一种电压共源放大电路及多级放大电路制造技术

本申请公开了一种电压共源放大电路及多级放大电路，应用于信号放大技术领域，用于解决现有放大电路不易集成且工艺不兼容难以大面积制备的问题。本申请提供一个作为负载管的第一薄膜晶体管以及作为驱动管的第二薄膜晶体管以及一个恒压源，所述恒压源的正极分别连接所述第一薄膜晶体管的漏极与栅极，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的栅极作为信号输入端，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管源极之间的结点作为信号输出端。所述电压共源放大电路结构简单，集成工艺成熟可大面积制备。面积制备。面积制备。

【技术实现步骤摘要】
一种电压共源放大电路及多级放大电路


[0001]本申请涉及信号放大
，尤其涉及一种电压共源放大电路及多级放大电路。

技术介绍

[0002]共源放大电路的输入回路是栅极
‑
源极回路，输出回路是漏极
‑
源极回路。源极是输入、输出回路的公共端口，故称为共源。通过选取合适的直流电源和电阻值，设置合理的静态工作点，可以保证加入交流小信号后，放大电路仍工作在放大去，从而实现电压放大。
[0003]现有的共源放大电路主要有以下几种：
[0004](1)电阻负载型共源放大电路：大电阻较难集成于电路中，与薄膜晶体管的工艺不兼容。
[0005](2)耗尽型TFT(Thin film transistor,薄膜晶体管)型共源放大器：需要用到有机薄膜晶体管，需要用到OTFT(Organic thin film transistor,有机薄膜晶体管)，现有的OTFT工艺仍不成熟，较难制备和量产。
[0006]综上，设计一种容易集成、可大面积制备、结构简单的共源放大电路是非常重要的。

技术实现思路

[0007]本申请实施例提供一种电压共源放大电路及多级放大电路，以解决现有放大电路不易集成且工艺不成熟难以大面积制备的技术问题。
[0008]根据本申请的一方面提供一种电压共源放大电路，包括恒压源，还包括作为负载管的第一薄膜晶体管以及作为驱动管的第二薄膜晶体管，所述恒压源的正极分别连接所述第一薄膜晶体管的漏极与栅极，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的栅极连接，所述恒压源的负极接地，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极短接，所述第二薄膜晶体管的栅极作为信号输入端，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管源极之间的结点作为信号输出端，所述第二薄膜晶体管的源极接地。
[0009]根据本申请的另一方面提供一种多级放大电路，包括上述的电压共源放大电路，所述电压共源放大电路包括至少两个，每个所述电压共源放大电路的第一薄膜晶体管为单栅薄膜晶体管，每个所述电压共源放大电路的第二薄膜晶体管为双栅薄膜晶体管，第一个电压共源放大电路的第二薄膜晶体管的背栅极作为所述多级放大电路的信号输入端，相邻的第一电压共源放大电路的信号输出端与第二电压共源放大电路的信号输入端连接，最后一个电压共源放大电路的信号输出端作为所述多级放大电路的信号输入端。
[0010]本申请通过提供一种电压共源放大电路及多级放大电路，通过提供一个作为负载管的第一薄膜晶体管以及作为驱动管的第二薄膜晶体管以及一个恒压源，所述恒压源的正极分别连接所述第一薄膜晶体管的漏极与栅极，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的栅极作为信号输入端，所述第二薄膜晶体管
的漏极与所述第一薄膜晶体管源极之间的结点作为信号输出端。同时，该多级放大电力通过连接上述至少两个电压共源放大电路，电路结构简单，集成工艺成熟可大面积制备。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1是本申请一实施例中电压共源放大电路的电路结构示意图；
[0013]图2是本申请另一实施例中电压共源放大电路的电路结构示意图；
[0014]图3是本申请另一实施例中电压共源放大电路的电路结构示意图；
[0015]图4是本申请又一实施例中电压共源放大电路的电路结构示意图；
[0016]图5是本申请一实施例中多级放大电路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0017]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0018]以下结合具体附图对本申请的实现进行详细的描述：
[0019]实施例一
[0020]如图1所示，本申请实施例提供的一种电压共源放大电路，包括恒压源10，还包括作为负载管的第一薄膜晶体管11以及作为驱动管的第二薄膜晶体管12，所述恒压源10的正极分别连接所述第一薄膜晶体管11的漏极与栅极，所述第一薄膜晶体管11的漏极与所述第一薄膜晶体管11的栅极连接，所述恒压源10的负极接地，所述第一薄膜晶体管11的源极与所述第二薄膜晶体管12的漏极短接，所述第二薄膜晶体管12的栅极作为信号输入端，所述第二薄膜晶体管12的漏极与所述第一薄膜晶体管11源极之间的结点作为信号输出端，所述第二薄膜晶体管12的源极接地。
[0021]示例性地，所述第一薄膜晶体管11为单栅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管12为单栅薄膜晶体管。
[0022]具体地，在放大输入电压信号时，需要先确定放大器的放大范围，即输入电压大小范围。确定输入电压的大小范围需要测出静态输入下的输出曲线，挑选出满足需要的较大放大倍数的区域。当选定放大信号区域，可进行小信号分析，得到放大倍数为：
[0023][0024]其中，g
m1
和g
m2
分别为所述第一薄膜晶体管11和所述第二薄膜晶体管12的跨导，r
o1
和r
o2
分别为所述第一薄膜晶体管11和所述第二薄膜晶体管12的小信号电阻，A
v
为输出电压与输入电压的比值。
[0025]电压信号由所述第二薄膜晶体管12的栅极输入，通过所述第二薄膜晶体管12的栅极调控所述第二薄膜晶体管12的开启和关断，改变所述第二薄膜晶体管12的源漏电流，此
时的所述第一薄膜晶体管11处于开启状态相当于一个电阻，而流过所述第一薄膜晶体管11和所述第二薄膜晶体管12的电流受到所述第二薄膜晶体管12的栅极输入的电压影响，从而导致所述第二薄膜晶体管12的漏极电压变化。
[0026]实施例二
[0027]进一步地，作为本申请一种实施方式，如图2所示，所述第一薄膜晶体管21为双栅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管22为单栅薄膜晶体管。
[0028]所述恒压源20的正极分别与所述第一薄膜晶体管21的漏极和背栅极连接，所述第一薄膜晶体管21的顶栅极与所述恒压源20的正极连接。
[0029]实施例三
[0030]进一步地，作为本申请一种实施方式，如图3所示，所述第一薄膜晶体管31为单栅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管32为双栅薄膜晶体管。
[0031]电压信号由所述第二薄膜晶体管32的背栅极输入，通过所述第二薄膜晶体管32的背栅极调控所述第二薄膜晶体管32的开启和关断，改变所述第二薄膜晶体管32的源漏电流，此时的所述第一薄膜晶体管31处于开启状态相当于一个电阻，而流过所述第一薄膜晶体管31和所述第二薄膜晶体管32的电流受到所述第二薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压共源放大电路，包括恒压源，其特征在于，还包括作为负载管的第一薄膜晶体管以及作为驱动管的第二薄膜晶体管，所述恒压源的正极分别连接所述第一薄膜晶体管的漏极与栅极，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的栅极连接，所述恒压源的负极接地，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极短接，所述第二薄膜晶体管的栅极作为信号输入端，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管源极之间的结点作为信号输出端，所述第二薄膜晶体管的源极接地。2.根据权利要求1所述的电压共源放大电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为单栅薄膜晶体管或双栅薄膜晶体管。3.根据权利要求2所述的电压共源放大电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为双栅薄膜晶体管时，所述恒压源的正极分别与所述第一薄膜晶体管的漏极和背栅极连接，所述第一薄膜晶体管的顶栅极与所述恒压源的正极连接。4.根据权利要求1所述的电压共源放大电路，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为单栅薄膜晶体管或双栅薄膜晶体管。5.根据权利要求4所述的电压共源放大电路，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为双栅薄膜晶体管时，所述第二薄膜晶体管的背栅极作为信号输入端，所述第二薄膜晶体管的顶栅极与所述恒压源的正极连接。6.根据权利要求1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：周忠义，刘兴慧，
申请(专利权)人：深圳知微创新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：