【技术实现步骤摘要】
用于与数据线设置操作同时进行的接种操作的设备和方法
[0001]本公开大体上涉及存储器，且特定来说，在一或多个实施例中，本公开涉及用于与数据线设置操作同时进行的源极侧接种操作的设备和方法。
技术介绍
[0002]存储器(例如，存储器装置)通常在计算机或其它电子装置中提供为内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和快闪存储器。
[0003]快闪存储器已发展成用于各种电子应用的广受欢迎的非易失性存储器源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷阱)或其它物理现象(例如，相变或极化)进行编程(通常是指写入)，改变存储器单元的阈值电压(Vt)，所述改变确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其包括：共同源极；第一数据线和第二数据线；存储器单元阵列，其包括选择性地连接于所述第一数据线与所述共同源极之间的第一存储器单元串和选择性地连接于所述第二数据线与所述共同源极之间的第二存储器单元串；多个存取线，所述多个存取线中的每一存取线连接到所述第一存储器单元串中的相应存储器单元的控制栅极和所述第二存储器单元串中的相应存储器单元的控制栅极；和控制器，其存取所述存储器单元阵列，所述控制器被配置成实施与数据线设置操作同时进行的源极侧接种操作。2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述源极侧接种操作包括源极侧栅致漏极泄漏GIDL接种操作。3.根据权利要求1所述的存储器，其中所述控制器被配置成以反向页顺序实施编程操作。4.根据权利要求3所述的存储器，其中以所述反向页顺序，所述第一存储器单元串的处于所述第一存储器单元串中的特定存储器单元与所述第一数据线之间的存储器单元处于经编程状态，且所述第一存储器单元串的处于所述特定存储器单元和所述共同源极之间的存储器单元处于经擦除状态。5.根据权利要求1所述的存储器，其中所述控制器被配置成在所述第一存储器单元串中的特定存储器单元的感测操作之后，实施与所述数据线设置操作同时进行的所述源极侧接种操作。6.根据权利要求1所述的存储器，其中所述控制器被配置成在所述第一存储器单元串中的特定存储器单元的后续编程操作之前，实施与所述数据线设置操作同时进行的所述源极侧接种操作。7.根据权利要求6所述的存储器，其中为实施所述源极侧接种操作，所述控制器被配置成：将第一电压电平施加到所述第一存储器单元串中的第二存储器单元的所述多个存取线中的所述相应存取线；和将高于所述第一电压电平的第二电压电平施加到所述特定存储器单元的所述多个存取线中的所述相应存取线。8.根据权利要求6所述的存储器，其中所述编程操作包括单遍次编程操作。9.根据权利要求6所述的存储器，其中所述编程操作包括多遍次编程操作。10.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第一存储器单元串经由第一漏极选择晶体管选择性地连接到所述第一数据线并且经由第一源极选择晶体管选择性地连接到所述共同源极，且所述第二存储器单元串经由第二漏极选择晶体管选择性地连接到所述第二数据线并且经由第二源极选择晶体管选择性地连接到所述共同源极。11.根据权利要求10所述的存储器，其中为实施所述源极侧接种操作，所述控制器被配置成：关断所述第一漏极选择晶体管和所述第二漏极选择晶体管；
接通所述第一源极选择晶体管和所述第二源极选择晶体管；和将供电电压施加到所述共同源极。12.根据权利要求10所述的存储器，其中为实施所述数据线设置操作，所述控制器被配置成：关断所述第一漏极选择晶体管和所述第二漏极选择晶体管；将数据线启用电压电平施加到所述第一数据线以使得所述第一存储器单元串中的特定存储器单元能够被编程；和将数据线禁止电压电平施加到所述第二数据线以禁止编程所述第二存储器单元串中的存储器单元。13.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第一存储器单元串包括第一经串联连接存储器单元串且所述第二存储器单元串包括第二经串联连接存储器单元串。14.一种存储器，其包括：存储器单元阵列，其包括选择性地连接到第一数据线的第一存储器单元串和选择性地连接到第二数据线的第二存储器单元串，其中所述第一存储器单元串中的每一存储器单元连接到多个存取线中的相应存取线；和控制器，其存取所述存储器单元阵列，所述控制器被配...
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