【技术实现步骤摘要】
气体释放率测量系统及控制方法
[0001]本申请涉及检测
，特别是涉及一种气体释放率测量系统及控制方法。
技术介绍
[0002]砷化镓类半导体器件具有很多的优点，比如低温性能好、抗辐射能力强、具有小的噪声等，因此广泛应用于多芯片微波组件中。
[0003]在管壳的加工过程用到氢气，氢气很容易成为残余气体被密封在组件内。氢气会影响砷化镓类微波器件势垒层的有效失主浓度,进而改变肖特基内建势,减少沟道载流子浓度,从而使得微波器件的直流与微波性能发生退化。因此，有必要对微波器件的氢气的释放率进行测量，以获知微波器件内残余的氢气量。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对怎样对微波器件的氢气的释放率进行测量的问题，提供一种气体释放率测量系统及控制方法。
[0005]一种气体释放率测量系统，包括放样室、第一抽真空装置、第一管路、检测室、第二抽真空装置、第一阀门和分压检测装置。所述放样室，用于存放释放目标气体的待测样品。所述第一抽真空装置，与所述放样室连通。所述检测室与所述放样室通过所述第一管路连...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气体释放率测量系统，其特征在于，包括：放样室，用于存放释放目标气体的待测样品；第一抽真空装置，与所述放样室连通；第一管路和检测室，所述检测室与所述放样室通过所述第一管路连通；第二抽真空装置，与所述检测室连通；第一阀门，设置于所述第一管路；分压检测装置，与所述检测室连通，所述分压检测装置用于检测所述检测室中目标气体的分压。2.如权利要求1所述的气体释放率测量系统，其特征在于，还包括：第一加热装置，设置于所述放样室，所述第一加热装置用于加热所述放样室。3.如权利要求1所述的气体释放率测量系统，其特征在于，还包括：第二加热装置，设置于所述检测室，所述第二加热装置用于加热所述检测室。4.如权利要求1所述的气体释放率测量系统，其特征在于，所述第一抽真空装置包括：第一检测件，与所述放样室连通，所述第一检测件用于检测所述放样室的压力；第二阀门，所述第二阀门的第一端与所述放样室连通；第一抽气组件，分别与所述第二阀门的第二端和环境连通，所述第一抽气组件用于对所述放样室抽真空。5.如权利要求4所述的气体释放率测量系统，其特征在于，所述第一抽气组件包括：第一真空泵，所述第一真空泵与所述第二阀门的第二端连通；第二真空泵，与所述第一真空泵连通，所述第二真空泵的工作压力小于所述第一真空泵的工作压力。6.如权利要求1所述的气体释放率测量系统，其特征在于，所述第二抽真空装置包括：第二检测件，与所述检测室连通，所述第二检测件用于检测所述检测室的压强；第三阀门，所述第三阀门的第一端与所述检测室连接；第二抽气组件，分别与所述第三阀门的第二端和环境连通，所述第二抽气组件用于对所述检测室抽真空。7.如权利要求6所述的气体释放率测量系统，其特征在于，所述第二抽气组件包括：第三真空泵，所述第三真空泵与所述第三阀门的第二端连通；第四真空泵，与所述第三真空泵连通，所述第四真空泵的工作压力小于所述第三真空泵的工作压力。8.如权利要求1所述的气体释放率测量系统，其特征在于，还包括：第四阀门，所述第四阀门的一端与所述放样室连通，所述第四阀门的另一端与环境连通。9.一种如权利要求1
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8任一项所述的气体释放率测量系统的控制方法，其特征在于，包括：控制第一阀门关闭；将待测样品放入放样室，控制第一抽真空装置对所述放样室抽真空至第一预设压力，控制第二抽真空装置对检测室抽气至所述第一预设压力；控制分压检测装置检测所述检测室内的目标气体的第一分压；
控制所述第一阀门打开；控制分压检测装置检测所述检测室内的所述目标气体的第二分压，并根据所述第一分压和所述第二分压得到所述待测样品释放所述目标气体的释放率。10.如权利要求9所述的气体释放率测量系统的控制方法，其特征在于，所述的气体释放率测量系统还包括第一加热装置，所述第一加热装置设置于所述放样室，在所述控制第一阀门关闭的步骤之前，所述控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈蓉，刘晨曦，单斌，曹坤，陈志平，吴润卿，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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