤摘要】
含有磺酸盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物本申请是申请日为2013年7月29日、申请号为201380029266.2、专利技术名称为“含有磺酸盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体装置的制造所使用的用于在基板与抗蚀剂(例如，EUV抗蚀剂)之间形成下层膜的组合物。详细地说，本专利技术涉及在半导体装置制造的光刻工序中用于形成抗蚀剂的下层所使用的下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，本专利技术涉及使用了该下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的形成方法。
技术介绍
一直以来，在半导体装置的制造中，通过使用了光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。上述微细加工为在硅片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上介由描绘有半导体器件图案的掩模图案来照射紫外线等活性光线，进行显影，将所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸的加工法。然而，近年来，半导体器件的高集成度化进展，所使用的活性光线也有从KrF准分子激光(248nm)向ArF准分子激光(193nm)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含磺酸根离子与

【技术特征摘要】
20120730 JP 2012-1687281.一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含磺酸根离子与离子的盐,
所述磺酸根离子为选自下述式中的磺酸根离子，



上式中，n表示1～1000，
所述离子为包含至少一个具有芳香族环的有机基团的锍离子或铵离子，
所述水解性有机硅烷包含选自式(1)和式(2)中的至少1种有机硅化合物、其水解物或其水解缩合物，
R1aSi(R2)4-a式(1)
式(1)中，R1表示烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基或链烯基，或者为具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、烷氧基芳基、酰氧基芳基、异氰脲酸酯基、羟基、环状氨基或氰基、并且通过Si-C键与硅原子结合的有机基团或它们的组合，R2表示烷氧基、酰氧基或卤基，a表示0～3的整数，
〔R3cSi(R4)3-c〕2Yb式(2)
式(2)中，R3表示烷基，R4表示烷氧基、酰氧基或卤基，Y表示亚烷基或亚芳基，b表示0或1的整数，c为0或1的整数。


2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其以聚合物的形式包含所述式(1)所示的化合物的水解缩合物。


3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴山亘，志垣修平，坂本力丸，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP