【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】垂直谐振器式发光元件
[0001]本专利技术涉及一种诸如垂直腔表面发射激光器的垂直腔表面发射装置。
技术介绍
[0002]垂直腔表面发射激光器(在下文中简称为表面发射激光器)是半导体激光器,其包括由堆叠在基板上的多层膜形成的反射镜,并在垂直于基板表面的方向上发射光。例如,专利文献1公开了使用氮化物半导体的表面发射激光器。
[0003]专利文献1:日本专利第5707742号
技术实现思路
[0004]本专利技术要解决的问题
[0005]例如,在诸如表面发射激光器之类的垂直腔表面发射装置中,优选地,发光图案是稳定的,例如,远场图案是稳定的。因此,例如,优选地在垂直腔表面发射装置中配置被配置为以期望的横向模式产生光的谐振器。例如,以单横向模式产生激光束允许获得具有高输出功率的单峰激光束的远场图案。
[0006]表面发射激光器等优选是高质量的。例如,优选早期劣化很少,并且在各种环境下(例如,在高温下操作期间)使用表面发射激光器的情况下表面发射激光器优选可以执行稳定的输出。通常,发光装置优选具有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种垂直腔表面发射装置,该垂直腔表面发射装置包括:基板;第一多层膜反射镜,所述第一多层膜反射镜形成在所述基板上;第一半导体层,所述第一半导体层形成在所述第一多层膜反射镜上并且具有第一导电类型;发光层,所述发光层形成在所述第一半导体层上;第二半导体层,所述第二半导体层形成在所述发光层上并且具有与所述第一半导体层的所述第一导电类型相反的第二导电类型,所述第二半导体层在上表面上包括低电阻区域和高电阻区域,所述高电阻区域从所述低电阻区域朝向所述低电阻区域外部的所述发光层凹陷,并且所述第二导电类型的杂质在所述高电阻区域中失活,使得所述高电阻区域的电阻高于所述低电阻区域的电阻;透光电极层,所述透光电极层与所述低电阻区域和所述高电阻区域接触,并且所述透光电极层形成在所述第二半导体层上的所述上表面上;以及第二多层膜反射镜,所述第二多层膜反射镜形成在所述透光电极层上,在所述第二多层膜反射镜和所述第一多层膜反射镜之间构成谐振器。2.根据权利要求1所述的垂直腔表面发射装置,其中,所述谐振器包括中心区域和外部区域,所述中心区域与所述低电阻区域对应并且在所述第一多层膜...
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