【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]本公开总体上涉及图像传感器，并且更特别地涉及全局快门类型的图像传感器。
技术介绍
[0002]全局快门传感器包括通常以行和列布置的像素矩阵。全局快门传感器的像素一般地被称为全局快门像素。
[0003]在全局快门传感器中，积分阶段被传感器的所有像素共享，在积分阶段期间，图像由传感器捕获，或者换言之，对于传感器的所有像素，积分阶段是同时的。更特别地，积分阶段通过针对每个像素同时地将像素的光敏区域初始化而开始。积分阶段在如下电压被存储在像素中时而针对每个像素同时地结束，该电压表示从积分阶段开始起在像素的光敏区域中累积的光生成的电荷。接下来，通常通过同时读取传感器的同一行的所有像素，存储在传感器像素中的电压被循序地读取，各行是一行在另一行之后被读取的。
技术实现思路
[0004]已知的图像传感器的被存储在像素中的电压受到诸如环境等因素的影响。
[0005]本公开的实施例解决了已知的图像传感器的缺点中的所有缺点或一些缺点。
[0006]在一个方面中，提供了一种图像传感器，包括...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：像素的矩阵，每个像素包括：第一晶体管和第一开关，所述第一晶体管和所述第一开关被串联连接在所述像素的内部节点与第一节点之间，所述第一节点被配置为接收第一电势，所述第一晶体管包括与所述像素的浮动扩散节点耦合的栅极；电容性元件，具有被连接到所述像素的所述浮动扩散节点的第一端子；以及多个组件，每个组件包括电容和第二开关，所述第二开关与所述电容串联连接，并且将所述电容耦合到所述像素的所述内部节点；以及控制电路，被配置为针对每个像素、当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时，控制所述像素的所述浮动扩散节点与所述内部节点之间的电势差增加确定值。2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，针对每个像素，当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时，为了控制所述增加，所述控制电路被配置为控制被施加到所述组件中的所述一个组件的所述电容的第一端子的电势从第一电平到第二电平的切换，所述第一端子与所述电容的第二端子相对，所述电容被连接到所述组件中的所述一个组件的所述第二开关。3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述第二电平低于所述第一电平。4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，针对每个像素，当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时，为了控制所述增加，所述控制电路被配置为控制被施加到所述电容性元件的第二端子的电势从第一电平切换到第二电平。5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，针对每个像素，所述控制电路被配置为：在当每一次电压被存储在所述像素的所述组件中的一个组件中时进行所述增加之后，控制在所述像素的所述内部节点与所述第一节点之间流动的电流的中断；并且将所述增加的所述控制与所述电流的所述中断的所述控制隔开相同的第一持续时间，所述第一持续时间是相同的、与所述像素和所述像素的所述组件中的所述一个组件无关。6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，针对每个像素，所述控制电路被配置为：通过控制被施加到所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述电容的第一端子的电势从第一电平到第二电平的切换，来控制所述增加，所述第一端子与所述电容的第二端子相对，所述电容被连接到所述组件中的所述一个组件的所述第二开关；以及通过如下来控制在所述像素的所述内部节点与所述第一节点之间流动的电流的所述中断：控制所述像素的所述第一开关的断开；或者控制所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述第二开关的断开。7.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，针对每个像素，所述控制电路被配置为：通过控制被施加到所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述电容的第一端子的电势从第一电平到第二电平的切换，来控制所述增加，所述第一端子与所述电容的第二端子相对，所述电容被连接到所述组件中的所述一个组件的所述第二开关；并且通过如下来控制在所述像素的所述内部节点与所述第一节点之间流动的电流的所述中断：
控制被施加到所述电容性元件的第二端子的电势从所述第二电平到所述第一电平的切换；或者控制所述像素的所述第一开关的断开；或者控制所述像素的所述组件中的所述一个组件的所述第二开关的断开。8.根据权利要求1所述的传...
【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：新型
国别省市：
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