Pentasil型沸石和其制造方法技术

提供：以与以往相比更不易吸附水、并且用作成型体时的强度优异为特征的Pentasil型沸石、和该Pentasil型沸石的制造方法。一种Pentasil型沸石和其制造方法，所述Pentasil型沸石的特征在于，25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量为4.0g/100g

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Pentasil型沸石和其制造方法


[0001]本专利技术涉及Pentasil型沸石和其制造方法。更详细地涉及：以水分吸附量少、适于VOC吸附剂等需要高疏水性的用途、和用作成型体时的强度优异为特征的Pentasil型沸石和其制造方法。

技术介绍

[0002]Pentasil型沸石作为吸附剂、催化剂被广泛利用。使用沸石作为VOC吸附剂时，优选沸石不易吸附水。这是由于，通过变得不易吸附水，从而改善VOC吸附的选择性。
[0003]沸石用作吸附剂、催化剂时，通常被加工为成型体，在固定相或流化床的吸附塔、反应器中利用。填充、吸附和脱附、催化剂反应时成型体如果粉化，则成为设备故障、压力损耗的原因，因此，对成型体要求高的强度。原料沸石粉末的一次颗粒的大小对这种成型体的强度产生影响。
[0004]非专利文献1中，报道了在氟存在下结晶而成的Pentasil型沸石。在氟存在下结晶而成的Pentasil型沸石虽然不易吸附水，但一次颗粒非常大，为5～100μm。如果一次颗粒大至5～100μm，则形成成型体时的强度变低。另外，难以使用通常的沸石制造设备来进行使用腐蚀性高的氟的结晶。
[0005]现有技术文献
[0006]非专利文献
[0007]非专利文献1：Studies in Surface Science and Catalysis，Vol，105，p.309(1997)

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本专利技术的目的在于，提供：以不易吸附水、且用作成型体时的强度优异为特征的Pentasil型沸石和其制造方法。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本专利技术人等鉴于以上的情况，对Pentasil型沸石和其制造条件反复深入研究，结果至此发现了本专利技术的Pentasil型沸石和其制造方法。
[0012]即，本专利技术在于以下的[1]至[9]。
[0013][1]一种Pentasil型沸石，其特征在于，25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量为4.0g/100g
‑
沸石以下，且一次颗粒的长轴直径为0.2μm以上且4.0μm以下。
[0014][2]根据上述[1]所述的Pentasil型沸石，其特征在于，一次颗粒的长宽比为1.0以上且3.0以下。
[0015][3]根据上述[1]或[2]所述的Pentasil型沸石，其特征在于，SiO2/Al2O3(摩尔比)为200以上。
[0016][4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的Pentasil型沸石，其特征在于，BET比表面
积为300m2/g以上。
[0017][5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的Pentasil型沸石，其特征在于，Na2O的含量为1.00重量百分比以下。
[0018][6]一种上述[1]～[5]中任一项所述的Pentasil型沸石的制造方法，其特征在于，具备如下工序：使包含硅源、作为结构导向剂的胺和碱源、且不含氟源的混合物结晶的结晶工序；使pH 10～14的碱溶液与沸石接触的工序；在含水蒸气流通下、以500～1000℃的温度进行焙烧的工序。
[0019][7]根据上述[6]所述的Pentasil型沸石的制造方法，其特征在于，前述胺为正丙胺、二正丙胺、三丙胺。
[0020][8]根据上述[6]或[7]所述的Pentasil型沸石的制造方法，其特征在于，结晶温度为160℃以下。
[0021][9]根据上述[6]～[8]中任一项所述的Pentasil型沸石的制造方法，其特征在于，前述混合物具有以下的摩尔组成。
[0022]结构导向剂/SiO
2 0.04以上且0.5以下
[0023]OH
‑
/SiO
2 0.08以上且0.2以下。
[0024]专利技术的效果
[0025]本专利技术提供：以与以往相比更不易吸附水、另外用作成型体时的强度优异为特征的Pentasil型沸石、和该Pentasil型沸石的制造方法。
具体实施方式
[0026]以下，对本专利技术的Pentasil型沸石进行说明。
[0027]本专利技术涉及Pentasil型沸石。Pentasil型沸石是指，包含氧5元环的组合的沸石。作为Pentasil型沸石，可以举出以国际沸石学会(以下，记作“IZA”)规定的结构编码由MFI、MEL和它们的连接晶体组成的组中的至少1种。作为MFI，例如可以举出ZSM
‑
5、Silicalite
‑
1等，作为MEL，例如可以举出ZSM
‑
11、Silicalite
‑
2等。
[0028]Pentasil型沸石的晶相可以通过与Collection of simulated XRD powder patterns for zeolites，Fifth revised edition，p.483(2007)中记载的粉末X射线衍射(以下，记作“XRD”)谱图、或IZA的结构委员会的主页(http：//www.iza
‑
struture.org/databases/)的Disorder in Zeolite Frameworks的The Pentasil Family中记载的XRD谱图中的至少任意一者比较，从而鉴定其。
[0029]本专利技术的Pentasil型沸石的25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量为4.0g/100g
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沸石以下。25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量如果大于4.0g/100g
‑
沸石，则VOC吸附的选择性降低而不适合。即使在相对湿度90％的高湿度的环境下，水分吸附量少，由此在高湿度的季节、高湿度的地域用作VOC吸附剂时，沸石也变得不易吸附水，因此使用本专利技术的Pentasil型沸石作为VOC吸附剂时，VOC吸附的选择性改善。25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量越少越优选。25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量优选3.5g/100g
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沸石以下、更优选3.0g/100g
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沸石以下、进一步优选2.5g/100g
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沸石以下。
[0030]本专利技术的Pentasil型沸石的一次颗粒的长轴直径为0.2μm以上且4.0μm以下。一次颗粒的长轴直径如果小于0.2μm，则过滤清洗困难，故不适合，如果超过4.0μm，则作为成型
体的强度变低，进一步，表面积变小，故不适合。一次颗粒的长轴直径优选0.2μm以上且3.5μm以下，更优选0.2μm以上且3.0μm以下，进一步优选0.2μm以上且2.5μm以下，特别优选0.4μm以上且2.5μm以下、0.4μm以上且2.0μm以下、0.6μm以上且2.0μm以下、0.6μm以上且1.5μm以下。
[0031]本专利技术的Pentasil型沸石的一次颗粒的长轴直径的测量使用电子显微本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种Pentasil型沸石，其特征在于，25℃、相对湿度90％的条件下的水分吸附量为4.0g/100g
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沸石以下，且一次颗粒的长轴直径为0.2μm以上且4.0μm以下。2.根据权利要求1所述的Pentasil型沸石，其特征在于，一次颗粒的长宽比为1.0以上且3.0以下。3.根据权利要求1或权利要求2所述的Pentasil型沸石，其特征在于，SiO2/Al2O3(摩尔比)为200以上。4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的Pentasil型沸石，其特征在于，BET比表面积为300m2/g以上。5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的Pentasil型沸石，其特征在于，Na2O的含量为1.00重量百分比以下。6.一种权利要求1～权利要求5中任一项所述的Pentasi...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田秀德，冈庭宏，吉田智，
申请(专利权)人：东曹株式会社，
类型：发明
国别省市：