开关电路制造技术

本发明专利技术提供一种开关电路，在所输入的电压为中低压时取代通常所使用的高压开关电路，可以在实现了开关功能的基础上减少元器件的布局尺寸。开关电路包括：控制模块，该控制模块由多个低压MOSFET构成，其源极接收电路的电源电压，并输出该电源电压以作为控制电压；以及开关模块，该开关模块由多个MOSFET构成，接收从控制模块输出的控制电压，并根据该控制电压来进行开关，在构成开关模块的多个MOSFET中，仅包含1个高压MOSFET。包含1个高压MOSFET。包含1个高压MOSFET。

【技术实现步骤摘要】
开关电路


[0001]本专利技术涉及一种开关电路，尤其涉及在计算机闪存设备中使用的开关电路。

技术介绍

[0002]计算机闪存设备(以下有时称为“NAND闪存”)是一种在某些性能上比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND闪存被证明极具吸引力。
[0003]NAND闪存是一种非易失性存储技术，可以用于存储针对各种电子产品(包括但不限于计算机、蜂窝电话、个人数字助理、数码相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持个人计算机、游戏机、传真机、扫描仪和打印机等)的语音、图像和其它数据。
[0004]在通常的NAND闪充中，为了使其正常工作，需要各种类型的偏置电压(以下有时称为“BIAS电压”)，这些偏置电压从0V到30V左右。其中，偏置电压的大小根据各种操作(PGM、读取、擦除)等而不同，且各种类型的偏置电压连接到每个WL、DSL、SSL和虚拟WL等。
[0005]上述这些偏置电压通常分为两种类型。
[0006]其中一种为VDD(器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电路，其特征在于，包括：控制模块，该控制模块由多个低压MOSFET构成，其源极接收电路的电源电压，并输出该电源电压以作为控制电压；以及开关模块，该开关模块由多个MOSFET构成，接收从所述控制模块输出的控制电压，并根据该控制电压来进行开关，在构成所述开关模块的多个MOSFET中，仅包含1个高压MOSFET。2.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述开关模块由1个低压NMOSFET和1个高压NMOSFET串联连接而构成。3.如权利要求2所述的开关电路，其特征在于，所述1个高压NMOSFET为本征高压NMOSFET。4.如权利要求2所述的开关电路，其特征在于，所述1个高...

【专利技术属性】
技术研发人员：李弦泰，
申请(专利权)人：东芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：