一种形貌可控的二氧化硅纳米阵列及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于纳米材料技术领域，具体为一种形貌可控的二氧化硅纳米阵列及其制备方法和应用。本发明专利技术提供的二氧化硅纳米阵列，其阵列高度为8‑46 nm，分布密度为210‑3100/μm

【技术实现步骤摘要】
一种形貌可控的二氧化硅纳米阵列及其制备方法和应用
本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种具有形貌可控的二氧化硅纳米阵列及其制备方法和应用。
技术介绍
纳米-生物相互作用受到基底的表面结构的影响，但现有的一些方法(如化学蚀刻工艺、电化学沉积、化学气相沉积)，其加工过程往往比较复杂，且难以在纳米尺度精确调控表面结构。与光滑界面相比，具有纳米形貌界面的基底如纳米阵列、纳米纤维等与细胞的相互作用方式不同。已有研究表明，表面纳米结构可以显著增加基底与细胞(如纳米级微绒毛、丝状伪足、表面受体等)之间的接触频率，从而提高细胞的的粘附效率。因此，提供一种简单的生长方法来生长可控纳米形貌的二氧化硅纳米阵列，具有重要的科研和应用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制备方便、形貌可控的二氧化硅纳米阵列及其制备方法和应用。本专利技术提供的二氧化硅纳米阵列，其表面形貌参数可调，具体包括高度为8-46nm，分布密度为210-3100/μm2。本专利技术提供的二氧化硅纳米阵列的制备方法，采用油/水双相的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形貌可控的二氧化硅纳米阵列的制备方法，其特征在于，采用油/水双相的单胶束外延生长方法，以CTAB为结构导向剂，TEOS为前驱体，NaOH为催化剂，将基片置于水相中，进行硅纳米阵列的表面包裹，具体步骤为：/n（1）依次将CTAB、NaOH溶解在水中，获得澄清溶液，控制温度为50-70 ℃；/n（2）加入基片，继续50-70 ℃搅拌；/n（3）加入环己烷和TEOS的混合溶液；/n（4）控制温度为50 ~ 70 ℃，反应36-48 h小时；/n（5）反应结束后，取出基片，洗涤，得到在基片上生长的二氧化硅纳米阵列层；所述二氧化硅纳米阵列的高度为8-46 nm，分布密度为210-3100 /μm

【技术特征摘要】
1.一种形貌可控的二氧化硅纳米阵列的制备方法，其特征在于，采用油/水双相的单胶束外延生长方法，以CTAB为结构导向剂，TEOS为前驱体，NaOH为催化剂，将基片置于水相中，进行硅纳米阵列的表面包裹，具体步骤为：
（1）依次将CTAB、NaOH溶解在水中，获得澄清溶液，控制温度为50-70℃；
（2）加入基片，继续50-70℃搅拌；
（3）加入环己烷和TEOS的混合溶液；
（4）控制温度为50~70℃，反应36-48h小时；
（5）反应结束后，取出基片，洗涤，得到在基片上生长的二氧化硅纳米阵列层；所述二氧化硅纳米阵列的高度为8-46nm，分布密度为210-3100/μm2。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基片选自玻璃片、硅片、玻璃管、玻璃棒、微流控芯片；当基片采用玻璃管时，二氧化硅纳米阵列生长在玻璃管的外壁和内壁。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，控制CTAB浓度为0.01-2wt.%；控制NaOH浓度为0.005-0.01wt.%。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，控制环己烷、TEOS和水的体积比为6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓民，王文兴，于泓跃，陈良，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31