具有故障检测功能的存储设备和包括其的控制系统技术方案

技术编号:28759828 阅读:38 留言:0更新日期:2021-06-09 10:34
提供了一种用于提高功能安全性的具有故障检测功能的存储设备和包括该存储设备的控制系统。存储设备包括:第一存储单元阵列,被配置为存储输入数据并将输入数据输出为输出数据;和第二存储单元阵列,第被配置为存储其中存储有输入数据的第一存储单元阵列的行地址和列地址的位值,并将行地址和列地址的位值作为内部行地址和内部列地址输出。可以将指定读取操作的行/列地址与内部行/列地址进行比较,并且可以输出作为比较结果的地址比较信号。地址比较信号可以为汽车电子系统的数据错误提供故障检测功能。供故障检测功能。供故障检测功能。

【技术实现步骤摘要】
具有故障检测功能的存储设备和包括其的控制系统
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月6日在韩国知识产权局提交的第10

2019

0161671号韩国专利申请的权益,该申请的公开通过引用被全部合并于此。


[0003]本公开涉及一种存储设备,更具体地,涉及一种能够通过执行由汽车电子系统使用的故障检测功能来提高功能安全性的存储设备以及包括该存储设备的控制系统。

技术介绍

[0004]与用在一般电子产品上的设备不同,安装在汽车上的电子设备(例如,电子控制单元)的故障在一些情况下可能对汽车的安全造成致命风险。随着汽车中的电子设备部分的增加,用于汽车的电子设备需要把功能安全性作为重要因素。功能安全意味着不存在不合理的风险,即风险水平是合理的。合理风险是指根据电子设备的评级将故障的发生概率控制在合理的水平。用于提供风险管理标准的汽车安全完整性等级(ASIL)可以被分配给汽车中的各个电子设备。ASIL评级按风险管理所需标准按升序从ASIL

A到ASI本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备,包括:第一存储单元阵列,包括位于多个第一位线和字线的对应交叉点处的多个第一存储单元,每个字线连接到多个存储单元行中的一个对应存储单元行;第二存储单元阵列,位于邻近所述第一存储单元阵列,并且包括位于多个第二位线和从所述第一存储单元阵列延伸的所述字线的对应交叉点处的多个第二存储单元;控制逻辑块,被配置为:控制所述存储设备的写入操作和读取操作,接收用于寻址所述字线的行地址和用于寻址所述多个第一位线的列地址,当执行写入操作时,所述行地址和所述列地址的位值被存储在与所述行地址和所述列地址对应的多个第二存储单元中,并且当执行读取操作时,输出存储在与所述行地址和所述列地址对应的多个第二存储单元中的所述行地址和所述列地址的位值,作为内部行地址和内部列地址;以及第一比较器,被配置为:接收指定读取操作的行地址及列地址,将所述行地址与所述内部行地址进行比较,并且将所述列地址与所述内部列地址进行比较,以及输出地址比较信号作为比较结果。2.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述地址比较信号指示关于存储设备的数据错误的故障检测功能。3.根据权利要求1所述的存储设备,其中,多个第一存储单元和多个第二存储单元是静态随机存取存储器(SRAM)单元。4.根据权利要求1所述的存储设备,其中,多个第二位线中选择的位线的数目和多个第二存储单元中连接到对应于行地址的激活的字线的选择的存储单元的数目分别等于所述行地址的位数与所述列地址的位数之和。5.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述控制逻辑块进一步被配置为:当执行写入操作时,将输入数据存储在与所述行地址和所述列地址对应的多个第一存储单元中;并且当执行读取操作时,将存储在与所述行地址和所述列地址对应的多个第一存储单元中的输入数据输出为输出数据。6.根据权利要求5所述的存储设备,进一步包括:第一输入/输出电路,被配置为响应于列地址以选择多个第一位线中的第一位线,并且将输入数据存储在多个第一存储单元中的第一组存储单元中,所述第一组存储单元连接到所述字线中响应于所述行地址的激活的字线并且连接到所选择的第一位线。7.根据权利要求6所述的存储设备,进一步包括:第二输入/输出电路,被配置为响应于列地址选择多个第二位线中的第二位线,并且将行地址和列地址的位值存储在所述多个第二存储单元中的第二组存储单元中,所述第二组存储单元连接到激活的字线并且连接到所选择的第二位线。8.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述多个第二存储单元当中连接到字线的存储单元的数目等于2
X
乘以所述行地址的位数与所述列地址的位数之和,X是所述列地址的
位数。9.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储设备包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存、电阻式RAM(RRAM)、磁性RAM(MRAM)及相变RAM(PRAM)中的一者。10.一种操作存储设备以提供用于检测存储设备的故障的方法,所述存储设备包含第一存储单元阵列及第二存储单元阵列,所述方法包括:接收指定存储设备的写入操作的行地址和列地址;将输入数据存储在与所述行地址和所述列地址对应的第一存储单元阵列的第一存储单元中;将所述行地址和所述列地址的位值存储在与所述行地址和所述列地址对应的第二存储单元阵列的第二存储单元中;接收指定存储设备的读取操作的所述行地址和所述列地址;输出存储在与所述行地址和列地址对应的第二存储单元中的行地址和列地址的位值,作为内部行地址和内部列地址;将所述行地址与所述内部行地址进行比较,并将所述列地址与所述内部列地址进行比较;以及输出表示地址匹配或地址失配的...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋政学李灿昊李炷昌崔泰敏
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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