光学装置的扇出晶圆级封装和相关方法制造方法及图纸

本公开涉及光学装置的扇出晶圆级封装和相关方法。半导体封装的具体实施可包括：衬底，该衬底具有第一侧和第二侧。该封装可包括半导体封装和控制器装置，该半导体封装和该控制器装置通过胶带或粘合剂耦合到该衬底的该第一侧。模制化合物可包封该半导体器件和该控制器装置。该封装还可包括再分布层，该再分布层电耦合该半导体器件和该控制器装置。互连结构可与该再分布层耦合。该封装可包括阻焊层，该阻焊层耦合在该互连结构周围并且耦合在该模制化合物、该半导体器件、该控制器装置和该铜再分布层之上。分布层之上。分布层之上。

【技术实现步骤摘要】
光学装置的扇出晶圆级封装和相关方法


[0001]此文献的各方面总体涉及半导体封装，诸如光学装置的晶圆级封装。更具体的具体实施涉及相机装置的扇出晶圆级封装。

技术介绍

[0002]半导体封装用于使半导体管芯能够与母板和其他电连接耦合。半导体封装还用于保护半导体管芯免于污染和在操作期间的环境影响。

技术实现思路

[0003]半导体封装的具体实施可包括：衬底，该衬底具有第一侧和第二侧。该封装可包括半导体器件和控制器装置，该半导体器件和该控制器装置通过胶带或粘合剂耦合到该衬底的该第一侧。模制化合物可包封该半导体器件和该控制器装置。该封装还可包括再分布层，该再分布层电耦合该半导体器件和该控制器装置。互连结构可与该再分布层耦合。该封装可包括阻焊层，该阻焊层耦合在该互连结构周围并且耦合在该模制化合物、该半导体器件、该控制器装置和该铜再分布层之上。
[0004]半导体封装的具体实施可包括以下各项中的一项、全部或任一项：
[0005]该衬底可包括光学透射材料。
[0006]该半导体封装还可包括第二铜再分布层和第三铜再分布层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，所述半导体封装包括：衬底，所述衬底包括第一侧和第二侧；半导体器件和控制器装置，所述半导体器件和所述控制器装置布置在同一平面中，其中所述半导体器件和所述控制器装置通过胶带或粘合剂中的一者耦合到所述衬底的所述第一侧；模制化合物，所述模制化合物包封所述半导体器件和所述控制器装置；再分布层，所述再分布层电耦合所述半导体器件和所述控制器装置；互连结构，所述互连结构与所述再分布层耦合；和阻焊层，所述阻焊层耦合在所述互连结构周围并且耦合在所述模制化合物、所述半导体器件、所述控制器装置和所述铜再分布层之上。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述衬底包括光学透射材料。3.根据权利要求1所述的半导体封装，所述半导体封装还包括第二再分布层和第三再分布层。4.根据权利要求1所述的半导体封装，所述半导体封装还包括所述衬底的第一侧上的胶带或树脂涂层中的一者。5.一种半导体封装，所述半导体封装包括：半导体器件，所述半导体器件包括第一侧和第二侧；控制器装置，所述控制器装置包括第一侧和第二侧；和模制化合物，所述模制化合物包封所述半导体器件和所述控制器装置；再分布层，所述再分布层通过所述半导体器件和所述控制器装置中的每一者的第二侧上的两个或更多个小柱电耦合所述半导体器件和所述控制器装置；互连件，所述互连件耦合到所述再分布层；和阻焊层，所述阻焊层处于所述半导体器件和所述控制器装置中的每一者的所述第二侧之...

【专利技术属性】
技术研发人员：林育圣，野间崇，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：