【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造用的临时保护膜、卷轴体以及制造半导体装置的方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置制造用的临时保护膜、卷轴体以及制造半导体装置的方法。
技术介绍
[0002]提出了一种如下结构的半导体封装：将半导体元件密封的密封层仅设置于引线框及有机基板等半导体用基板的其中一面侧，半导体用基板的背面露出。这种结构的半导体封装例如可通过如下方法而制造：将具有黏合层的临时保护膜贴附于具有开口部的半导体用基板的背面，由此临时保护半导体用基板的背面，在该状态下，将搭载于半导体用基板的表面侧的半导体元件密封，之后，剥离临时保护膜。通过使用临时保护膜，可防止密封成型时密封树脂绕入至半导体用基板的背面等不良情况(例如专利文献1)。
[0003]以往技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2001/035460号
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术课题
[0007]用于制造半导体装置的临时保护膜理想为可在常温下贴附于半导体用基板，且在高温下的加热后，可...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置制造用的临时保护膜，所述临时保护膜在制造具有半导体基板及搭载于该半导体基板的半导体元件的半导体装置的方法中，用于对所述半导体基板的与供所述半导体元件搭载的面相反的一侧的面进行临时保护，所述临时保护膜包括支撑膜以及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，所述黏合层含有丙烯酸橡胶，将所述临时保护膜以所述黏合层与铜合金板相接的方式在25℃下贴附于具有铜合金的表面的所述铜合金板，对由此而获得的贴合体以180℃下60分钟及200℃下60分钟的顺序进行加热，所述临时保护膜相对于所述铜合金板的90度剥离强度在所述贴合体加热前为25℃下5N/m以上，在所述贴合体加热后为50℃下150N/m以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，所述黏合层的厚度为2μm以上且100μm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，所述丙烯酸橡胶为包含(甲基)丙烯酸烷基酯单元、(甲基)丙烯酸单元及/或丙烯酸
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羟基乙酯单元、以及丙烯腈单元的共聚物，相对于所述丙烯酸橡胶总体的质量，这些单体单元的合计比例为90质量％以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，所述丙烯酸橡胶的玻璃化转变温度为
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50℃～20℃。5.根据权利要求1至4中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：黑田孝博，名儿耶友宏，友利直己，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
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