一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺，包括：材料混合、研磨、形成浆料、造粒、成型和烧制等步骤，本发明专利技术提供的掺钨氧化铟靶材的制备工艺，主要原料由微米级WO3粉和In2O3粉组成，WO3粉在两种粉占重量比为2～10％(wt)，通过高密度聚氨酯纳米砂磨机研磨6～12小时形成固含量为40％～70％的浆料，在经过喷雾干燥造粒塔把浆料制成颗粒大小为

【技术实现步骤摘要】
一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺


[0001]本专利技术涉及一种光电材料制造领域，具体涉及一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺。

技术介绍

[0002]掺钨氧化铟(IWO)陶瓷靶材是用来生产晶体硅异质结太阳电池的主要基础材料。在晶体硅上沉积掺钨氧化铟(IWO)陶瓷靶材薄膜，使晶体硅异质结太阳电池综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。
[0003]掺钨氧化铟(IWO)陶瓷靶材是用来溅射一种透明导电氧化物薄膜，而在透明导电氧化物(TCO)薄膜应用中，范围最广的是掺锡氧化铟(ITO)薄膜，。但IWO导电膜比ITO透明导电氧化物(TCO)膜有着更高的迁移率，在可见光内有更好的透光率。在掺杂钨的In2O3薄膜中，因为钨原子以正六价的高价态的离子形式存在，在沉积过程中可以替代晶格中的三价铟In3+离子，掺杂浓度相同的情况下，阳离子价态之差大于2的掺杂氧化物，可以得到更多的自由载流子。
[0004]基于IWO导电膜具有比其他TCO膜更优异的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，材料混合，WO3粉和In2O3粉按重量比湿法混合；S2，研磨，WO3粉和In2O3粉高速研磨；S3，形成浆料，研磨后的WO3粉和In2O3粉形成浆料；S4，造粒，浆料经过喷雾干燥造粒；S5，成型，WO3和In2O3造粒粉高压均质成型；S6，烧制，成型后的WO3和In2O3坯料在高温高氧气氛烧结成IWO陶瓷靶材。2.根据权利要求1所述的一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺，其特征在于：所述步骤S1中，所述WO3粉和所述In2O3粉粒的粒径为微米级，所述WO3粉所占的重量比为2％～10％。3.根据权利要求1所述的一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺，其特征在于：所述步骤S2中，所述WO3粉和所述In2O3粉混合高速研磨采用的研磨球为氧化锆球，该研磨球与混合料的重量比为2：1(wt)。4.根据权利要求1所述的一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺，其特征在于：所述步骤S2中，所述WO3粉和所述In2O3粉混合高速研磨时间为6～12小时。5.根据权利要求2所述的一种掺钨氧化铟靶材的制备工艺，其特征在于：所述步骤S3中，所述WO3粉和所述In2O3粉形成的浆料的...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖伟，贾泽夏，古建国，尹凯，张立新，
申请(专利权)人：云南戊电靶材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：